Записи с меткой ‘подгруппы’

Подгруппа VIA: сера, селен, теллур – основы материаловедения

April 30, 2013

Структура валентной оболочки — ns2np4 (n = 3 для серы, 4 для селена, 5 для теллура. Элементы этой группы содержат два неспаренных p-электрона на внешней оболочке, поэтому две ковалентные связи от каждого атома могут быть направлены либо к одному атому (при этом будут образовываться двухатомные молекулы как в O2), либо к двум различным атомам (образуются многоатомные молекулы в виде замкнутых колец или бесконечных протяженных цепочек). Угол между соседними ковалентными связями, направленными к двум различным атомам, не

» Читать запись: Подгруппа VIA: сера, селен, теллур – основы материаловедения

Соединения с дефектной структурой – основы материаловедения

April 24, 2013

Кроме полупроводников, структура которых является производной от структуры алмаза и которые образуются путем заполнения дополнительных мест в этой решетке, существуют полупроводники с дефектными структурами на основе структур сфалерита и вюртцита. Это соединения четвертого типа. Они образуются при замене атомов A из II подгруппы на атомы из III подгруппы и изменении их числа с трех на два для сохранения общего числа электронов в молекуле. С точки зрения правила нормальной валентности и правила Музера-Пирсона такое изменение роли не играет — в обоих случаях ne = 24, NB = 3, NBB = 0. Однако число валентных электронов на атом становится больше 4 (24/5 = 4.8). Такая ситуация приводит к образованию дефектной тетраэдрической структу

» Читать запись: Соединения с дефектной структурой – основы материаловедения

Подгруппа VA: фосфор, мышьяк, сурьма и висмут – основы материаловедения

April 18, 2013

Структура валентной оболочки — ns2np3 с n = 3 для фосфора, 4 для мышьяка, 5 для сурьмы, 6 для висмута. Распределение электронов по ячейкам валентной оболочки показано на рис. 2.15,а: основное состояние характеризуется тремя электронами с неспаренными спинами (p3), причем число их не будет меняться даже при переходе одного из s-электронов на p-орбиту. Таким образом, во всех указанных выше элементах этой подгруппы три связи любого атома направлены к трем другим соседним атомам, при этом образуются структуры с координационным числом Zк = 3. Физические параметры элементов этой подгруппы приведены в табл. 2.3.

» Читать запись: Подгруппа VA: фосфор, мышьяк, сурьма и висмут – основы материаловедения

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты