Записи с меткой ‘полупроводника’

Транзистор – для новичков в радиоделе

June 24, 2014

Если диод похож на бутерброд, то транзистор на сэндвич – между двумя слоями полупроводника одного типа располагается полупроводник другого типа Вы можете сразу понять, что речь идёт о

» Читать запись: Транзистор – для новичков в радиоделе

МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ДАТЧИКИ В ПОЛИГРАФИЧЕСКОМ ОБОРУДОВАНИИ

February 27, 2014

Магниточувствительные датчики основаны на магниторезистивном эффекте полупроводникового материала. Он состоит в том, что материалы под воздействием внешнего магнитного поля изменять свое сопротивление. К ним, в частности, относятся вещества на основе InSb (индий-сурьма), In As (индий-мышьяк), GaAs (галлий-мышьяк), Ge (германий), Si (кремний). Наиболее подходящим материалом для использования в магнитных датчиках является основа InSb, обладающая наибольшей подвижностью основных носителей заряда. Сопротивление полупроводника Rb в магнитном поле описывается формулой:

» Читать запись: МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ДАТЧИКИ В ПОЛИГРАФИЧЕСКОМ ОБОРУДОВАНИИ

ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

January 31, 2012

В электротехнике все вещества разделяются по их способности пропускать электрический ток на три группы: проводники, полупроводники и изоляторы.

Проводники — это вещества, которые хорошо проводят электрический ток, т. е. оказывают ему малое сопротивление. К ним относятся металлы и их сплавы, поэтому металлы и применяют в электрических цепях для передачи тока.

» Читать запись: ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Безызлучательная рекомбинация на поверхности полупроводника

October 2, 2011

Безызлучательная рекомбинация может происходить не только в объеме, но и на поверхности полупроводников, так как именно здесь часто нарушается периодичность кристаллической решетки. Модель энергетических зон основывается на строгом соблюдении периодичности решетки. Поскольку на поверхности периодичность заканчивается, для поверхностей эту модель необходимо модифицировать, добавив дополнительные электронные уровни в запрещенной зоне полупроводника.

» Читать запись: Безызлучательная рекомбинация на поверхности полупроводника

Безызлучательная рекомбинация в объеме материала

August 4, 2011

Рекомбинация в полупроводниках бывает в основном двух видов: излучательная и безызлучательная. На рис. 2.5 показано, что в каждом акте излучательной рекомбинации происходит возбуждение одного фотона с энергией, равной ширине запрещенной зоны. В ходе безызлучательной рекомбинации энергия электрона расходуется на возбуждение колебаний атомов кристаллической решетки, т. е. преобразуется в тепло. По этой причине в излучающих устройствах акты безызлучательной рекомбинации считаются нежелательными.

» Читать запись: Безызлучательная рекомбинация в объеме материала

Фотодатчики, общие сведения

February 28, 2011

Фотоэлектрические явления в полупроводниках

В современной электронной технике широко используются полупроводниковые приборы, основанные на принципах фотоэлектрического и электрооптического преобразования сигналов. Первый из этих принципов обусловлен изменением электрофизических свойств вещества в результате поглощения в нем световой энергии (квантов света). При этом изменяется проводимость вещества, то есть возникает ЭДС, что приводит к изменениям тока в цепи, в которую включен фоточувствительный элемент. Второй принцип связан с генерацией светового излучения в веществе, обусловленной приложенным к нему напряжением и протекающим через светоизлучающий элемент током. Указанные принципы составляют научную основу оптоэлектроники — научно-технического направления, в котором для передачи, обработки и хранения информации используются как электрические, так и оптические средства и методы.

» Читать запись: Фотодатчики, общие сведения

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты