Записи с меткой ‘параметры’

Статистическое моделирование прибора – Полупроводниковая силовая электроника

April 3, 2015

Влияние разброса физических параметров технологического процесса изготовления ИМС на параметры модели транзистора моделируется с использованием так называемой промежуточной модели [105]. Концепция преобразования технологических параметров в параметры модели прибора иллюстрируется рис. 5.2. Здесь промежуточной моделью является компактная модель прибора, с помощью которой рассчитываются вольт-амперные характеристики МОП-транзистора, а ее уравнения имеют обычную структуру различных моделей транзистора (BSIM3, Level28, Level3 и т.д.). Процедура преобразования технологических параметров прибора заключается в следующем.

» Читать запись: Статистическое моделирование прибора – Полупроводниковая силовая электроника

Простые правила работы с готовым устройством – для новичков в радиоделе

May 1, 2014

Не забывайте, что усилитель, о котором идёт речь, мы намерены использовать в качестве прибора Поэтому работать с ним следует так же, как и с другими приборами Как при использовании мультиметра следует начинать измерения с верхних пределов, постепенно повышая чувствительность, так и усилитель следует до начала измерений переключать на самую низкую чувствительность

» Читать запись: Простые правила работы с готовым устройством – для новичков в радиоделе

Приёмник для схем связи для МК – для новичков в радиоделе

April 30, 2014

В качестве приёмника для эксперимента по передаче данных я предполагаю использовать простую схему

» Читать запись: Приёмник для схем связи для МК – для новичков в радиоделе

Дефекты в полупроводниковых материалах

May 18, 2013

Все природные и синтезированные монокристаллы и в еще большей степени кристаллиты поликристаллов отличаются от идеальных тем, что содержат различные нарушения структуры кристалла. Нарушения идеальной трансляционной симметрии кристалла называются структурными дефектами. Дефекты оказывают существенное влияние на многие параметры твердых тел. К таким параметрам относятся электропроводность, фотопроводимость, теплопроводность, скорость диффузии, магнетизм, твердость, прочность и пластичность, плотность и т. д. Зависимость этих параметров твердого тела от дефектов может оказаться настолько велика, что в итоге они будут определяться не столько исходной структурой материала, сколько типом и числом дефектов в нем. Параметров, не чувствительных к структурным дефектам, строго говоря, нет, но практически такие параметры, как температура плавления, диэлектрическая проницаемость, парамагнитные и диамагнитные характеристики, упругие модули, можно отнести к параметрам, менее чувствительным к дефектам.

» Читать запись: Дефекты в полупроводниковых материалах

МОНОЛИТНЫЕ МАЛОШУМЯЩИЕ УСИЛИТЕЛИ Х-ДИАПАЗОНА

January 4, 2013

Крутов А. В., Ребров А. С. ФГУП НПП «Исток» ул. Вокзальная, 2а, г. Фрязино, 141190, Россия тел.: (095) 465-86-93, факс: (095) 465-86-86, e-mail: cd1255@elnet.msk.ru

Аннотация – Представлены результаты разработки и практической реализации двух типов монолитного малошумящего усилителя 3-х сантиметрового диапазона. Рассмотрена конструкция и технология изготовления, приведены измеренные СВЧ параметры.

» Читать запись: МОНОЛИТНЫЕ МАЛОШУМЯЩИЕ УСИЛИТЕЛИ Х-ДИАПАЗОНА

Простой FM-приемник 88-108 мГц

October 18, 2012

Параметры:

Диапазон частот: 88-108 мГц

Чувствительность: 6 мкВ

Ток потребления: 10 мА

» Читать запись: Простой FM-приемник 88-108 мГц

Радиолампы – история, обозначение, цоколевка типовых ламп

October 17, 2012

   В данной публикации описаны обозначение и цоколевка: триод, двойной триод, лучевой тетрод, индикатор настройки, пентод, гептод, двойной диод-триод, триод-пентод, триод-гептод, кенотрон.

   Немножко истории

» Читать запись: Радиолампы – история, обозначение, цоколевка типовых ламп

Усилитель на ТВА820М (3-16В, 2Вт)

October 11, 2012

   Применяется в малогабаритной, переносной звуковой аппаратуре. Особенности:

   • низкое напряжение питания и ток потребления;

   • небольшое число необходимых внешних элементов;

» Читать запись: Усилитель на ТВА820М (3-16В, 2Вт)

Усилитель 2×22 Вт на TDA7265

October 7, 2012

   Мощный двухканальный Hi-Fi усилитель, предназначенный для высо кокачественной стереоаппаратуры, Hi-Fi музыкальных центров и теле визоров.

   Особенности:

   • широкий диапазон напряжения питания;

» Читать запись: Усилитель 2×22 Вт на TDA7265

Усилитель на TDA7236 (2-18В, 800мВт)

September 23, 2012

   Интегральная схема выполнена в корпусе MINIDIP(4+4). Применяется в переносной радиоаппаратуре, звукозаписывающих устройствах, музыкальных плеерах, телевизорах и т.д.

   Предельные параметры микросхемы приведены в табл. 5.8. Основные технические характеристики представлены в табл. 5.9. Типовая схема включения изображена на рис. 5.14. Изображение печатной платы приведено на рис. 5.15. Схема расположения элементов на плате изображена на рис. 5.16.

» Читать запись: Усилитель на TDA7236 (2-18В, 800мВт)

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты