Записи с меткой ‘областей’

ВЛИЯНИЕ КОНТАКТНЫХ ОБЛАСТЕЙ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КВАНТОВОГО ПРОВОДА

January 27, 2013

Обухов И. А., Квяткевич И. И., Лавренчук А. А. Интерфейс – МФГ ул. Бардина, д. 4, корп. 3, г. Москва, 119334, Россия тел.: +7-(095)-105-00-49, 232-29-97, e-mail: obukhov@interface-mfg.ru

» Читать запись: ВЛИЯНИЕ КОНТАКТНЫХ ОБЛАСТЕЙ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КВАНТОВОГО ПРОВОДА

МОДЕЛИРОВАНИЕ РТД НА ОСНОВЕ GaAs/AIGaAs С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОДНОЗОННОЙ КОМБИНИРОВАННОЙ МОДЕЛИ

January 16, 2013

Абрамов И. И., Гончаренко И. А. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники П. Бровки 6, г. Минск, 220013, Беларусь e-mail: nanodev@bsuir.edu.by

Аннотация – С использованием комбинированной однозонной модели проведено исследование влияния концентрации примеси в приконтактных областях и формы барьеров на вольт-амперные характеристики резонанснотуннельных диодов на основе GaAs/AIGaAs.

» Читать запись: МОДЕЛИРОВАНИЕ РТД НА ОСНОВЕ GaAs/AIGaAs С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОДНОЗОННОЙ КОМБИНИРОВАННОЙ МОДЕЛИ

ВЛИЯНИЕ РАЗМЕРОВ ПРИКОНТАКТНЫХ ОБЛАСТЕЙ НА ВАХ РТД

July 24, 2012

Абрамов И. И., Гончаренко И. А.

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники Беларусь, 220013, Минск, П. Бровки 6. E-mail: nanodev@bsuir.edu.by

Все расчеты проводились для случая неравномерной сетки со следующими параметрами: минимальный шаг сетки 0.2 А, отношение между соседними шагами сетки 1.05, отношение максимального шага к минимальному не превышает 8.0. Для приведенной на рис.1 структуры при заданных параметрах число узлов сетки составляет 7605.

» Читать запись: ВЛИЯНИЕ РАЗМЕРОВ ПРИКОНТАКТНЫХ ОБЛАСТЕЙ НА ВАХ РТД

РАСЧЕТ ЭМПЛ С РАЗЛИЧНОМ КОНФИГУРАЦИЕЙ РЕЗИСТИВНЫХ ПЛЕНОК В ПОДЛОЖКЕ

March 30, 2012

Майстренко В. К., Рад ионов А. А., Светлов С. Н.

Нижегородский государственный технический университет ул. Минина, 24, Нижний Новгород – 603006, Россия e-mail: svetlovsn@mail.ru

Аннотация – В докладе описывается постановка задачи

» Читать запись: РАСЧЕТ ЭМПЛ С РАЗЛИЧНОМ КОНФИГУРАЦИЕЙ РЕЗИСТИВНЫХ ПЛЕНОК В ПОДЛОЖКЕ

Наилучший метод создания печатных плат для импульсных источников питания

October 20, 2011

Самый лучший метод создания компоновки печатной платы для импульсного источника питания аналогичен методу его электрического проектирования. Рассмотрим ход такого проектирования.

1.              Разместите трансформатор или индуктор.

» Читать запись: Наилучший метод создания печатных плат для импульсных источников питания

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты