Транзистор является трехэлектродным полупроводниковым прибором. Его основой (базой), как и у полупро-водникового диода, которому был посвящен третий практикум, служит пластинка полупроводника, но в объеме этого полупроводника искусственно созданы две противоположные ему по – электропроводности области (рис. 26). Пластинка полупроводника и две области в ней образуют два р-n перехода. Если две крайние области обладают электропроводностью R-типа, а пластинка электропроводностью n-типа, такой транзистор имеет структуру р-n-р (рис. 26, а). Если, наоборот, электропроводность крайних областей «-типа, а пластинки р-типа, такой транзистор имеет структуру n-р-n (рис. 26, б).
» Читать запись: Транзистор – усилительный элемент