Записи с меткой ‘поколение’

Транзисторы Infineon CoolMOS на рабочее напряжение 500, 600, 650, 800 В

May 20, 2012

S5 — 1-е поколение общего применения, СЗ — 3-е поколение со способностью выдерживать импульсный ток с более высокими амплитудами (в 1,5 раза больше) благодаря большей переходной электрической проводимости gfs (крутизна характеристики ID = f(VDS)) и более прямоугольной форме области безопасной работы; совместимость с любыми ИМС управления: меньше падение напряжения на затворе при насыщении транзистора до 5,5 В и порог включения транзистора — 3 В; выше рабочая частота за счет более малого значения времени переключения — время переключения уменьшено более, чем в 1,5 раза. СР — последнее поколение приборов с предельной эффективностью. Значительно снижено статическое сопротивление канала и увеличены допустимые токи. Высокая скорость переключения — крутизна фронта до 50 В/нс. Малый заряд затвора и лучший характеристический коэффициент качества RDSon*QG среди аналогичных мировых образцов.

» Читать запись: Транзисторы Infineon CoolMOS на рабочее напряжение 500, 600, 650, 800 В

Приём цифровых логических сигналов в МК

March 15, 2011

Исторически, технологически и концептуально МК являются цифровыми приборами, следовательно, они должны уметь на равных общаться с себе подобными логическими микросхемами. На практике к МК чаще всего подключают цифровые микросхемы средней степени интеграции. Среди них можно условно выделить три поколения [3-34].

» Читать запись: Приём цифровых логических сигналов в МК

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты