Записи с меткой ‘плоскости’

Конструкции Си-Би антенн вертикальной поляризации

May 6, 2014

Эти антенны относятся к категории малоэффективных, но имеют свои особенности: вертикальную поляризацию и равномерную круговую диаграмму в горизонтальной плоскости Малоэффективность вертикальной антенны подтверждается простым примером Предположим, что к ней подведена мощность передатчика 100 Вт Поскольку антенна имеет равномерную круговую диаграмму в горизонтальной плоскости, то на каждый градус окружности приходится 1/360 мощности, то есть 100 / 360 = 0,277 Вт Таким образом, эта мощность направлена в сторону корреспондента, а остальная (99,72 Вт) оказывается бесполезной

» Читать запись: Конструкции Си-Би антенн вертикальной поляризации

Рамочные антенны

April 26, 2014

В предыдущих разделах было рассказано об однопроводных, одноэтажных антеннах Диаграмма излучения в горизонтальной плоскости полуволнового вибратора изображена на рис, 314в штриховой линией Заслуживает внимания вариант, когда на два полуволновых вибратора, расположенных один над другим на расстоянии λ/4, подано питание синфазно В результате получим диаграмму направленности, более вытянутую в горизонтальной плоскости (рис 314в), чем у одиночного вибратора Таким образом, усиление двух синфазных антенн оказывается больше Диаграмма их направленности в вертикальной плоскости имеет меньший угол излучения (заштрихованные лепестки на рис 314г), чем при одном вибраторе, угол излучения которого 30° Преобразуем эти две антенны в квадрат, соединив концы полуволновых вибраторов, как на рис 3146 Параметры этой новой антенны повторяют двухэтажную синфазную антенну Для нее характерно высокое усиление при малом угле излучения к горизонту, что обеспечит DX связи На рис 314д приведена модификация рамочной антенны Она отличается только геометрическими формами и расположением в пространстве Входное сопротивление рамочных антенн составляет 110-120 Ом Отдельно следует сказать об антенне, изображенной на рис 314е Она обладает всеми параметрами, о которых было сказано выше, но отличается тем, что располагается не вертикально, а под углом 45° к поверхности Такой вариант расположения может быть рекомендован для 160-, 80- и 40-метрового диапазонов За счет наклона один из лепестков диаграммы больше прижимается к горизонту, и в том направлении, куда наклонена антенна, можно проводить DX связи При расчете периметр рамочных антенн 1= 1,02 λ

» Читать запись: Рамочные антенны

Двумерные дефекты – основы материаловедения

May 29, 2013

Под двумерными дефектами понимают такие нарушения в идеальном расположении атомов в кристалле, которые обладают большой протяженностью в двух измерениях при незначительной (в несколько межатомных расстояний) протяженности в третьем.

Малоугловые границы. Бюргерс предположил, что граница соединения двух монокристаллических блоков, разориентированных друг от

» Читать запись: Двумерные дефекты – основы материаловедения

Свойства  дислокаций – основы материаловедения

May 14, 2013

1. Дислокации не могут обрываться внутри кристалла и должны либо замыкаться сами на себя, либо разветвляться на  другие  дислокации, либо выходить на поверхность кристалла. Это свойство является следствием того, что линия дислокации представляет собой кривую, вдоль которой вектор Бюргерса b остается постоянным. Для узла разветвляющихся дислокаций справедлива теорема, аналогичная теореме Кирхгофа для разветвляющихся линий токов: если все дислокации соединяются в одной точке пересечения, то сумма их векторов Бюргерса должна быть равна нулю, например, b1 + b2 + b3 = 0. Разветвляясь и снова сливаясь, дислокации образуют в кристалле плоские и пространственные сетки, определяющие мозаичную структуру кристалла.

» Читать запись: Свойства  дислокаций – основы материаловедения

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ДИРЕКТОРНЫХ АНТЕНН В СОСТАВЕ АНТЕННОЙ РЕШЕТКИ

February 13, 2013

Юрцев О. А., Бобков Ю. Ю., Чекан С. А., Аль-Рифаи А. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ул. П. Бровки, д. 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь тел.+375 17 293 89 27, e-mail: yurtsev_o@tut.by

Аннотация – Методом моментов рассматривается коэффициент передачи между двумя директорными антеннами, диаграмма направленности решетки с учетом взаимодействия излучателей между собой, входное сопротивление, зависимость этих параметров от геометрии и частоты.

» Читать запись: ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ДИРЕКТОРНЫХ АНТЕНН В СОСТАВЕ АНТЕННОЙ РЕШЕТКИ

ОБОБЩЕННАЯ ФУНКЦИЯ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ АНТЕННЫХ СИСТЕМ С ШУМОВЫМИ ЗОНДИРУЮЩИМИ СИГНАЛАМИ

February 11, 2013

Калинин В. И., **Чапурский В. В.

Институт радиотехники и электроники Российской Академии наук (ИРЭ РАН) Пл. академика Б. А. Введенского, 1, Фрязино, Московская обл, 141195, Россия ‘московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана 2-я Бауманская, д. 5, Москва, 107005, Россия

» Читать запись: ОБОБЩЕННАЯ ФУНКЦИЯ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ АНТЕННЫХ СИСТЕМ С ШУМОВЫМИ ЗОНДИРУЮЩИМИ СИГНАЛАМИ

«ВИЗУАЛЬНОЕ» ПРОЕКТИРОВАНИЕ МОНОЛИТНОГО МАЛОШУМЯЩЕГО УСИЛИТЕЛЯ ДИАПАЗОНА 1,5-2,5 ГГц

January 14, 2013

Черкашин М. В. , Бабак Л. И. ^Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) ^НПФ «Микран» пр. Ленина, 40, г. Томск, 634050, Россия Тел.: +7(3822) 414-717; e-mail: mik_cher@mail.ru, leonid.babak@rambler.ru

Аннотация – С использованием новой «визуальной» методики выполнено проектирование монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 1,5-2,5 ГГц на основе 0,2 мкм GaAs рНЕМТ технологии ED02AH фирмы OMMIC. Усилитель не требует применения внешних согласующих элементов и обеспечивает следующие параметры: коэффициент усиления G = 17,6 ± 0,35 дБ; коэффициент шума F < 1,1 дБ; входной и выходной коэффициенты отражения I Sii I < -10 дБ, I S221 < -11,5 дБ.

» Читать запись: «ВИЗУАЛЬНОЕ» ПРОЕКТИРОВАНИЕ МОНОЛИТНОГО МАЛОШУМЯЩЕГО УСИЛИТЕЛЯ ДИАПАЗОНА 1,5-2,5 ГГц

Интегральные микросхемы – параметры и маркировка микросхем

September 22, 2012

   

   Интегральная микросхема (ИС) представляет собой функциональный миниатюрный микроэлектронный блочок, в котором содержатся транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы и другие радиоэлементы, которые выполнены методом молекулярной электроники. Находящиеся в небольшом объеме радиоэлементы образуют микросхему определенного назначения. По конструктивно-технологическому выполнению микросхемы делятся на несколько основных групп: гибридные, полупроводниковые (монолитные) и пленочные. Гибридные микросхемы выполняются на диэлектрической подложке с использованием монтажа дискретных радиокомпонентов пайкой или сваркой на контактных площадках. В полупроводниковых ИС все элементы схемы формируются в кристалле полупроводника. В пленочных ИС радиоэлементы выполнены в виде пленок, нанесенных на поверхность диэлектрика. Все эти микросхемы делятся на схемы с малой (до 10 элементов), средней (10… 100 элементов) и большой (свыше 100 элементов) степенью интеграции. Промышленность выпускает большое количество самых разнообразных ИС, которые в зависимости от функционального назначения делят на аналоговые и цифровые (логические). Аналоговые микросхемы применяют для генерации, усиления и преобразования сигналов. Цифровые ИС служат для обработки дискретного сигнала, выраженного в двоичном или цифровом коде, поэтому их чаще называют логическими микросхемами. Эти микросхемы применяют в вычислительной технике, автоматике и в других областях промышленности.

» Читать запись: Интегральные микросхемы – параметры и маркировка микросхем

СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИСКРОВЫХ РАЗРЯДОВ В ИСКУССТВЕННЫХ АЭРОЗОЛЬНЫХ ОБРАЗОВАНИЯХ

August 3, 2012

В. Н. Болотов, Ю. В. Ткач Институт Электромагнитных Исследований Харьков 61022, а/я 4580, Украина E-mail: renic&jemr. vl.net. иа


Аннотация Искусственное заряженное аэрозольное образование представляет собой сложную физикохимическую систему, которая по своим свойствам приближается к таким малоизученным состояниям вещества, как аэрозольная плазма и в некоторых модификациях позволяет моделировать физические процессы в грозовых разрядах. В данной работе получены спектры электромагнитного излучения, сопровождающие лидерную стадию разряда. Полученные результаты важны при решении задач в рамках проблемы ЭМС.

» Читать запись: СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИСКРОВЫХ РАЗРЯДОВ В ИСКУССТВЕННЫХ АЭРОЗОЛЬНЫХ ОБРАЗОВАНИЯХ

СЕРИЯ АНТЕНН ДЛЯ ВЫСОКОТОЧНЫХ РЛС КРУГОВОГО ОБЗОРА

May 17, 2012

Минаев М. И., Бабенко А. И., Федотов А. Н. ОАО «Экспериментальный завод» х.к. «Ленинец» Пр. Ю. Гагарина д. 34, Санкт-Петербург – 196143, Россия Тел.: +7(812) 378-09-02; e-mail: office@jscez.spb.ru

Аннотация – Описаны антенны миллиметрового диапазона, предназначенные для высокоточных судовых, береговых и аэродромных РЛС кругового обзора.

» Читать запись: СЕРИЯ АНТЕНН ДЛЯ ВЫСОКОТОЧНЫХ РЛС КРУГОВОГО ОБЗОРА

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты