Записи с меткой ‘полупроводник’

Подгруппа IIIA: бор – основы материаловедения

June 2, 2013

Бор — единственный элементарный полупроводник, расположенный левее IVA подгруппы в периодической системе. Структура его валентной оболочки — 2s2p1. В большинстве соединений он трехвалентен, поэтому распределение электронов по валентным орбиталям в нем можно представить в виде 2s12p2. Однако при образовании простых sp2-гибридных связей в боре валентная оболочка атомов бора не заполняется полностью, тем не менее бор, как полупроводник, должен иметь полностью заполненную валентную зону. По-видимому, заполнение происходит при участии в гибридизации, помимо 2s-электронов, еще и 1s-электронов.

» Читать запись: Подгруппа IIIA: бор – основы материаловедения

Излучательная рекомбинация пар электрон-дырка

August 6, 2011

Независимо от того, является полупроводник легированным или нет, в нем всегда присутствуют оба типа свободных носителей: электроны и дырки. В условиях равновесия, т. е. когда материал не подвергается никаким внешним воздействиям, например воздействию света и электрических полей, выполняется закон действующих масс, который гласит, что произведение концентраций электронов и дырок при заданной температуре является константой, т. е.

» Читать запись: Излучательная рекомбинация пар электрон-дырка

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты