Записи с меткой ‘область’

Биполярный транзистор – Полупроводниковая силовая электроника

May 8, 2015

Биполярный транзистор — это полупроводниковый прибор, изготовленный в виде трехслойной полупроводниковой структуры, образующей два близко расположенных р-п-перехода. Транзистор имеет три вывода: «эмиттер», «база», «коллектор».

» Читать запись: Биполярный транзистор – Полупроводниковая силовая электроника

ОСОБЕННОСТИ НЕЛОКАЛЬНОГО ТЕПЛОВЫДЕЛЕНИЯ В МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С СУБМИКРОННЫМ ЗАТВОРОМ

January 2, 2013

Аннотация – Разработана простая модель, позволяющая оценивать размеры области тепловыделения в мощных полевых транзисторах в зависимости от параметров транзисторной структуры и топологии транзистора. Показано, что реальная область тепловыделения оказывается гораздо меньше не только размеров периодической структуры транзистора но и размеров затвор-сток. На основе точных трехмерных расчетов показано, что учет реальных размеров области тепловыделения повышает расчетные значения температуры в канале транзистора на 10 – 30 °С.

» Читать запись: ОСОБЕННОСТИ НЕЛОКАЛЬНОГО ТЕПЛОВЫДЕЛЕНИЯ В МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С СУБМИКРОННЫМ ЗАТВОРОМ

Стоковые характеристики полевого транзистора

January 9, 2012

Для полевого транзистора с общим истоком семейство выходных характеристик — это зависимости тока стока от напряжения сток—исток при различных значениях напряжения затвор—исток. Схема измерения, приведенная на рис. 6.8, позволяет строить соответствующие графики. Требуемое напряжение затвор—исток VGC устанавливается потенциометром RV, и измеряется вольтметром Мх. Затем с помощью потенциометра RV2 задается ряд значений напряжения сток—исток VDC, измеряемых вольтметром М,; результирующий ток стока ID измеряется миллиамперметром Му Типичное семейство характеристик полевого транзистора показано на рис. 6.9.

» Читать запись: Стоковые характеристики полевого транзистора

Соединение светодиода с оптическим волокном при помощи линз

November 4, 2011

Если излучающая область светодиода меньше сердцевины оптического волокна, применение выпуклых линз повышает эффективность ввода излучения светодиода в световод. В этих случаях линзы проецируют излучающую область светодиода на всю площадь сердцевины волокна, снижая при этом угол падения лучей, т. е. происходит согласование источника излучения с волокном по числовой апертуре.

» Читать запись: Соединение светодиода с оптическим волокном при помощи линз

Потери носителей в двойных гетероструктурах

October 26, 2011

В идеальном светодиоде барьерные слои не дают инжектированным носителям возможности покидать активную область. Это позволяет добиваться большой концентрации носителей в этой области, что ведет к повышению эффективности излучательной рекомбинации.

Энергия барьерных слоев обычно составляет ~ 102мэВ, что намного больше величины кТ. Тем не менее, некоторым носителям удается преодолеть этот потенциальный барьер и покинуть активную область. Концентрация таких носителей в барьерных слоях очень низка, поэтому квантовый выход излучения этих слоев тоже невысок.

» Читать запись: Потери носителей в двойных гетероструктурах

Вольтамперные характеристики светодиодов

October 24, 2011

В этой главе обсуждаются электрические свойства р-п-переходов. Основные соотношения приводятся без подробного вывода. Рассматриваются резкие р-п-переходы с концентрациями доноровNdи акцепторовNa– Все примеси считаются полностью ионизированными, т.е. концентрация свободных электронов n =ND, а концентрация свободных дырок р =NA.Предполагается, что случайные включения и дефекты не компенсируют специально введенные примеси.

» Читать запись: Вольтамперные характеристики светодиодов

Время нарастания и спада оптического сигнала при большой емкости светодиодов

October 21, 2011

В диодах, используемых для освещения, область инжекции носителей тока в р-тг-переход может быть очень большой. Иногда она может перекрывать площадь всего кристалла светодиода. Такие диоды характеризуются большой емкостью. Обозначим емкость диода как С, а полное сопротивление цепи, состоящей из сопротивления диода и последовательного сопротивления управляющей схемы какR.Времена нарастания и спада сигнала диода равны и определяются постоянной времени ЕС.

» Читать запись: Время нарастания и спада оптического сигнала при большой емкости светодиодов

Легирование активной области

August 23, 2011

Легирование активного и барьерных слоев двойных гетероструктур примесями соответствующих типов заметно отражается на эффективности светодиодов. Влияние легирования на величину внутреннего квантового выхода однозначно характеризовать невозможно. Сначала рассмотрим случай легирования активной области.

» Читать запись: Легирование активной области

Как и почему мы слышим звуки

July 20, 2010

Прежде чем перейти к ознакомлению с устройством радиоприемников, усилителей и других приборов, применяемых при радиовещании и радиосвязи, необходимо уяснить, что такое звук, как он возникает и распространяется, как устроены и работают микрофоны, познакомиться с устройством и работой громкоговорителей.
» Читать запись: Как и почему мы слышим звуки

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты