Записи с меткой ‘переход’

Биполярный транзистор – Полупроводниковая силовая электроника

May 8, 2015

Биполярный транзистор — это полупроводниковый прибор, изготовленный в виде трехслойной полупроводниковой структуры, образующей два близко расположенных р-п-перехода. Транзистор имеет три вывода: «эмиттер», «база», «коллектор».

» Читать запись: Биполярный транзистор – Полупроводниковая силовая электроника

Транзистор – усилительный элемент

September 5, 2012

    
   

   Транзистор является трехэлектродным полупроводни­ковым прибором. Его основой (базой), как и у полупро-водникового диода, которому был посвящен третий прак­тикум, служит пластинка полупроводника, но в объеме этого полупроводника искусственно созданы две проти­воположные ему по – электропроводности области (рис. 26). Пластинка полупроводника и две области в ней образуют два р-n перехода. Если две крайние области обладают электропроводностью R-типа, а пластинка электропроводностью n-типа, такой транзистор имеет структуру р-n(рис. 26, а). Если, наоборот, электро­проводность крайних областей «-типа, а пластинки — р-типа, такой транзистор имеет структуру n-р-n (рис. 26, б).

» Читать запись: Транзистор – усилительный элемент

Транзистор

December 31, 2011

Биполярный транзистор состоит из двух /?-«-переходов, образованных слоями полупроводников с примесями. На рис. 1.13 показана самая простая конструкция «-p-n-транзистора. Тонкий слой слабо легированного полупроводника р-типа (база) расположен между двумя более толстыми слоями р-типа (эмиттер и коллектор). Толщина базы может быть меньше 1 мк.

» Читать запись: Транзистор

Смещенный р-n-переход

December 26, 2011

Если к p-n-переходу подключен внешний источник постоянного напряжения, то потенциальный барьер обедненного слоя увеличивается или уменьшается в зависимости от полярности поданного напряжения или смеше-

» Читать запись: Смещенный р-n-переход

Ручное лучевое ружье на базе полупроводникового диодного лазера – ЧАСТЬ 1

November 14, 2011

Данный проект обеспечивает очень большую отдачу для экспериментатора, работающего с лазером, поскольку результатом его усилий является инструмент, который позволяет прожигать и резать различные материалы (рис. 9.1).


» Читать запись: Ручное лучевое ружье на базе полупроводникового диодного лазера – ЧАСТЬ 1

Биполярные транзисторы полное описание

May 24, 2011
Оглавление
Характеристики биполярного транзистора

Страница 1 из 2

 

 
» Читать запись: Биполярные транзисторы полное описание

Динисторы

May 11, 2011

Итак, мы познакомились с двумя типами полупроводниковых приборов: диодами, содержащими один электронно-дырочный переход, и биполярными транзисторами, имеющими два ЭДП. Особую группу составляют полупроводниковые приборы с тремя и более ЭДП, используемые в качестве электронных переключателей. В зависимости от числа наружных выводов различают двухэлектродный тиристор, или динистор, и трехэлектродный — тринистор.

» Читать запись: Динисторы

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты