Записи с меткой ‘пленки’

КМОП технология изготовления ИМС силовой электроники

May 10, 2015

Рассмотрим двенадцативольтовую КМОП технологию изготовления кристаллов ИМС стабилизаторов напряжения. В дополнение к обычной КМОП технологии для ИМС силовой электроники необходимо создать пМОП транзистор со встроенным каналом для получения температуронезависимого источника опорного напряжения. Кроме того, чтобы обеспечить преимущество КМОП технологии перед биполярными, необходимо создать высокоомные резисторы с удельным сопротивлением порядка 10 кОм/кв.

» Читать запись: КМОП технология изготовления ИМС силовой электроники

Основные  закономерности  роста эпитаксиальных пленок при выращивании из  газообразной  фазы

May 21, 2013

В литературе принято разделять газообразные фазы на паровые и газовые. Паровой фазой называют газообразную фазу, состав которой совпадает с составом выращиваемого из нее нелегированного вещества или соединения. Газовой называют газообразную фазу, состав которой отличается от состава выращиваемого из нее нелегированного вещества или соединения.

» Читать запись: Основные  закономерности  роста эпитаксиальных пленок при выращивании из  газообразной  фазы

Эпитаксия – основы материаловедения

May 17, 2013

Слово эпитаксия состоит из двух греческих слов: «эпи» — «над» и «таксис» — «упорядочивание». Поэтому термин эпитаксия означает наращивание кристаллографически ориентированных монокристаллических слоев на монокристаллические подложки или друг на друга. Монокристаллическая подложка в процессе выращивания играет роль затравочного кристалла.

» Читать запись: Эпитаксия – основы материаловедения

Жидкостная эпитаксия – основы материаловедения

May 16, 2013

Метод жидкостной эпитаксии по своей сути ничем не отличается от метода выращивания объемных монокристаллов из растворов, который уже подробно рассматривался (см. гл. 6). Основным преимуществом метода жидкостной эпитаксии является то, что рост эпитаксиальной пленки происходит при температурах более низких, чем температура плавления исходного вещества. Разберем подробнее этот метод выращивания эпитаксиальных пленок на примере системы Ge–In. Для этого рассмотрим диаграмму состояния системы Ge–In со стороны In. Температура плавления индия значительно ниже, чем у Ge (рис. 9.6), поэтому он и используется в качестве растворителя. Из диаграммы следует, что, меняя процентное содержание индия в сплаве Ge–In в соответствии с линией ликвидуса, можно менять температуру кристаллизации сплава. При охлаждении жидкой фазы вдоль линии 1 при температуре 400◦C (точка пересечения с линией ликвидуса) раствор переходит в пересыщенное

» Читать запись: Жидкостная эпитаксия – основы материаловедения

КВАЗИОПТИЧЕСКИЕ СМЕСИТЕЛИ ТЕРАГЕРЦОВОГО ДИАПАЗОНА НА ЭФФЕКТЕ РАЗОГРЕВА ЭЛЕКТРОНОВ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ NbN

February 25, 2013

Вахтомин Ю.Б., Антипов С.В., Масленников С.Н., Смирнов К.В., Поляков С.Л., Чжан В., Свечников С.И., Каурова Н.С., Гришина Е.В., Воронов Б.М. и ГН. Гольцман Г.Н. Московский педагогический государственный университет ул. М. Пироговская, д. 1, г. Москва, 119992, Россия тел.: 495-2461202, e-mail: vachtomin@mail.ru

» Читать запись: КВАЗИОПТИЧЕСКИЕ СМЕСИТЕЛИ ТЕРАГЕРЦОВОГО ДИАПАЗОНА НА ЭФФЕКТЕ РАЗОГРЕВА ЭЛЕКТРОНОВ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ NbN

ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ а-С: Н, ПОЛУЧЕННЫХ ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ГИБРИДНОЙ ИНДУКТИВНО-ЕМКОСТНОЙ СИСТЕМЫ

February 20, 2013

Толстых п. В.^’, Козлова Е. И.^’, Азарко И. И.^’, Пуховой А. А.^’, Бук Физический факультет БП/ пр. Независимости, 4, г. Минск, 220050, Беларусь ^^Лаборатория тонких плёнок. Кафедра физики. Университет Дуйсбург-Эссен ул. Университетская, 2-5, г. Эссен, D45117, Германия

» Читать запись: ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ а-С: Н, ПОЛУЧЕННЫХ ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ГИБРИДНОЙ ИНДУКТИВНО-ЕМКОСТНОЙ СИСТЕМЫ

ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТНЫХ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ ПЛЕНОК Со НА СКАНИРУЮЩЕМ СПЕКТРОМЕТРЕ ФЕРРОМАГНИТНОГО РЕЗОНАНСА

January 18, 2013

Беляев Б. А., Кипарисов С. Я., Скоморохов Г. В. Институт Физики им. Л. В. Киренского СО РАН, Академгородок, Красноярск, 660036, Россия Тел.: 3912-494591; e-mail: belyaev@iph.krasn.ru

Аннотация – Методом ферромагнитного резонанса исследовано влияние различных технологических условий на неоднородности основных магнитных характеристик тонких пленок Со, полученных химическим осаждением. Показаны возможности существенного увеличения магнитной проницаемости аморфных пленок на сверхвысоких частотах.

» Читать запись: ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТНЫХ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ ПЛЕНОК Со НА СКАНИРУЮЩЕМ СПЕКТРОМЕТРЕ ФЕРРОМАГНИТНОГО РЕЗОНАНСА

МЕТОД ФОРМИРОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МЕМБРАН

July 18, 2012

А.                              И. Демченко, С. В. Корякин, Н. И. Завадская, Э. В. Лобко УП “Минский НИИ радиоматериалов” ул. Кижеватова, 86, Минск-220024, Беларусь тел.: 017-2782305, e-mail: irma(cbinfonet.bv

Аннотация Приведены результаты исследования корректировки механических напряжений в диэлектрической мембране Si3N4Si02Si3N4. Метод корректировки заключается в ионно-лучевом травлении пленки нитрида кремния или пленки оксида кремния в зависимости от преимущественного прогиба мембраны в планарную или обратную сторону. Разработанная диэлектрическая система может использоваться в широком классе мембранных датчиков.

» Читать запись: МЕТОД ФОРМИРОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МЕМБРАН

ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ПОМОЩЬЮ МИЛЛИМЕТРОВЫХ волн

May 4, 2012

Любченко В. Е., Мериакри В. В., Чигряй Е. Е. Институт радиотехники и электроники Российской Академии наук (ИРЭ РАН) Пл. Введенского, 1, Фрязино – 141190, Московская область, Россия Тел.: 7 (095) 5269266, e-mail: meriakri@ms.ire.rssi.ru

Аннотация – Описана методика измерения комплексного коэффициента преломления тонких полупроводниковых пленок на подложках из высокоомных полупроводников с помощью миллиметровых волн.

» Читать запись: ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ПОМОЩЬЮ МИЛЛИМЕТРОВЫХ волн

ФОРМИРОВАНИЕ ПРОВОДЯЩИХ НАНОСТРУКТУР В ВЫСОКООМНЫХ АЛМАЗОПОДОБНЫХ ПЛЕНКАХ С ПОМОЩЬЮ СЗМ-ЛИТОГРАФА

April 19, 2012

Фролов В. Д., Конов В. И., Пименов С. М., Заведеев Е. В.

Центр естественно-научных исследований Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН ул. Вавилова, д. 38, Москва – 119991, Россия Тел.: +7 (095) 1326498; e-mail: frolov@ran.gpi.ru

Аннотация – Высокоомные гидрогенизированные алмазоподобные углеродные (АПУ) а-С:Н пленки были испытаны на предмет наномасштабных модификаций под действием импульсов электрического поля, индуцированного между образцом и проводящим кантилввером сканирующего зондового микроскопа (СЗМ) – литографа. Установлено, что геометрические и электрические параметры сформированных нано-объектов существенно зависят от формы импульса. Нано-канавки с высоко проводящим дном воспроизводимо формируются в пленке под действием биполярных импульсов напряжения. В противном случае воздействия приводят к образованию слабо проводящих нановыступов. Обсуждаются возможные применения полученных углеродных наноструктрур в наноэлектронике.

» Читать запись: ФОРМИРОВАНИЕ ПРОВОДЯЩИХ НАНОСТРУКТУР В ВЫСОКООМНЫХ АЛМАЗОПОДОБНЫХ ПЛЕНКАХ С ПОМОЩЬЮ СЗМ-ЛИТОГРАФА

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты