Записи с меткой ‘подложках’

Светодиоды на основе AlGaAs/GaAs

October 25, 2011

Гетероструктуры AIa;Gai_a;As/GaAsбыли разработаны в 1970-е гх., а в начале 1980-е гг. на их основе были реализованы первые светодиоды, с высокой яркостью свечения (Steranka, 1997) ‘). Поскольку алюминий и галлий имеют весьма близкие атомные радиусы (1,82 А и 1,81 А), система Al^Gai-xAs(или просто AlGaAs) остается согласованной по параметрам решетки с подложкой GaAsво всем диапазоне изменений молярной доли алюминия в трехкомпонентном составе. На рис. 12.6 показаны значения ширины запрещенной зоны и постоянных решеток некоторых полупроводников типа А^^’В^ и их трех- и четырехкомпонентных твердых растворов. Видно отсутствие зависимости между постоянной решетки и молярной долей алюминия (Tien, 1988).

» Читать запись: Светодиоды на основе AlGaAs/GaAs

История создания светодиодов из GaAsP

September 30, 2011

Начало истории светодиодов видимого диапазона оптического спектра датируется 1962 г., когда Холоньяк и Бевака в журнале AppliedPhysicsLettersопубликовали сообщение о когерентном излучении видимого света, наблюдаемом на р-n-переходе GaAsP. Хотя это свечение было обнаружено при низкой температуре, оказалось, что светодиоды GaAsPработают и при комнатной температуре.

» Читать запись: История создания светодиодов из GaAsP

Технология выращивания светодиодов на прозрачных подложках

September 7, 2011

Светодиоды видимого спектра (Ala;Gai_a:)o,5lno,5P, работающие на длинах волн в диапазоне 560-660 нм, обычно выращивают на подложках GaAs. При этом параметры решеток материала светодиода и подложки согласованы друг с другом. Поскольку при комнатной температуре ширина запрещенной зоны GaAsEg= 1,424 эВ (Ag= 870 нм), толстые подложки GaAsпоглощают часть света рабочих длин волн, излучаемого в их сторону. Поэтому светодиоды AlInGaP/GaAs, выращенные на подложках GaAs, обладают низкими коэффициентами оптического вывода света.

» Читать запись: Технология выращивания светодиодов на прозрачных подложках

Влияние ограничения тока в светодиодах на изолирующих подложках

August 3, 2011

Для светодиодных мезаструктур, выращенных на диэлектрических подложках, характерно явление ограничения тока. Примерами светодиодов с мезаструктурами являются светодиоды InGaN/GaNна сапфировых подложках. В них контакт р-типа обычно размещается на верхней поверхности мезаструктуры, а контакт п-типа —на буферном слое п-типа, расположенном под мезаструктурой. Это приводит к тому, что по краю мезаструктуры, на границе с контактом п-типа, плотность тока становится выше, чем в соседних областях.

» Читать запись: Влияние ограничения тока в светодиодах на изолирующих подложках

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты