Записи с меткой ‘porous’

PHYSICS-TECHNOLOGICAL FABRICATION FEATURES AND PARAMETERS OF InP MM-WAVE GUNN DIODES

February 6, 2013

I. N. Arsentiev\ A. E. Belyaev^, A. V. Bobyl\ N. S. Boltovets^, V. N. Ivanov^, V. M. Kovtonyuk^,

R. V. Konakova^, Ya. Ya. Kudryk , V. V. Milenin^, I. S. Tarasov\ E. P. Markovskyi^, R. A. Red’ko^, E. V. Russu^

^Ioffe Physico-Technical Institute RAN 26 Politekhnicheskaya St., Sankt-Peterburg, 194021 Russia e-mail: arsentyev@mail.ioffe.ru; Ph.: +{7-812) 247-91-34 ^V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine

» Читать запись: PHYSICS-TECHNOLOGICAL FABRICATION FEATURES AND PARAMETERS OF InP MM-WAVE GUNN DIODES

СИНТЕЗ НИКЕЛЕВЫХ НАНОПРОВОДНИКОВ В ПОРАХ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ

January 5, 2013

Горох Г. Г., Мозалев А. М., Соловей Д. В., Сахарук В. Н. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники БГУИР г. Минск, П. Бровки, д. 6., 220013, Беларусь Тел.: +375 17 2398047; e-mail: gorokh@bsuir.unibel.by

Аннотация – Приведены результаты разработки процесса электрохимического анодирования тонкопленочной композиции Al-Ni, в результате которого образуются высокоупорядоченные диэлектрические матрицы анодного оксида алюминия (АОЛ) со сквозными наноразмерными порами, и процесса электрохимического осаждения никелевых проводников в эти модифицированные матрицы.

» Читать запись: СИНТЕЗ НИКЕЛЕВЫХ НАНОПРОВОДНИКОВ В ПОРАХ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты