Записи с меткой ‘подложки’

Причины образования структурных дефектов

June 2, 2013

Одной из важнейших практических задач при выращивании эпитаксиальных монокристаллических пленок является выяснение причин образования дефектов. Большая часть исследований посвящена изучению различных стадий роста эпитаксиальных пленок с целью нахождения способов, позволяющих снизить число дефектов в них.

» Читать запись: Причины образования структурных дефектов

Экспериментальное  изучение  процессов зародышеобразования,  роста и совершенства эпитаксиальных пленок в зависимости от условий роста

May 26, 2013

Экспериментальное изучение процессов зародышеобразования, роста эпитаксиальных пленок и их качества в зависимости от условий выращивания сейчас проводится с помощью самой современной аппаратуры непосредственно в процессе конденсации. На основании этих исследований можно сделать выводы о местах преимущественной адсорбции атомов, изучить влияние загрязняющих газов на образование зародышей, оценить плотность, совершенство и ориентацию зародышей, а также количественно оценить Eдиф и Eдес.

» Читать запись: Экспериментальное  изучение  процессов зародышеобразования,  роста и совершенства эпитаксиальных пленок в зависимости от условий роста

Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) – основы материаловедения

May 25, 2013

МЛЭ или MBE6 представляет собой процесс эпитаксиального роста слоев различных соединений, происходящий за счет реакций между термически создаваемыми молекулярными или атомными пучками соответствующих компонентов на поверхности подложки, находящейся в сверхвысоком вакууме при повышенной температуре. В основе этой технологии лежит возможность роста эпитаксиальных пленок, по существу, в динамическом режиме в отличие от более традиционных методов, где рост идет в условиях, близких к термодинамическому равновесию. МЛЭ характеризуется:

» Читать запись: Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) – основы материаловедения

Эпитаксия из газообразной фазы – основы материаловедения

May 24, 2013

Процессы, происходящие при выращивании эпитаксиальных пленок методом газовой эпитаксии с помощью химических реакций, по существу, уже обсуждались при описании выращивания монокристаллов из газовой фазы (см. гл. 6). Рассматривались два основных способа выращивания эпитаксиальных пленок из газовой фазы с помощью химических реакций: 1) метод диссоциации и восстановления газообразных химических соединений и 2) метод газотранспортных реакций.

» Читать запись: Эпитаксия из газообразной фазы – основы материаловедения

Конденсация из паровой фазы

May 23, 2013

Выше нами были рассмотрены некоторые методы газовой эпитаксии, использующие обратимые химические реакции. Следующая группа методов эпитаксии основана на кристаллизации пленок из паровой фазы. Выращивание пленок из паровой фазы, образованной из атомов и молекул выращиваемого материала, производится преимущественно в откачанных вакуумных камерах (рис. 9.13). Процесс сводится к созданию потока паров, испускаемых источником, нагретым до выбранной температуры возгонки или испарения. Пары, пройдя некоторый путь, конденсируются на подложке. Давление насыщенного пара элементарного вещества, образующего одноатомные молекулы, как функция температуры описывается уравнением Клаузиуса-Клапейрона. Однако поскольку процесс проводится в динамическом режиме, реальное давление паров над поверхностью источника несколько ниже и описывается выражением

» Читать запись: Конденсация из паровой фазы

Особенности   гетероэпитаксии – основы материаловедения

May 12, 2013

До сих пор мы не разделяли гомои гетероэпитаксию. Однако при гетероэпитаксиальном выращивании пленок существуют специфические проблемы. Одна из них — это вопрос о характере сопряжения кристаллических решеток выращиваемой пленки и подложки на границе раздела. Приведем основные из существующих представлений по этому вопросу.

» Читать запись: Особенности   гетероэпитаксии – основы материаловедения

Рост из газовой фазы с использованием металлорганических соединений

May 4, 2013

В последнее время усиленно развивается технология выращивания сверхрешеточных структур из газовой фазы с использованием металлорганических соединений (MOCVD4). В основе этого метода лежит метод химических реакций.

MOCVD представляет собой метод выращивания, в котором необходимые компоненты доставляются в камеру роста в виде газообразных металлорганических алкильных соединений, и рост слоя осуществляется при термическом разложении (пиролизе) этих газов и последующей химической реакции между возникающими компонентами на нагретой пластине-подложке [46]. В настоящее время посредством этого метода можно выращивать большинство полупроводниковых соединений AIIIBV, AIIBVI, AIVBIV.

» Читать запись: Рост из газовой фазы с использованием металлорганических соединений

Метод горячей стенки – основы материаловедения

April 29, 2013

Метод горячей стенки представляет собой разновидность технологии вакуумного осаждения пленок, характеризуемую тем, что рост происходит в условиях, очень близких к термодинамическому равновесию. Основной особенностью метода является наличие нагретого экрана (горячей стенки), служащего для сосредоточения и направления на подложку испаряемого вещества. При этом исключаются потери испаряемого материала, создается возможность поддержания высокого давления паров вещества или его различных компонент и сводится до минимума разность температур источника и подложки.

» Читать запись: Метод горячей стенки – основы материаловедения

полосковый ДВУХПРОВОДНЫЙ РЕЗОНАТОР НА ПОДВЕШЕННОЙ ПОДЛОЖКЕ

February 11, 2013

Лексиков А. А., Сухин Ф. Г. *

Институт Физики им. Л. В. Киренского г. Красноярск, СО РАН, Академгородок, 660036, Россия *Красноярский Государственный Технический Университет тел. сл.:3912-494591, e-mail: leksikov@iph.krasn.ru

Аннотация – Приводятся результаты исследования собственной добротности и поведения первых двух мод собственных колебаний полоскового резонатора на подвешенной подложке в зависимости от его конструктивных параметров.

» Читать запись: полосковый ДВУХПРОВОДНЫЙ РЕЗОНАТОР НА ПОДВЕШЕННОЙ ПОДЛОЖКЕ

ХАРАКТЕРИСТИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНОЙ ГИБРИДНОЙ МЕТАЛЛО-ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ

January 28, 2013

Катрич В. А., Майборода Д. В., Погарский С. Д., Пшеничная С. В., Сапрыкин И. И., Шаулов Е. Л. Харьковский национальный университет имени В. Н. Каразина Пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61077, Украина Тел.: +38(057) 7075278, e-mail: Sergey.A.Pogarsky@univer.kharkov.ua

» Читать запись: ХАРАКТЕРИСТИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНОЙ ГИБРИДНОЙ МЕТАЛЛО-ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты