Записи с меткой ‘образования’

Точечные дефекты – основы материаловедения

June 7, 2013

Точечный дефект — это нарушение кристаллической структуры, размеры которого во всех трех измерениях сравнимы с одним или несколькими межатомными расстояниями. Точечный дефект может иметь простую или сложную структуру.

Вакансия — это простейший структурный дефект, представляющий собой свободный узел решетки, который должен быть занят атомом или ионом в совершенном кристалле. Вакансии обозначаются VA, VB, … , где индексы A, B … указывают тип отсутствующего атома. Например, в GaAs VGa и VAs — вакансии Ga и As, соответственно. Образование вакансий сопровождается упругой деформацией решетки. Соседние с вакансией атомы сближаются, смещаясь в направлении центра пустого узла.

» Читать запись: Точечные дефекты – основы материаловедения

Экспериментальное  изучение  процессов зародышеобразования,  роста и совершенства эпитаксиальных пленок в зависимости от условий роста

May 26, 2013

Экспериментальное изучение процессов зародышеобразования, роста эпитаксиальных пленок и их качества в зависимости от условий выращивания сейчас проводится с помощью самой современной аппаратуры непосредственно в процессе конденсации. На основании этих исследований можно сделать выводы о местах преимущественной адсорбции атомов, изучить влияние загрязняющих газов на образование зародышей, оценить плотность, совершенство и ориентацию зародышей, а также количественно оценить Eдиф и Eдес.

» Читать запись: Экспериментальное  изучение  процессов зародышеобразования,  роста и совершенства эпитаксиальных пленок в зависимости от условий роста

Основные  закономерности  роста эпитаксиальных пленок при выращивании из  газообразной  фазы

May 21, 2013

В литературе принято разделять газообразные фазы на паровые и газовые. Паровой фазой называют газообразную фазу, состав которой совпадает с составом выращиваемого из нее нелегированного вещества или соединения. Газовой называют газообразную фазу, состав которой отличается от состава выращиваемого из нее нелегированного вещества или соединения.

» Читать запись: Основные  закономерности  роста эпитаксиальных пленок при выращивании из  газообразной  фазы

Полупроводниковые соединения других групп – основы материаловедения

May 14, 2013

Соединения AIVBVI

Из рассмотренных выше примеров может создаться неверное впечатление, что полупроводниковыми свойствами обладают только соединения с тетраэдрической или производной от нее координацией атомов. Соединения AIVBVI, к которым относятся халькогениды свинца, олова и германия, также обладают полупроводниковыми свойствами, хотя их структу

» Читать запись: Полупроводниковые соединения других групп – основы материаловедения

Соединения с резонансной связью – основы материаловедения

April 26, 2013

В соединениях первого типа наиболее электроотрицательный элемент IVA подгруппы играет роль компонента B. Рассмотрим этот тип замещения на примере соединения Mg2Sn. Mg2Sn кристаллизуется в структуре антифлюорита, которая показана на рис. 2.24. Видно, что эта структура отличается от структуры алмаза, а в молекуле два атома A и число валентных электронов в расчете на один атом меньше 4 (8/3 < 4). Тем не менее, Mg2Sn является полупроводником, а правила нормальных валентностей (K = 2; a = 2; L = 4; b = 1), Музера-Пирсона (ne = 8; NB = 1; NBB = 0) и остальные общие полупроводниковые закономерности выполняются.

» Читать запись: Соединения с резонансной связью – основы материаловедения

ОСОБЕННОСТИ МНОГОУРОВНЕВОЙ СИСТЕМЫ ОБРАЗОВАНИЯ В СОВРЕМЕННОМ ВУЗЕ И ИДЕИ БОЛОНСКОГО ПРОЦЕССА

February 23, 2013

Кравцова И. А. Криворожский государственный педагогический университет г. Кривой Рог, 50096, Украина тел.: 714967, e-mail: institut@paradise.net.ua

Аннотация – В статье рассматриваются вопросы становления многоуровневой структуры высшего профессионального образования которые требуют новых методических усилий, дополнительного кадрового обеспечения и целенаправленной финансовой поддержки.

» Читать запись: ОСОБЕННОСТИ МНОГОУРОВНЕВОЙ СИСТЕМЫ ОБРАЗОВАНИЯ В СОВРЕМЕННОМ ВУЗЕ И ИДЕИ БОЛОНСКОГО ПРОЦЕССА

ХАРАКТЕРИСТИКИ ВАКАНСИЙ В УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБКАХ И ФУЛЛЕРЕНАХ

February 13, 2013

Грядун в. и.

Запорожский национальный технический университет ул. Жуковского, 64, г. Запорожье, Украина, 69063 тел.: 0612-646733, e-mail: griadun@zntu.edu.ua

Аннотация – В рамках метода молекулярной механики ММ+ разработаны модели вакансий в углеродных нанот- рубках диаметрами 0,82 и 1,20 нм, а также в некоторых фуллеренах. Вакансии моделировались путём переноса атомов из соответствующих узлов наноструктуры на её поверхность. Для геометрической оптимизации полученных молекулярных моделей использовались алгоритмы наискорейшего спуска, блок-диагонали Ньютона – Рафсона и др. Энергия образования вакансий рассчитывалась расширенным методом Хюккеля, в котором наноструктура рассматривалась как молекула без спина и без учёта cl- орбиталей с константой Хюккеля равной 1,75. Для нанотрубок энергии образования вакансий оказались пропорциональными их размерам и составили 5,98 и 7,44 эВ, а для фуллеренов С20, СЗО, С60, С80, С180, С240 и С540 оказались равными: 2,91; 2,92; 9,20; 5,95; 8,09; 8,53 и 7,41 эВ, соответственно.

» Читать запись: ХАРАКТЕРИСТИКИ ВАКАНСИЙ В УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБКАХ И ФУЛЛЕРЕНАХ

к ВОПРОСУ ОБ ИНТЕНСИФИКАЦИИ РАЗЛИЧНЫХ СФЕР ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ В ВЫСШЕЙ ШКОЛЕ

February 2, 2013

^Байбаков Р. А., ^Лысенко Р. Б., ^Подгурецкий Ю.

^ Севастопольский национальный технический университет ^Институт педагогики Опольского университета (Польша) г. Севастополь, 99053, Украина тел.: 235168, e-mail: ped@sevgtu.sebastopol.ua

Аннотация – В статье рассмотрены теоретические и практические обоснования интенсификации различных сфер образовательной деятельности.

» Читать запись: к ВОПРОСУ ОБ ИНТЕНСИФИКАЦИИ РАЗЛИЧНЫХ СФЕР ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ В ВЫСШЕЙ ШКОЛЕ

СОВРЕМЕННЫЕ ТРЕБОВАНИЯ К СОДЕРЖАНИЮ ОБУЧЕНИЯ В КОНТЕКСТЕ БОЛОНСКОГО СОГЛАШЕНИЯ

January 22, 2013

Дмитриева В. Ф., Самойленко П. И. Московский государственный университет технологий и управления г. Москва, 105043, Россия тел.: 1689045, e-mail: gerishvlada26@mail.ru

Аннотация – В статье рассматриваются основные направления изменения системы высшего образования в контексте Болонского соглашения. В связи с этим отражаются их позитивные стороны и ставится ряд вопросов, объективно возникающих в ходе осмысления современных преобразований.

» Читать запись: СОВРЕМЕННЫЕ ТРЕБОВАНИЯ К СОДЕРЖАНИЮ ОБУЧЕНИЯ В КОНТЕКСТЕ БОЛОНСКОГО СОГЛАШЕНИЯ

МОДЕРНИЗАЦИЯ ВЫСШЕГО ПЕДАГОГИЧЕСКОГО ОБРАЗОВАНИЯ: ПРОБЛЕМЫ И РЕШЕНИЯ

January 17, 2013

Штельмах Г. Б. Криворожский государственный педагогический университет г. Кривой Рог, 50096, Украина тел.: 715734, e-mail: institut@paradise.net.ua

Аннотация – Раскрыты подходы к организации учебно- воспитательного процесса в высшем педагогическом учреждении на основе требований Болонского процесса.

» Читать запись: МОДЕРНИЗАЦИЯ ВЫСШЕГО ПЕДАГОГИЧЕСКОГО ОБРАЗОВАНИЯ: ПРОБЛЕМЫ И РЕШЕНИЯ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты