Записи с меткой ‘полупроводников’

Отличительные свойства полупроводников

May 19, 2013

Среди твердых тел, как хорошо известно, можно выделить определенные группы веществ, отличающихся природой сил, действующих между атомами в твердом теле, и особенностями их зонной структуры, — металлы, полупроводники, диэлектрики.

В металлах преимущественным типом химической связи между атомами является металлический тип связи, а в полупроводниках и диэлектриках — ковалентный или ковалентно-ионный и ионно-ковалентный типы связи соответственно.

» Читать запись: Отличительные свойства полупроводников

Элементарные  полупроводники – основы материаловедения

May 16, 2013

Элементы, обладающие полупроводниковыми свойствами, то есть имеющие преимущественно ковалентный  тип  связи,  образуют  в  таблице Д. И. Менделеева компактную группу. Снизу и слева с нею граничат металлы, сверху и справа — вещества, в твердом состоянии являющиеся изоляторами (табл. 1.1).

» Читать запись: Элементарные  полупроводники – основы материаловедения

Диффузия и растворимость газов – основы материаловедения

May 1, 2013

Выращивание монокристаллов полупроводников, а также высокотемпературный прогрев при различных технологических операциях часто проводятся в атмосферах водорода, инертных газов (гелий, аргон и т. д.) или в вакууме. Кроме того, при нагреве камера роста кристаллов «дегазируется», выделяя в значительных количествах кислород и другие адсорбированные на стенках камеры газы. Все эти газы способны растворяться в расплаве и проникать в кристалл.

» Читать запись: Диффузия и растворимость газов – основы материаловедения

Соединения с дефектной структурой – основы материаловедения

April 24, 2013

Кроме полупроводников, структура которых является производной от структуры алмаза и которые образуются путем заполнения дополнительных мест в этой решетке, существуют полупроводники с дефектными структурами на основе структур сфалерита и вюртцита. Это соединения четвертого типа. Они образуются при замене атомов A из II подгруппы на атомы из III подгруппы и изменении их числа с трех на два для сохранения общего числа электронов в молекуле. С точки зрения правила нормальной валентности и правила Музера-Пирсона такое изменение роли не играет — в обоих случаях ne = 24, NB = 3, NBB = 0. Однако число валентных электронов на атом становится больше 4 (24/5 = 4.8). Такая ситуация приводит к образованию дефектной тетраэдрической структу

» Читать запись: Соединения с дефектной структурой – основы материаловедения

Основные группы полупроводниковых материалов

April 23, 2013

В настоящее время известно 104 химических элемента, из них 79 металлов и 25 неметаллов. Среди последних 13 элементов проявляют полупроводниковые, а остальные 12 — диэлектрические свойства (см. табл. 1.1).

Но кроме элементарных полупроводников насчитываются сотни и даже тысячи соединений, твердых растворов, обладающих полупроводниковыми свойствами. Поэтому было бы целесообразно классифицировать полупроводниковые материалы.

» Читать запись: Основные группы полупроводниковых материалов

Сборки на радиаторе (ТО-3, ТО-220, ТО-218 и т.д.)

November 17, 2011

Эта физическая ситуация может быть смоделирована так, как показано на рис. А.2. Термическое уравнение будет выглядеть следующим образом:

7](max) = Лз (Rqic + RQCS + RQSA) + TK. (A. 1)

» Читать запись: Сборки на радиаторе (ТО-3, ТО-220, ТО-218 и т.д.)

Сборки без радиатора (свободностоящие)

November 9, 2011

От сборок мощных полупроводников, не смонтированных на подходящем радиаторе, можно ожидать рассеивания до 5% максимальной специфицированной мощности сборки. Так, устройства на 100 Вт, если они свободностоящие, будут рассеивать лишь 1-2 Вт. Сюда также входят ситуации, когда в качестве теплоотвода используется медное покрытие печатной платы. Таким образом, если большое значение играет стоимость сборки, проектировщику предоставляется большая свобода выбора. Термическая модель для случая свободностоящей сборки (рис. А.З) представлена на рис. А.4.

» Читать запись: Сборки без радиатора (свободностоящие)

Материалы для преобразователей длины волны

October 21, 2011

Преобразователи длины волны создают на основе: люминофоров, полупроводников и красителей. Эти материалы характеризуются следующими параметрами: длина поглощаемой волны, длина излучаемой волны и квантовый выход. Квантовый выход хороших преобразователей близок к 100%. Полный к. п. д. преобразователя длины волны определяется выражением

» Читать запись: Материалы для преобразователей длины волны

Согласование параметров кристаллических решеток

October 4, 2011

Рис. 7.11. Временные зависимости интенсивности излучения двух мезаструк- турных и двух планарных светодиодов (Schubert, Hunt, 1998)

» Читать запись: Согласование параметров кристаллических решеток

Встроенный усилитель и фотодиод для ИК

November 15, 2010

   Некоторые изготовители полупроводников (Siemens, Temic и др.) используют для фотодиодов пластмассовые корпусы, чтобы иметь возможность разместить в них, кроме светодиода, предусилитель с АРУ и полосовой фильтр. Эти схемы, предназначенные в основном для устройств дистанционного управления, настолько отработаны, что в большинстве случаев позволяют обойтись без предусилителя в отдельном корпусе.

» Читать запись: Встроенный усилитель и фотодиод для ИК

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты