Записи с меткой ‘поглощения’

МИКРОВОЛНОВАЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ – ЧАСТЬ 1

November 22, 2014

Ю. В. Быков, К. И. Рыбаков, В. Е. Семенов Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород

Процессы, основанные на микроволновом нагреве, находят много промышленных приложений. Основные преимущества использования микроволновой энергии в термически активируемых процессах основаны на особенностях поглощения микроволновой энергии. В отличие от всех других широко используемых методов микроволновый нагрев материалов является объемным. Микроволновая энергия преобразуется в тепло внутри вещества, что, как правило, приводит к значительной экономии энергии и сокращению времени процессов. Данный фактор играет решающую роль в большинстве приложений, воспринятых промышленностью к настоящему времени. Широкая доступность микроволновых источников, работающих на частотах менее или равных 2,45 ГГц, и хорошие поглощательные свойства, многих материалов привели к созданию промышленных установок для различных приложений общей мощностью в сотни мегаватт [1]. В то время как большинство промышленных приложений микроволн в настоящее время сосредоточены в области сравнительно низкотемпературной обработки (продуктов питания, древесины, резины, полимеров и т. д.), растет интерес исследователей к высокотемпературной микроволновой обработке, в первую очередь твердых неорганических материалов на основе активации процессов массопереноса диффузионной природы.

» Читать запись: МИКРОВОЛНОВАЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ – ЧАСТЬ 1

ИССЛЕДОВАНИЯ ПОГЛОЩЕНИЯ РАДИОВОЛН В ММ И СУБММ ДИАПАЗОНАХ МЕТОДАМИ ПРЕЦИЗИОННОЙ РЕЗОНАТОРНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

February 12, 2013

Паршин В. В., Третьяков М. Ю., Кошелев М. А., Кукин Л. М., Коваль И. А., Мясникова С. Е. Институт прикладной физики РАН ул. Ульянова, 46, г. Н-Новгород, 603950, Россия тел.: +7(8312) 164966, e-mail: parsh@appl.sci-nnov.ru

Аннотация – Приведены результаты исследований поглощения электромагнитных волн в атмосфере в диапазоне 100-370 ГГц. Получена прецизионная информация о параметрах уширения и сдвига давлением линий поглощения кислорода и водяного пара, а также о поглощении в континууме. Впервые получена информация о поглощении при отрицательных температурах.

» Читать запись: ИССЛЕДОВАНИЯ ПОГЛОЩЕНИЯ РАДИОВОЛН В ММ И СУБММ ДИАПАЗОНАХ МЕТОДАМИ ПРЕЦИЗИОННОЙ РЕЗОНАТОРНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

НЕЛИНЕЙНЫЕ ФАЗОВЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ОПТИЧЕСКИХ ВОЛОКНАХ

July 10, 2012

Ф. Н. Игнатьев Московский авиационный институт (Гэсударственный технический университет) 125871, Москва, Россия E-mail: f. п. ignatie v@mtu-net. ru


Аннотация Обсуждается влияние остаточного поглощения излучения в полосе рабочих частот в оптических волокнах на фазовые характеристики сигнала.

» Читать запись: НЕЛИНЕЙНЫЕ ФАЗОВЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ОПТИЧЕСКИХ ВОЛОКНАХ

ОБ ИССЛЕДОВАНИИ ПРИМЕСНОГО СОСТАВА ТЕТРАФТОРИДА КРЕМНИЯ МЕТОДОМ МИКРОВОЛНОВОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

June 25, 2012

Вакс В. Л., Домрачева Е. Г., Клюева Н. В., Черняева М. Б. Институт физики микроструктур РАН, ГСП-105, Н. Новгород 603950, Россия Тел.: (8312) 607648; e-mail: elena@ipm.sci-nnov.ru Сенников П. Г., Чупров Л. А. Институт химии высокочистых веществ РАН, ГСП-75, Н. Новгород 603950, Россия

» Читать запись: ОБ ИССЛЕДОВАНИИ ПРИМЕСНОГО СОСТАВА ТЕТРАФТОРИДА КРЕМНИЯ МЕТОДОМ МИКРОВОЛНОВОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

ОСОБЕННОСТИ МАГНИТОРЕЗОНАНСНОЙ РАДИОСПЕКТРОСКОПИИ ПРИ АВТОПОДСТРОЙКЕ СВЕРХВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ

May 19, 2012

Адашкевич С. В., Киранов В. С., Стельмах В. Ф. Белорусский государственный университет пр. Ф. Скорины, 4, Минск – 220050, Беларусь Тел.: 017-2095084, e-mail: eprlab@bsu.by Акунец В. В.

УП “Минский НИИ радиоматериалов” ул. Кижеватова, 86, Минск – 220024, Беларусь Тел.: 017-2782310, e-mail: irma@infonet.by

» Читать запись: ОСОБЕННОСТИ МАГНИТОРЕЗОНАНСНОЙ РАДИОСПЕКТРОСКОПИИ ПРИ АВТОПОДСТРОЙКЕ СВЕРХВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ

ТЕМПЕРАТУРНО-ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ РАСТВОРОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДА КАПИЛЛЯРНОВОЛНОВОДНОГО РЕЗОНАНСА

April 1, 2012

Кириченко А. Я., Луценко В. И., Филиппов Ю. Ф., Прокопенко Ю. В., Кривенко Е. В. Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова НАН Украины ул. Ак. Проскуры, 12, Харьков – 61085, Украина Тел.: (0572) 448593, e-mail: lutsenko@ire.kharkov.ua

Аннотация – Исследованы температурные зависимости характеристик капиллярно-волноводного резонанса для сильно поглощающих сред. Рассмотрена возможность использования метода для измерения их частотных зависимостей. Исследовано влияние температуры на частоту, добротность и поглощение энергии электромагнитного поля при резонансе.

» Читать запись: ТЕМПЕРАТУРНО-ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ РАСТВОРОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДА КАПИЛЛЯРНОВОЛНОВОДНОГО РЕЗОНАНСА

Материалы для преобразователей длины волны

October 21, 2011

Преобразователи длины волны создают на основе: люминофоров, полупроводников и красителей. Эти материалы характеризуются следующими параметрами: длина поглощаемой волны, длина излучаемой волны и квантовый выход. Квантовый выход хороших преобразователей близок к 100%. Полный к. п. д. преобразователя длины волны определяется выражением

» Читать запись: Материалы для преобразователей длины волны

Модель Ван Росбрука-Шокли

October 20, 2011

позволяет оценить скорость спонтанной излучательной рекомбинации в равновесных и неравновесных условиях. Для этого необходимо знать основные характеристики полупроводника, определяемые стандартными экспериментальными методами: ширину запрещенной зоны, коэффициент поглощения и показатель преломления.

» Читать запись: Модель Ван Росбрука-Шокли

СТРУКТУРЫ с высоким КОЭФФИЦИЕНТОМ ОПТИЧЕСКОГО ВЫВОДА

August 22, 2011

Поскольку полупроводники обладают высокими показателями преломления, свет, падающий на границу полупроводник-воздух под достаточно большим углом, практически полностью отражается. Из закона Снеллиуса (иногда называемого законом Снелля) можно найти величину критического угла полного внутреннего отражения. В результате полного внутреннего отражения свет как бы попадает в ловушку — локализуется внутри полупроводника. Локализованное таким образом излучение поглощается и дефектами, и активной областью, и подложкой, и всеми другими слоями.

» Читать запись: СТРУКТУРЫ с высоким КОЭФФИЦИЕНТОМ ОПТИЧЕСКОГО ВЫВОДА

Фотодатчики, общие сведения

February 28, 2011

Фотоэлектрические явления в полупроводниках

В современной электронной технике широко используются полупроводниковые приборы, основанные на принципах фотоэлектрического и электрооптического преобразования сигналов. Первый из этих принципов обусловлен изменением электрофизических свойств вещества в результате поглощения в нем световой энергии (квантов света). При этом изменяется проводимость вещества, то есть возникает ЭДС, что приводит к изменениям тока в цепи, в которую включен фоточувствительный элемент. Второй принцип связан с генерацией светового излучения в веществе, обусловленной приложенным к нему напряжением и протекающим через светоизлучающий элемент током. Указанные принципы составляют научную основу оптоэлектроники — научно-технического направления, в котором для передачи, обработки и хранения информации используются как электрические, так и оптические средства и методы.

» Читать запись: Фотодатчики, общие сведения

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты