Записи с меткой ‘плотности’

ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ АКСИАЛЬНЫХ СИСТЕМ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПУЧКОВ

February 28, 2013

Аннотация – В работе представлены результаты теоретического анализа двух модификаций аксиально-симметрич- ных электронно-оптических систем со сходящейся оптикой на основе ранее разработанного алгоритма. Получена информация о профиле и распределении плотности тока электронного пучка с учетом токооседания на электродах.

» Читать запись: ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ АКСИАЛЬНЫХ СИСТЕМ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПУЧКОВ

ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИКА НА ОСНОВЕ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ В РАСТВОРАХ СУЛЬФОСАЛИЦИЛОВОЙ КИСЛОТЫ

February 23, 2013

Клещенко И. В., Резванова М. О., Позняк А. Л.

Учреждение образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники» ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь тел.:+375-017-2938957, e-mail: poznyak@bsuir.unibel.by

» Читать запись: ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИКА НА ОСНОВЕ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ В РАСТВОРАХ СУЛЬФОСАЛИЦИЛОВОЙ КИСЛОТЫ

ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ В РАСТВОРЕ МАЛОНОВОЙ КИСЛОТЫ ДИЭЛЕКТРИКА НА ОСНОВЕ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ

February 21, 2013

Головатая С. В., Мозалев А. М., Позняк А. А. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ул. П. Бровки, 6, Минск, 220013, Республика Беларусь тел.: +375-017-2938957, e-mail: poznyak@bsuir.unibel.by

Аннотация — Экспериментально определены скорость и эффективность электрохимического анодирования алюминия и объёмный рост его пористого анодного оксида в растворе малоновой кислоты в широком интервале значений плотности анодного тока.

» Читать запись: ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ В РАСТВОРЕ МАЛОНОВОЙ КИСЛОТЫ ДИЭЛЕКТРИКА НА ОСНОВЕ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ

ДИАГНОСТИКА КИПЯЩЕГО СЛОЯ С ПОМОЩЬЮ РЕЗОНАНСНОГО СВЧ-ЗОНДА НА ОТРЕЗКЕ ДВУХПРОВОДНОЙ ЛИНИИ

February 9, 2013

Костров А. в., Костров В. А., Смирнов Л. И., Стриковский Л. В., Янин Д. В. Институт прикладной физики РАН г. Нижний Новгород, улица Ульянова, д. 46, 603950, Россия Тел.: +7(8312) 164853, e-mail: smimov@appl.sci-nnov.ru

Аннотация – С помощью резонансного СВЧ-зонда на отрезке двухпроводной ЛИНИИ исследована динамика изменения ПЛОТНОСТИ сыпучих сред в газовом потоке. Разработан и изготовлен промышленный высокотемпературный датчик ПЛОТНОСТИ кипящего слоя в реакторе дегидрирования.

» Читать запись: ДИАГНОСТИКА КИПЯЩЕГО СЛОЯ С ПОМОЩЬЮ РЕЗОНАНСНОГО СВЧ-ЗОНДА НА ОТРЕЗКЕ ДВУХПРОВОДНОЙ ЛИНИИ

Ленточные кабели и пленочные шлейфы

August 14, 2012

Шлейфы различают по назначению и по материалам. Так шлейфы в компьютерной технике, микроэлектронике (мобильные телефоны, фотокамеры и др.), электроэнергетике, связи и охранно-пожарной сигнализации имеют принципиально различное назначение и опре­деления. Если шлейф применен в компьютерной технике — это сленговое название ленточного (плоского) кабеля; используется для подключения жестких дисков, оптических дисководов и дру­гих узлов к материнской плате компьютера. Шлейф мобильного телефона — комплектующая, соединяющая несколько подвижных частей телефона и предназначенная для передачи электронного сиг­нала из одной части телефона в другую. А шлейф охранно-пожар­ной сигнализации — электрическая цепь, соединяющая выходные цепи извещателей, включающая в себя вспомогательные элементы и соединительные провода и предназначенная для передачи на при­емно-контрольный прибор сигналов об изменении контролируемо­го параметра, а в некоторых случаях и для подачи электропитания на сами извещатели. Шлейфы изготавливают из фольгированного полиамида, из фольгированного полиамида с покрытием Ni, из фольгированного лавсана, из фольгированного лавсана с покрыти­ем маской размером до 600x600мм, из нефольгированного лавсана с рисунком из токопроводящей пасты, из луженой меди и серебра.

» Читать запись: Ленточные кабели и пленочные шлейфы

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ОТКЛИКА СРЕДНЕШИРОТНОЙ D-ОБЛАСТИ ИОНОСФЕРЫ НА УДАЛЕННЫЕ СТАРТЫ РАКЕТ

May 12, 2012

Гоков А. М., Тырнов О. Ф. Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина пл. Свободы 4, Харьков-61077, Украина Тел.: (80572) 7051251; e-mail: Alexander.M.Gokov@univer.kharkov.ua

Аннотация – Экспериментально исследованы изменения плотности электронов в среднеширотной D-области ионосферы во время удаленных стартов ракет разного типа. Обнаружены кратковременные пульсирующие возмущения плотности электронов в нижней ионосфере. Для объяснения эффектов предложена гипотеза о стимулированных пульсирующих потоками электронов из магнитосферы в нижнюю ионосферу Земли с энергией ~102-10 кэВ и значениями потоков р ~108– 109м’2с’1

» Читать запись: ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ОТКЛИКА СРЕДНЕШИРОТНОЙ D-ОБЛАСТИ ИОНОСФЕРЫ НА УДАЛЕННЫЕ СТАРТЫ РАКЕТ

НИЗКОЧАСТОТНАЯ ПОПЕРЕЧНАЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ ИОННОГО ПОТОКА, ДВИЖУЩЕГОСЯ В СИЛЬНОТОЧНОМ РЭП

April 16, 2012

Балакирев В. А., Онищенко Н. И. ННЦ Харьковский физико-технический институт Академическая ул. 1, Харьков – 61108, Украина Тел.: +38(0572) 356611; e-mail: onish@kipt.kharkov.ua

Аннотация – Исследована неустойчивость НЧ волны в потоке ионов при ускорении их волнами плотности заряда в коллективном ионном ускорителе, базирующемся на сильноточном РЭП, промодулированном во времени и в пространстве.

» Читать запись: НИЗКОЧАСТОТНАЯ ПОПЕРЕЧНАЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ ИОННОГО ПОТОКА, ДВИЖУЩЕГОСЯ В СИЛЬНОТОЧНОМ РЭП

ОДНОТРАНЗИСТОРНЫЙ ГЕНЕРАТОР ХАОСА СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ

April 15, 2012

Максимов Н. А., Панас А. И., Савельев С. В. Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязинская часть 141190, Фрязино, пл. Введенского, 1, ФИРЭ РАН Тел.: (095) 526-90-04, e-mail: panas@ms.ire.rssi.ru

тх = 1,6, т2 = 0,1, q = 0,05 и g < 0,06. Уменьшение параметра инерционности от указанного выше значения приводит к входу в зону развитых хаотических колебаний. Вид аттрактора в фазовом пространстве системы определяется петлей седло – фокус с переходящим характерным движением вдоль седловой сепаратриссы. Это означает, что в системе присутствует амплитудная и фазовая неустойчивости генерируемых колебаний. Дифференциальный закон распределения плотности вероятности колебательного близок к нормальному, фурье – спектр достаточно ровный без выделения каких-либо регулярных составляющих, рис. 1. Однако удаление вглубь зоны хаотических колебаний приводит к нарастанию положительного эксцесса в распределении плотности вероятности до значения (р = 1,45. Это объясняется тем, что хаотические колебания системы имеют пичковый характер. При удалении от границы развитого хаоса система более долгое время проводит вблизи положения равновесия.

» Читать запись: ОДНОТРАНЗИСТОРНЫЙ ГЕНЕРАТОР ХАОСА СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ

Модель Эйнштейна

November 1, 2011

Первая теория оптических переходов была разработана Альбертом Эйнштейном. основана на описании спонтанных и вынужденных (индуцированных) переходов. Спонтанные переходы протекают без внешних воздействий, тогда как вынужденные переходы индуцируются фотонами. Поэтому количество вынужденных переходов пропорционально плотности фотонов или плотности излучения.

» Читать запись: Модель Эйнштейна

Дислокации в нитридах III группы

September 29, 2011

Наиболее распространенным материалом подложек для эпитаксиального выращивания GaNявляется сапфир, обладающий постоянны-

‘) См. приоритетные работы [4, 5].

ми термическими, химическими и механическими характеристиками. Однако у сапфира кристаллическая структура корунда, в то время как нитриды третьей группы имеют структуру вюрцита. К тому же различаются и значения постоянных решеток сапфира и GaN. Все это ведет к возникновению в эпитаксиальных пленках GaN, выращенных на сапфировых подложках, проникающих и краевых дислокаций несоответствия, плотности которых обычно составляют

» Читать запись: Дислокации в нитридах III группы

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты