Записи с меткой ‘областях’

МОДЕЛИРОВАНИЕ РТД НА ОСНОВЕ GaAs/AIGaAs С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОДНОЗОННОЙ КОМБИНИРОВАННОЙ МОДЕЛИ

January 16, 2013

Абрамов И. И., Гончаренко И. А. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники П. Бровки 6, г. Минск, 220013, Беларусь e-mail: nanodev@bsuir.edu.by

Аннотация – С использованием комбинированной однозонной модели проведено исследование влияния концентрации примеси в приконтактных областях и формы барьеров на вольт-амперные характеристики резонанснотуннельных диодов на основе GaAs/AIGaAs.

» Читать запись: МОДЕЛИРОВАНИЕ РТД НА ОСНОВЕ GaAs/AIGaAs С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОДНОЗОННОЙ КОМБИНИРОВАННОЙ МОДЕЛИ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты