Записи с меткой ‘полупроводниковых’

Основные типы корпусов для полупроводниковых приборов и микросхем силовой электроники

May 8, 2015

С точки зрения методов и конструктивных решений проблемы отвода тепла все корпуса для полупроводниковых приборов и ИМС силовой электроники можно разделить на три группы (рис. 6.2):

1)                       корпуса, не предусматривающие посадку прибора на теплоотвод (радиатор). Эти решения обычно применяются для маломощных приборов, не требующих специальных мер охлаждения. Это пластмассовые корпуса типа DIP, SO (SOIC), ТО-92 (КТ-26), металло-керамические корпуса с планарным расположением выводов и др.;

» Читать запись: Основные типы корпусов для полупроводниковых приборов и микросхем силовой электроники

Охлаждение полупроводниковых приборов в силовой электронике

July 4, 2013

Обеспечение приемлемой температуры р-и-переходов в полупроводниковых приборах является важнейшим аспектом обеспечения их надежности. Это довольно просто в стационарном режиме работы, когда максимально допустимые токи указаны в технической документации. Ненамного сложнее определить изменение температуры при включении прибора. В технической документации приводятся переходные тепловыехарактеристики, связывающие увеличение температуры р-и-нерехода по сравнению с температурой корпуса прибора во время воздействия единичного скачка приложенной к нему мощности. Для получения полного теплового сопротивления между р-и-переходом прибора и окружающей средой необходимо сложить тепловое сопротивление р-и-переход—корпус для стационарного режима работы с тепловым сопротивлением корпус—теплоотвод и с тепловым сопротивлением теплоотвод—окружающая среда. Разность тем-

» Читать запись: Охлаждение полупроводниковых приборов в силовой электронике

Химические связи в полупроводниках, производных от ANB8−N

June 5, 2013

Для развития прикладной полупроводниковой электроники требуется получение полупроводниковых материалов с заданными свойствами. В рамках обычного эмпирического подхода с этой целью синтезируют большое число кристаллов разного состава, изучают их свойства и находят тот

» Читать запись: Химические связи в полупроводниках, производных от ANB8−N

Легирование полупроводниковых материалов

May 27, 2013

Для изготовления многих полупроводниковых приборов необходим легированный материал. Возможны следующие способы легирования: 1) легирование уже выращенных кристаллов; 2) легирование кристаллов в процессе выращивания из жидкой фазы; 3) легирование кристаллов в процессе выращивания из газовой фазы.

» Читать запись: Легирование полупроводниковых материалов

Эпитаксия – основы материаловедения

May 17, 2013

Слово эпитаксия состоит из двух греческих слов: «эпи» — «над» и «таксис» — «упорядочивание». Поэтому термин эпитаксия означает наращивание кристаллографически ориентированных монокристаллических слоев на монокристаллические подложки или друг на друга. Монокристаллическая подложка в процессе выращивания играет роль затравочного кристалла.

» Читать запись: Эпитаксия – основы материаловедения

Тройные полупроводниковые соединения – основы материаловедения

May 10, 2013

Тройные соединения и твердые растворы на их основе являются поистине неисчерпаемым источником полупроводниковых материалов с широ

ким спектром физико-химических свойств. Химические связи в тройных полупроводниковых фазах, также как и в двойных, носят смешанный характер — ковалентно-ионный-металлический. Специфика связей в этих материалах обусловлена наличием атомов трех сортов.

» Читать запись: Тройные полупроводниковые соединения – основы материаловедения

Металлическая составляющая связи, ионная составляющая связи и ширина запрещенной зоны в полупроводниках

April 21, 2013

Деление веществ по преимущественному характеру межатомной связи (ионная, ковалентная, металлическая) соответствует их качественному делению на диэлектрики, полупроводники и металлы, поскольку характер химической связи определяет физические свойства материалов. Естественно, поэтому предпринимались и предпринимаются многочисленные попытки установить корреляцию между важнейшими параметрами полупроводниковых материалов (шириной запрещенной зоны Eg, подвижностью носителей заряда µ, теплопроводностью κ) и их кристаллохимиче

» Читать запись: Металлическая составляющая связи, ионная составляющая связи и ширина запрещенной зоны в полупроводниках

СВЧ-МЕТОДИКА БЕСКОНТАКТНОГО ИЗМЕРЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОГО ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПЛАСТИНАХ КРЕМНИЯ

March 1, 2013

Карпович И. А., Адакимчик А. В., Козлова Е. И., Оджаев В. Б., Янковский О. Н. Белгосуниверситет пр. Независимости, 4, г. Минск, 220050, Беларусь e-mail: karpovich@bsu.by

Аннотация – Разработана методика бесконтактного измерения времени жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ) в пластинах кремния, позволяющая создавать карты распределения эффективного времени жизни ННЗ по поверхности полупроводниковых пластин.

» Читать запись: СВЧ-МЕТОДИКА БЕСКОНТАКТНОГО ИЗМЕРЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОГО ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПЛАСТИНАХ КРЕМНИЯ

Памяти Владимира Филипповича Дряхлушина (3.05.1944-21.12.2005))

February 3, 2013

21         декабря 2005 года после тяжелой болезни на 62 году жизни ушёл из жизни учёный-физик, член Программного комитета КрыМиКо Владимир Филиппович Дряхлушин.

» Читать запись: Памяти Владимира Филипповича Дряхлушина (3.05.1944-21.12.2005))

ИСТОРИЯ, СОСТОЯНИЕ И ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ТЕМАТИКИ АКТИВНЫХ СВЧ УСТРОЙСТВ В ЦНИРТИ – ЧАСТЬ 4

July 27, 2012

Создание первых в институте (и в стране) серийных ЛБВ непрерывного действия в коротковолновой части сантиметрового диапазона волн под руковод-

» Читать запись: ИСТОРИЯ, СОСТОЯНИЕ И ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ТЕМАТИКИ АКТИВНЫХ СВЧ УСТРОЙСТВ В ЦНИРТИ – ЧАСТЬ 4

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты