Записи с меткой ‘переключения’

Применение логических элементов – Цифровая техника – ЧАСТЬ 1

May 26, 2015

Логический элемент — один из самых многофункциональных разновидностей цифровых микросхем. Помимо своих прямых обязанностей (логические операции с двоичными числами), способны выполнять множество других функций, которые не «по зубам» более сложным микросхемам: генерировать, задерживать и распределять импульсы, согласовывать уровни, управлять источниками сигнала или нагрузками. Благодаря такой универсальности область применения логических элементов очень широка, практически ни одна более-менее сложная схема не обходится без подобных микросхем. Схем на основе логических элементов известно довольно много.

» Читать запись: Применение логических элементов – Цифровая техника – ЧАСТЬ 1

ДИНИСТОРЫ, ИХ АНАЛОГИ И ТИРИСТОРЫ – СДЕЛАЙ САМ

June 12, 2014

Наряду с приборами, предназначенными для линейного усиления сигналов, в электронике, в вычислительной технике и особенно в автоматике широкое применение находят приборы с падающим участком вольт-амперной характеристики. Эти приборы чаще всего выполняют функции электронного ключа и имеют два состояния: закрытое, характеризующееся высоким сопротивлением; и открытое, характеризующееся минимальным сопротивлением.

» Читать запись: ДИНИСТОРЫ, ИХ АНАЛОГИ И ТИРИСТОРЫ – СДЕЛАЙ САМ

Методы проверки интегральных коммутаторов и ключей

October 28, 2013

Основной способ контроля работоспособности ИС – проверка выполнения главных функций. Если микросхема их не выполняет, ее нельзя считать работоспособной.

Конечно, такое решение принимается тогда, когда вы измерили все напряжения, поступающие на схему, проконтролировали правильность подключения заземления (как указано в главе 1), а также убедились в исправности всех внешних компонентов, в особенности проводных соединений. После проверки основных функций измеряются параметры интегральной схемы. Далее описываются наиболее важные параметры интегральных коммутаторов и ключей, а также способы их измерений.

» Читать запись: Методы проверки интегральных коммутаторов и ключей

Меры по защите силовых транзисторов от теплового пробоя

September 2, 2013

При разработке силовых схем статических преобразователей первостепенными являются меры по защите силовых транзисторов от теплового пробоя. Поскольку полевые транзисторы MOSFET не имеют вторичного пробоя, в расчетах тепловых режимов вполне можно руководствоваться значениями максимальной температуры и максимальной рассеиваемой мощности. Полная мощность, выделяющаяся на транзисторе в режиме его переключения, определяется из выражения:

» Читать запись: Меры по защите силовых транзисторов от теплового пробоя

Мостовая схема, работающая в заданном временном интервале

September 2, 2013

На рис. 4.22 показана мостовая схема, которая работает в течение заданного промежутка времени и удобна при измерении емкостей. Если ключ замкнут, то на выходе компаратора присутствует напряжение высокого уровня. Если ключ находится в разомкнутом состоянии, то емкость Сх заряжается. Когда потенциал на емкости превысит пороговое значение напряжения, установленного для неинвертирующего входа компаратора, выход переключается в состояние с низким уровнем напряжения. Время, которое проходит с момента размыкания ключа до переключения компаратора, пропорционально значению емкости конденсатора Сх. Схема нечувствительна к изменениям питания и частоте повторения импульсов и может обеспечить достаточно высокую точность работы, если постоянная времени заряда емкости остается намного большей, чем задержки срабатывания компаратора и ключа Задержка срабатывания ИС LT1011 составляет примерно 200 нс, для ИС LTC201A – 450 нс. Тогда, чтобы обеспечить точность 1%, постоянная времени цепи, содержащей конденсатор Схи последовательно включенный резистор, должна быть не меньше 65 мкс. Если емкость конденсатора слишком мала, может быть заметно влияние накопления заряда переключения. В этом случае переключение должно выполняться путем попеременной подачи на мостовую схему напряжения питания с уровнями 0 и +15 В. (См. «Linear Technology», Application Note 43, p. 27.)

» Читать запись: Мостовая схема, работающая в заданном временном интервале

Динамические характеристики транзисторов IGBT

August 27, 2013

Динамические характеристики транзисторов IGBT, как мы уже говорили, «закладываются» на этапе их изготовления. Конечно, в технической документации имеются данные о величине заряда затвора транзисторов IGBT, обозначаемого как Qgy и эта величина пригодится для проектирования схемы управления (драйвера), или его выбора из имеющихся на рынке готовых вариантов. Но однозначно использовать величину заряда затвора для оценки потерь переключения по методике, приведенной в рассказе о транзисторах MOSFET, для транзисторов IGBT нельзя. Такая ситуация складывается потому, что транзистор IGBT имеет сложную внутреннюю структуру, а также сложный характер выключения с «токовым хвостом».

» Читать запись: Динамические характеристики транзисторов IGBT

Преобразователи напряжения понижающего типа в силовой электронике

August 12, 2013

Дополнение схемы, приведенной на Рис. 13.1, дросселем, IGBT-транзистором и обратноходовым диодом позволяет получить схему преобразователя напряжения понижающего типа (Рис. 13.3). Когда IGBT-транзисmop включен, ток через дроссель и нагрузку возрастает. Когда IGBT-транзистор выключается, ток через нагрузку замыкается через цепь, включающую дроссель и обратноходовой диод. Амплитуда пульсаций напряжения на нагрузке зависит от частоты переключения IGBT-транзистоpa и индуктивности дросселя.

» Читать запись: Преобразователи напряжения понижающего типа в силовой электронике

Преобразователь напряжения (5В в 8.5В)

September 22, 2012

   В цифровых схемах на ТТЛ, работающих с простыми первичными датчиками – резистивными преобразователями сопротивление/напряжение, для стабильной работы необходимо повышенное (относительно +5 В) питание для датчиков. В таком случае возрастает чувствительность схемы на ТТЛ и удается ограничиться простым схемным решением. Под первичными датчиками, преобразующими в зависимости от внешних воздействий сопротивление в напряжение, следует понимать фоторезисторы, терморезисторы, датчики давления и другие приборы. Как правило, цифровые схемы защищены от пульсаций питающего напряжения (это достигается применением качественных источников питания), благодаря чему удается обеспечить точность работы устройства. Для повышения напряжения относительно базового подходит следующая схема (рис. 2.12).

» Читать запись: Преобразователь напряжения (5В в 8.5В)

Регулятор частоты вращения низковольтных коллекторных двигателей (КР1006ВИ1)

September 6, 2012

   Для плавной регулировки частоты вращения коллекторных электродвигателей, применяемых в электрооборудовании автомобилей, предлагается изготовить из недорогих и доступных деталей простое малогабаритное устройство, способное работать с 12-вольтовыми двигателями электрической мощностью до 80…100 Вт.

» Читать запись: Регулятор частоты вращения низковольтных коллекторных двигателей (КР1006ВИ1)

СЕМЕЙСТВО ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ДРЕЙФОВЫХ ДИОДОВ ДЛЯ ГЕНЕРАЦИИ ИМПУЛЬСНЫХ СИГНАЛОВ ПИКОСЕКУНДНОЙ ДЛИТЕЛЬНОСТИ

June 20, 2012

Козлов В. А., Смирнова И. А., Морякова С. А., Кардо-Сысоев А. Ф. Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН ул. Политехническая, 26, Санкт-Петербург 194021, Россия Тел.: (812) 2479972; e-mail: irina.smirnova@mail.ioffe.ru

Аннотация Изготовлены и исследованы дрейфовые диоды с резким восстановлением, обладающие быстродействием -100 пс и временной стабильностью момента переключения ~10 пс. Диоды предназначены для генерации мощных пикосекундных импульсных сигналов, используемых в технике сверхширокополосной беспроводной связи, радиолокации, навигации и дистанционного зондирования.

» Читать запись: СЕМЕЙСТВО ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ДРЕЙФОВЫХ ДИОДОВ ДЛЯ ГЕНЕРАЦИИ ИМПУЛЬСНЫХ СИГНАЛОВ ПИКОСЕКУНДНОЙ ДЛИТЕЛЬНОСТИ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты