Записи с меткой ‘пленок’

Причины образования структурных дефектов

June 2, 2013

Одной из важнейших практических задач при выращивании эпитаксиальных монокристаллических пленок является выяснение причин образования дефектов. Большая часть исследований посвящена изучению различных стадий роста эпитаксиальных пленок с целью нахождения способов, позволяющих снизить число дефектов в них.

» Читать запись: Причины образования структурных дефектов

Экспериментальное  изучение  процессов зародышеобразования,  роста и совершенства эпитаксиальных пленок в зависимости от условий роста

May 26, 2013

Экспериментальное изучение процессов зародышеобразования, роста эпитаксиальных пленок и их качества в зависимости от условий выращивания сейчас проводится с помощью самой современной аппаратуры непосредственно в процессе конденсации. На основании этих исследований можно сделать выводы о местах преимущественной адсорбции атомов, изучить влияние загрязняющих газов на образование зародышей, оценить плотность, совершенство и ориентацию зародышей, а также количественно оценить Eдиф и Eдес.

» Читать запись: Экспериментальное  изучение  процессов зародышеобразования,  роста и совершенства эпитаксиальных пленок в зависимости от условий роста

Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) – основы материаловедения

May 25, 2013

МЛЭ или MBE6 представляет собой процесс эпитаксиального роста слоев различных соединений, происходящий за счет реакций между термически создаваемыми молекулярными или атомными пучками соответствующих компонентов на поверхности подложки, находящейся в сверхвысоком вакууме при повышенной температуре. В основе этой технологии лежит возможность роста эпитаксиальных пленок, по существу, в динамическом режиме в отличие от более традиционных методов, где рост идет в условиях, близких к термодинамическому равновесию. МЛЭ характеризуется:

» Читать запись: Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) – основы материаловедения

Эпитаксия из газообразной фазы – основы материаловедения

May 24, 2013

Процессы, происходящие при выращивании эпитаксиальных пленок методом газовой эпитаксии с помощью химических реакций, по существу, уже обсуждались при описании выращивания монокристаллов из газовой фазы (см. гл. 6). Рассматривались два основных способа выращивания эпитаксиальных пленок из газовой фазы с помощью химических реакций: 1) метод диссоциации и восстановления газообразных химических соединений и 2) метод газотранспортных реакций.

» Читать запись: Эпитаксия из газообразной фазы – основы материаловедения

Конденсация из паровой фазы

May 23, 2013

Выше нами были рассмотрены некоторые методы газовой эпитаксии, использующие обратимые химические реакции. Следующая группа методов эпитаксии основана на кристаллизации пленок из паровой фазы. Выращивание пленок из паровой фазы, образованной из атомов и молекул выращиваемого материала, производится преимущественно в откачанных вакуумных камерах (рис. 9.13). Процесс сводится к созданию потока паров, испускаемых источником, нагретым до выбранной температуры возгонки или испарения. Пары, пройдя некоторый путь, конденсируются на подложке. Давление насыщенного пара элементарного вещества, образующего одноатомные молекулы, как функция температуры описывается уравнением Клаузиуса-Клапейрона. Однако поскольку процесс проводится в динамическом режиме, реальное давление паров над поверхностью источника несколько ниже и описывается выражением

» Читать запись: Конденсация из паровой фазы

Эпитаксия – основы материаловедения

May 17, 2013

Слово эпитаксия состоит из двух греческих слов: «эпи» — «над» и «таксис» — «упорядочивание». Поэтому термин эпитаксия означает наращивание кристаллографически ориентированных монокристаллических слоев на монокристаллические подложки или друг на друга. Монокристаллическая подложка в процессе выращивания играет роль затравочного кристалла.

» Читать запись: Эпитаксия – основы материаловедения

Жидкостная эпитаксия – основы материаловедения

May 16, 2013

Метод жидкостной эпитаксии по своей сути ничем не отличается от метода выращивания объемных монокристаллов из растворов, который уже подробно рассматривался (см. гл. 6). Основным преимуществом метода жидкостной эпитаксии является то, что рост эпитаксиальной пленки происходит при температурах более низких, чем температура плавления исходного вещества. Разберем подробнее этот метод выращивания эпитаксиальных пленок на примере системы Ge–In. Для этого рассмотрим диаграмму состояния системы Ge–In со стороны In. Температура плавления индия значительно ниже, чем у Ge (рис. 9.6), поэтому он и используется в качестве растворителя. Из диаграммы следует, что, меняя процентное содержание индия в сплаве Ge–In в соответствии с линией ликвидуса, можно менять температуру кристаллизации сплава. При охлаждении жидкой фазы вдоль линии 1 при температуре 400◦C (точка пересечения с линией ликвидуса) раствор переходит в пересыщенное

» Читать запись: Жидкостная эпитаксия – основы материаловедения

СВЧ-МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК НАНОМЕТРОВОЙ ТОЛЩИНЫ В МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУРАХ

February 9, 2013

Аннотация – Предложена и экспериментально реализована методика измерения электропроводности металлических пленок в слоистых структурах в диапазоне толщин от единиц до тысяч нанометров по спектрам отражения электромагнитного излучения.

» Читать запись: СВЧ-МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК НАНОМЕТРОВОЙ ТОЛЩИНЫ В МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУРАХ

ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТНЫХ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ ПЛЕНОК Со НА СКАНИРУЮЩЕМ СПЕКТРОМЕТРЕ ФЕРРОМАГНИТНОГО РЕЗОНАНСА

January 18, 2013

Беляев Б. А., Кипарисов С. Я., Скоморохов Г. В. Институт Физики им. Л. В. Киренского СО РАН, Академгородок, Красноярск, 660036, Россия Тел.: 3912-494591; e-mail: belyaev@iph.krasn.ru

Аннотация – Методом ферромагнитного резонанса исследовано влияние различных технологических условий на неоднородности основных магнитных характеристик тонких пленок Со, полученных химическим осаждением. Показаны возможности существенного увеличения магнитной проницаемости аморфных пленок на сверхвысоких частотах.

» Читать запись: ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТНЫХ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ ПЛЕНОК Со НА СКАНИРУЮЩЕМ СПЕКТРОМЕТРЕ ФЕРРОМАГНИТНОГО РЕЗОНАНСА

ТОЛЩИННЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ФМР в одноосных ГЕКСАФЕРРИТАХ БАРИЯ

January 16, 2013

Костенко В. И., Сорочак А. М., Чамор Т. Г., Чевнюк Л. В. Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко ул. Владимирская, 64, г. Киев, 01033, Украина тел.: +38044-526-64-03, e-mail: ctamila@univ.kiev.ua

Аннотация – Экспериментально исследуется влияния толщины ферритового слоя на параметры ФМР при намагничивании вдоль легкой оси в образцах BaFei20i9. Проведено сравнение с теорией магнитостатических колебаний для структуры плоскопараллельных доменов (ППДС) в эпитаксиальных пленках и объемных монокристаллах гексаферрита бария.

» Читать запись: ТОЛЩИННЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ФМР в одноосных ГЕКСАФЕРРИТАХ БАРИЯ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты