Записи с меткой ‘physical’

МОДЕЛИРОВАНИЕ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФИЗИКОТОПОЛОГИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ

January 31, 2013

Абрамов И. И., Баранов А. Л. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники П. Бровки 6., г. Минск, 220013, Беларусь e-mail: nanodev@bsuir.edu.by

Для теоретического исследования одноэлектронной приборной структуры, изображенной на рис.1, была разработана модифицированная физикотопологическая модель, распространяющая предложенный подход [2,4 – 10] на случай композиционной структуры на основе кремния. Модель базируется на численном решении уравнения Пуассона и «основного уравнения» ( «master equation« ) одноэлектро- ники [2] для рассматриваемого случая (рис.1).

» Читать запись: МОДЕЛИРОВАНИЕ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФИЗИКОТОПОЛОГИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты