Записи с меткой ‘параметров’

Анализ некоторых параметров музыкального воздействия – основы светомузыки

August 13, 2015

После определения сигналов, характеризующих интенсивность и частоту звука, можно формировать сигналы, соответствующие ощущению, вызываемому ими или их изменениями.

Логарифмирование исходных сигналов, необходимое для моделирования закона Вебера — Фехнера, может производиться с помощью функционального преобразователя, показанного на рис. 5-7.

» Читать запись: Анализ некоторых параметров музыкального воздействия – основы светомузыки

Иерархический статистический анализ микросхем силовой электроники

April 28, 2015

Иерархический подход к сквозному статистическому анализу ТПСС иллюстрируется рис. 5.1 Нижний уровень — уровень технологии, который отражает параметры технологических операций. Параметр, который описывает некоторую характеристику технологического процесса, является параметром технологии, как, например, толщина окисла, уровень концентрации имплантированных ионов и т.д. Второй уровень — уровень прибора, который отражает характеристики приборов (элементной базы). Параметры этого уровня — это параметры модели, такие как, например, SPICE параметры модели МОП-транзистора. Третий уровень — это уровень схемы, который отражает характеристики схемы. Параметры этого уровня — характеристики схемы. Они связаны с параметрами приборов, которые используются при моделировании схемы. И, наконец, четвертый, верхний уровень — это уровень системы. Параметрами этого уровня являются характеристики системы. На этом уровне поведение системы описывается при помощи аппаратного языка, такого как, например, Verilog-AMS. Функционирование системы анализируется с использованием параметров схемы.

» Читать запись: Иерархический статистический анализ микросхем силовой электроники

Электрическая и лазерная подгонка параметров микросхем в процессе производства

April 7, 2015

По способу реализации процесса подгонки параметров различают электрическую подгонку параметров и подгонку с использованием лазера (табл. 3.5). При электрической подгонке возможно пережигание металлических перемычек (А1), диодных перемычек и поликремневых перемычек.

» Читать запись: Электрическая и лазерная подгонка параметров микросхем в процессе производства

Статистическое моделирование прибора – Полупроводниковая силовая электроника

April 3, 2015

Влияние разброса физических параметров технологического процесса изготовления ИМС на параметры модели транзистора моделируется с использованием так называемой промежуточной модели [105]. Концепция преобразования технологических параметров в параметры модели прибора иллюстрируется рис. 5.2. Здесь промежуточной моделью является компактная модель прибора, с помощью которой рассчитываются вольт-амперные характеристики МОП-транзистора, а ее уравнения имеют обычную структуру различных моделей транзистора (BSIM3, Level28, Level3 и т.д.). Процедура преобразования технологических параметров прибора заключается в следующем.

» Читать запись: Статистическое моделирование прибора – Полупроводниковая силовая электроника

Результаты проведения сквозного статистического анализа и оптимизации параметров типовой микросхемы силовой электроники

March 20, 2015

Описываемая здесь методология сквозного статистического проектирования ТПСС, предложенная авторами в работах [106—109], тестировалась на простейшем примере ячейки инвертора, сформированном на основе МОП-транзисторов.

Статистический анализ параметров технологии

» Читать запись: Результаты проведения сквозного статистического анализа и оптимизации параметров типовой микросхемы силовой электроники

Статистический анализ параметров прибора (п-МОП транзистора)

March 16, 2015

На основании данных (полученных с использованием RSM методологии), показывающих «отклик» выходных характеристик технологического маршрута формирования структуры η-МОП транзистора на флуктуации значимых технологических параметров, далее проводится статистический анализ электрических характеристик прибора — в обсуждаемом здесь примере — η-МОП транзистора.

» Читать запись: Статистический анализ параметров прибора (п-МОП транзистора)

Статистический анализ и оптимизация параметров микросхем силовой электроники

March 12, 2015

Современное состояние микроэлектроники характеризуется неуклонным повышением сложности и стоимости разработки интегральных микросхем (ИМС), снижением их «времени жизни». Условия острой конкуренции на этом стремительно развивающемся рынке диктуют необходимость сокращения сроков проектирования и производственного освоения новых изделий.

» Читать запись: Статистический анализ и оптимизация параметров микросхем силовой электроники

Развитие коллектива, развитие направлений  555 Часть 8

February 24, 2015

Еще в 1960 году при проведении разработки осциллографа С1-12 уже упоминавшийся нами начальник отдела Московского НИИ 108 К.Э.Эрглис, неоднократно поднимал вопрос об их точностных характеристиках. Как правило, в осциллографах тех лет точность измерений по обеим осям, записанная в технические условия, составляла ±10%, в то время как существовала потребность в значительно более точных приборах.

» Читать запись: Развитие коллектива, развитие направлений  555 Часть 8

Титульные листы государственных стандартов в области осциллографии, разработанных во ВНИИРИПе

February 2, 2015

ГОСТ 9810-69

“Осциллографы электронно-лучевые, номенклатура параметров и общие технические требования”.

Разработчики: В.М.Левин и А.И.Федоренчик, Ю.М.Ярмоленко

ГОСТ 22737-77

“Осциллографы    электронно-лучевые.    Общие    технические требования”. Разработчики: А.И.Федоренчик, А.Д.Семенюк.

» Читать запись: Титульные листы государственных стандартов в области осциллографии, разработанных во ВНИИРИПе

Замена оптотиристора Т0125

November 21, 2013

В последние годы довольно распространенным прибором стали оптотиристоры ТО 125. Однако, несмотря на все их достоинства, они имеют и два существенных недостатка. Это ненадежность и нестабильность параметров встроенного в них светодиода. Возможно, его параметры плавают, потому что этот инфракрасный излучатель перегревается и/или теряет эмиссию вследствие большого протекающего через него тока. Вторым недостатком является цена. Все это побудило меня разработать простую схему их эквивалентного замещения. Первый и более простой вариант такой схемы изображен на рис. 1.

» Читать запись: Замена оптотиристора Т0125

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты