Записи с меткой ‘подложке’

ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЯЗИ КВАЗИОПТИЧЕСКОГО ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО РЕЗОНАТОРА ИЗ ЛЕЙКОСАПФИРА С МИКРОПОЛОСКОВОЙ ЛИНИЕЙ

February 3, 2013

Нечаев О. Г., Скресанов В. Н. Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова НАН Украины ул. Ак. Проскуры,12, Харьков, 61085, Украина тел.:(057) 720-34-55, e-mail: valery@ire.kharkov.ua

Аннотация – Экспериментально исследованы закономерности связи квазиоптического диэлектрического резонатора (КДР) из лейкосапфира с микрополосковой линией (МПЛ) из армированного фторопласта-4 в Ки диапазоне. Предложено организовывать связь в пространстве «МПЛ под КДР», что отличается от известного способа связи «ЬЗДР на подложке МПЛ». Показано, что при связи способом «МПЛ под КДР» потери энергии резонансного поля в подложке пренебрежимо малы по сравнению с собственными потерями в КДР. Установлено наличие нескольких зон связи, разделённых зонами отсутствия связи как для квази-Е, так и для квази-Н типов колебаний.

» Читать запись: ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЯЗИ КВАЗИОПТИЧЕСКОГО ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО РЕЗОНАТОРА ИЗ ЛЕЙКОСАПФИРА С МИКРОПОЛОСКОВОЙ ЛИНИЕЙ

Технология выращивания светодиодов на прозрачных подложках

September 7, 2011

Светодиоды видимого спектра (Ala;Gai_a:)o,5lno,5P, работающие на длинах волн в диапазоне 560-660 нм, обычно выращивают на подложках GaAs. При этом параметры решеток материала светодиода и подложки согласованы друг с другом. Поскольку при комнатной температуре ширина запрещенной зоны GaAsEg= 1,424 эВ (Ag= 870 нм), толстые подложки GaAsпоглощают часть света рабочих длин волн, излучаемого в их сторону. Поэтому светодиоды AlInGaP/GaAs, выращенные на подложках GaAs, обладают низкими коэффициентами оптического вывода света.

» Читать запись: Технология выращивания светодиодов на прозрачных подложках

Технология изготовления аналогов реактивностей

March 20, 2011

Рис.30. Схема аналога трансформатора на операционном усилителе и диодной оптопаре

Наиболее простой способ объединения пассивных элементов состоит в создании требуемого рисунка пассивной части схемы на диэлектрической подложке и присоединении к ней интегральных схем (чипов) и конденсаторов. Если требования к точности элементов и их стабильности невысоки, то используется толстопленочная технология. При высоких требованиях к этим параметрам применяется тонкопленочная технология.

» Читать запись: Технология изготовления аналогов реактивностей

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты