Записи с меткой ‘одноэлектронного’

ВЛИЯНИЕ ПОЛОЖЕНИЯ И РАЗМЕРА ЭЛЕКТРОДА ЗАТВОРА НА УСИЛИТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ОДНОЭЛЕКТРОННОГО ТРАНЗИСТОРА

July 25, 2012

Абрамов И. И., Игнатенко С. А. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники Беларусь, 220013, Минск, П. Бровки 6. E-mail: nanodev(3>_bsuir.edu.bv

Аннотация С использованием физико-топологической модели одноэлектронного транзистора проанализировано влияние положения и размера электрода затвора на его усилительные свойства. При расчетах за основу взяты экспериментальные данные для транзистора на основе туннельных переходов А1/АЮХ/А1.

» Читать запись: ВЛИЯНИЕ ПОЛОЖЕНИЯ И РАЗМЕРА ЭЛЕКТРОДА ЗАТВОРА НА УСИЛИТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ОДНОЭЛЕКТРОННОГО ТРАНЗИСТОРА

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты