Записи с меткой ‘переходов’

МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ РАЗМЕРОВ ОСТРОВКОВ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ МАТРИЦ ТУННЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ НА СТОКОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

February 19, 2013

Абрамов И. И., Лавринович А. М. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники П. Бровки 6, Минск, 220013, Беларусь E-mail: nanodev@bsuir.edu.by

Аннотация – Описаны результаты моделирования одноэлектронных матриц туннельных переходов с различным количеством островков с использованием разработанной физико-топологической модели.

» Читать запись: МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ РАЗМЕРОВ ОСТРОВКОВ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ МАТРИЦ ТУННЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ НА СТОКОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

о НАДЁЖНОСТИ ПРИКЛАДНОГО УРОВНЯ с УЧЁТОМ возможности РЕКОНФИГУРАЦИИ СЕТИ MPLS

January 30, 2013

Аннотация – произведён расчёт надёжности прикладного уровня сети MPLS (Multiprotocol Label Switching) на основе аппарата полумарковских процессов, с учётом возможности реконфигурации и фазового укрупнения сети в целом.

I.                                       Введение

» Читать запись: о НАДЁЖНОСТИ ПРИКЛАДНОГО УРОВНЯ с УЧЁТОМ возможности РЕКОНФИГУРАЦИИ СЕТИ MPLS

ФИЗИКО-ТОПОЛОГИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ МАТРИЦ ТУННЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ

August 1, 2012

Абрамов И.И., Игнатенко С.А. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники Беларусь, 220013, Минск, П. Бровки 6. E-mail: nanodev(3>_bsuir.edu.bv

ного перехода; e заряд электрона; kB постоянная Больцмана; T -температура.

» Читать запись: ФИЗИКО-ТОПОЛОГИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ МАТРИЦ ТУННЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ

РАСЧЕТ СТРУКТУР РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДОВ ДЛЯ СУБГАРМОНИЧЕСКИХ СМЕСИТЕЛЕЙ

June 19, 2012

Алкеев Н. А.

Институт Радиотехники и Электроники РАН 141190, Россия, Московская обл. г. Фрязино, пр. Введенского, 1 Fax: (095) 2032406, e-mail: alkeev@ms.ire.rssi.ru Голант Е. И., Пашковский А. Б.

Федеральное государственное унитарное предприятие НПП «Исток» 141190, Россия, Московская обл. г. Фрязино, Вокзальная 2а Fax: (095) 4658620, e-mail: eugenegolant@mail.ru

» Читать запись: РАСЧЕТ СТРУКТУР РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДОВ ДЛЯ СУБГАРМОНИЧЕСКИХ СМЕСИТЕЛЕЙ

ВЛИЯНИЕ ПОПЕРЕЧНЫХ РАЗМЕРОВ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ОДНОЭЛЕКТРОННОГО ТРАНЗИСТОРА

May 16, 2012

Абрамов И. И., Игнатенко С. А., Павленок С. Н. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники Беларусь, 220013, Минск, П. Бровки 6

» Читать запись: ВЛИЯНИЕ ПОПЕРЕЧНЫХ РАЗМЕРОВ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ОДНОЭЛЕКТРОННОГО ТРАНЗИСТОРА

Синхронные счетчики

January 22, 2012

Все счетчики, рассмотренные до сих пор, состояли из последовательно переключаемых триггеров, где в каждом разряде на вход CP поступает сигнал с выхода предыдущего разряда. Такая простая конструкция с последовательным переносом удовлетворяет всем основным требованиям, предъявляемым к процедуре счета, но в ней проявляется несогласованность во времени, обусловленная конечным временем переходного процесса в логических схемах, которое зависит от числа последовательно происходящих переходов; триггеры не переключаются вместе. Поэтому такие счетчики называются асинхронными; тактовый сигнал не может переключать все триггеры одновременно. Типичное время распространения через четыре каскада составляет около 70 не, и это может привести к ложным выбросам, если дешифрованные сигналы с выходов счетчика используются в качестве тактовых импульсов для других схем.

» Читать запись: Синхронные счетчики

Модель Эйнштейна

November 1, 2011

Первая теория оптических переходов была разработана Альбертом Эйнштейном. основана на описании спонтанных и вынужденных (индуцированных) переходов. Спонтанные переходы протекают без внешних воздействий, тогда как вынужденные переходы индуцируются фотонами. Поэтому количество вынужденных переходов пропорционально плотности фотонов или плотности излучения.

» Читать запись: Модель Эйнштейна

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты