После определения сигналов, характеризующих интенсивность и частоту звука, можно формировать сигналы, соответствующие ощущению, вызываемому ими или их изменениями.
Логарифмирование исходных сигналов, необходимое для моделирования закона Вебера — Фехнера, может производиться с помощью функционального преобразователя, показанного на рис. 5-7.
» Читать запись: Анализ некоторых параметров музыкального воздействия – основы светомузыки
Иерархический подход к сквозному статистическому анализу ТПСС иллюстрируется рис. 5.1 Нижний уровень — уровень технологии, который отражает параметры технологических операций. Параметр, который описывает некоторую характеристику технологического процесса, является параметром технологии, как, например, толщина окисла, уровень концентрации имплантированных ионов и т.д. Второй уровень — уровень прибора, который отражает характеристики приборов (элементной базы). Параметры этого уровня — это параметры модели, такие как, например, SPICE параметры модели МОП-транзистора. Третий уровень — это уровень схемы, который отражает характеристики схемы. Параметры этого уровня — характеристики схемы. Они связаны с параметрами приборов, которые используются при моделировании схемы. И, наконец, четвертый, верхний уровень — это уровень системы. Параметрами этого уровня являются характеристики системы. На этом уровне поведение системы описывается при помощи аппаратного языка, такого как, например, Verilog-AMS. Функционирование системы анализируется с использованием параметров схемы.
» Читать запись: Иерархический статистический анализ микросхем силовой электроники
По способу реализации процесса подгонки параметров различают электрическую подгонку параметров и подгонку с использованием лазера (табл. 3.5). При электрической подгонке возможно пережигание металлических перемычек (А1), диодных перемычек и поликремневых перемычек.
» Читать запись: Электрическая и лазерная подгонка параметров микросхем в процессе производства
Влияние разброса физических параметров технологического процесса изготовления ИМС на параметры модели транзистора моделируется с использованием так называемой промежуточной модели [105]. Концепция преобразования технологических параметров в параметры модели прибора иллюстрируется рис. 5.2. Здесь промежуточной моделью является компактная модель прибора, с помощью которой рассчитываются вольт-амперные характеристики МОП-транзистора, а ее уравнения имеют обычную структуру различных моделей транзистора (BSIM3, Level28, Level3 и т.д.). Процедура преобразования технологических параметров прибора заключается в следующем.
» Читать запись: Статистическое моделирование прибора – Полупроводниковая силовая электроника
Описываемая здесь методология сквозного статистического проектирования ТПСС, предложенная авторами в работах [106—109], тестировалась на простейшем примере ячейки инвертора, сформированном на основе МОП-транзисторов.
Статистический анализ параметров технологии
На основании данных (полученных с использованием RSM методологии), показывающих «отклик» выходных характеристик технологического маршрута формирования структуры η-МОП транзистора на флуктуации значимых технологических параметров, далее проводится статистический анализ электрических характеристик прибора — в обсуждаемом здесь примере — η-МОП транзистора.
» Читать запись: Статистический анализ параметров прибора (п-МОП транзистора)
Современное состояние микроэлектроники характеризуется неуклонным повышением сложности и стоимости разработки интегральных микросхем (ИМС), снижением их «времени жизни». Условия острой конкуренции на этом стремительно развивающемся рынке диктуют необходимость сокращения сроков проектирования и производственного освоения новых изделий.
» Читать запись: Статистический анализ и оптимизация параметров микросхем силовой электроники
Еще в 1960 году при проведении разработки осциллографа С1-12 уже упоминавшийся нами начальник отдела Московского НИИ 108 К.Э.Эрглис, неоднократно поднимал вопрос об их точностных характеристиках. Как правило, в осциллографах тех лет точность измерений по обеим осям, записанная в технические условия, составляла ±10%, в то время как существовала потребность в значительно более точных приборах.
» Читать запись: Развитие коллектива, развитие направлений 555 Часть 8
“Осциллографы электронно-лучевые, номенклатура параметров и общие технические требования”.
Разработчики: В.М.Левин и А.И.Федоренчик, Ю.М.Ярмоленко
“Осциллографы электронно-лучевые. Общие технические требования”. Разработчики: А.И.Федоренчик, А.Д.Семенюк.
В последние годы довольно распространенным прибором стали оптотиристоры ТО 125. Однако, несмотря на все их достоинства, они имеют и два существенных недостатка. Это ненадежность и нестабильность параметров встроенного в них светодиода. Возможно, его параметры плавают, потому что этот инфракрасный излучатель перегревается и/или теряет эмиссию вследствие большого протекающего через него тока. Вторым недостатком является цена. Все это побудило меня разработать простую схему их эквивалентного замещения. Первый и более простой вариант такой схемы изображен на рис. 1.