Записи с меткой ‘параллельной’

Параллельная работа силовых полупроводниковых приборов с целью распределения мощной токовой нагрузки IGBT

September 12, 2013

А теперь возвратимся к разговору о параллельной работе силовых полупроводниковых приборов с целью распределения мощной токовой нагрузки между однотипными маломощными приборами, и выясним, насколько возможно реализовать стремление разработчиков к параллельному включению нескольких IGBT приборов? Можно ли обойтись без токовыравнивающих резисторов в эмиттерных цепях, как это делается в случае применения классических биполярных транзисторов? Ведущие мировые производители силовой элементной базы, в частности, такие как «International Rectifier», «Еирес» и другие, провели независимые подробные исследования режимов работы параллельно-включенных IGBT транзисторов и установили, что IGBT транзисторы более подвержены несимметрии токов при параллельной работе, чем транзисторы MOSFET. Однако в случае выполнения несложных схемотехнических и конструктивных мероприятий на этапе разработки преобразователей параллельно включенные IGBT гораздо лучше симметрируются, чем классические «биполярники», а поэтому их можно включать без токовыравнивающих сопротивлений в эмиттерных цепях.

» Читать запись: Параллельная работа силовых полупроводниковых приборов с целью распределения мощной токовой нагрузки IGBT

Широкополосные высокочастотные усилители

January 30, 2012

Существуют приложения, в которых нельзя воспользоваться техникой резонансных цепей, чтобы поднять усиление и одновременно «поглотить» паразитную емкость. Распространенный пример — это усилитель вертикального отклонения в осциллографе, который в общем случае должен иметь плоскую частотную характеристику от постоянного тока до 100 МГц. Другим примером является видеоусилитель, через который проходят сигналы телевизионного изображения и который должен иметь ширину полосы 6 МГц. В такого рода приложениях необходимо в каждом каскаде включить в цепь коллектора или стока резистивную нагрузку, и при этом возникают проблемы, связанные с паразитной емкостью (рис. 7.18), причем это происходит даже в том случае, когда в полной мере применены упомянутые выше приемы, позволяющие избежать эффекта Миллера. Паразитная выходная емкость С в комбинации с R будет вызывать значительное ослабление сигнала за счет уменьшения эффективного сопротивления нагрузки (здесь уместно отметить, что емкость 10 пФ на частоте 10 МГц имеет реактивное сопротивление лишь 1600 Ом).

» Читать запись: Широкополосные высокочастотные усилители

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты