Записи с меткой ‘потерь’

Экономичная плотность тока

March 28, 2015

Можно иначе сформулировать задачу о самой выгодной электропередаче. Предположим, что линия передачи задана, сечение ее проводников известно, а требуется найти силу тока, которую выгоднее всего пропускать по этой линии.

Чем больше сила тока, тем выше полная передаваемая по линии мощность, и тем меньшая доля расходов

» Читать запись: Экономичная плотность тока

Ультрабыстрые диоды (диоды Шоттки)

September 8, 2013

Идеально подходят для силовых схем так называемые диоды Шоттки. Отличие диодов Шоттки от других диодов состоит в том, что они производятся по оригинальной технологии, и в их структуре практически отсутствуют неосновные носители заряда, которые как раз и влияют на величину времени обратного восстановления. На сегодняшний день в номенклатуре фирм можно встретить диоды Шоттки, допускающие прямой ток через себя порядка 240 А, например, 249NQ150 производства фирмы «International Rectifier». Другое преимущество диодов Шоттки — более низкое падение напряжения в открытом состоянии, что делает их незаменимыми в низковольтных схемах.

» Читать запись: Ультрабыстрые диоды (диоды Шоттки)

Динамические характеристики транзисторов IGBT

August 27, 2013

Динамические характеристики транзисторов IGBT, как мы уже говорили, «закладываются» на этапе их изготовления. Конечно, в технической документации имеются данные о величине заряда затвора транзисторов IGBT, обозначаемого как Qgy и эта величина пригодится для проектирования схемы управления (драйвера), или его выбора из имеющихся на рынке готовых вариантов. Но однозначно использовать величину заряда затвора для оценки потерь переключения по методике, приведенной в рассказе о транзисторах MOSFET, для транзисторов IGBT нельзя. Такая ситуация складывается потому, что транзистор IGBT имеет сложную внутреннюю структуру, а также сложный характер выключения с «токовым хвостом».

» Читать запись: Динамические характеристики транзисторов IGBT

ШИРОКОПОЛОСНЫЙ монолитный ФАЗОВРАЩАТЕЛЬ ДЛЯ АФАР Х-ДИАПАЗОНА

February 18, 2013

Радченко В. В., Радченко А. В.

ФГУП «ЦНИРТИ им. академика А. И. Берга» ул. Новая Басманная, 20, г. Москва, 105066, Россия тел.: +7(495) 263-95-22, e-mail: optimizer@mail.ru Бутерин А. В.

ЗАО НПЦ «Алмаз-Фазотрон»

1,                                        ул. Панфилова, г. Саратов, 410033, Россия тел.: +7(8452) 479-933, e-mail: ruletka88@mail.ru

» Читать запись: ШИРОКОПОЛОСНЫЙ монолитный ФАЗОВРАЩАТЕЛЬ ДЛЯ АФАР Х-ДИАПАЗОНА

ОПТИМИЗАЦИЯ КОНСТРУКЦИИ ОГРАНИЧИТЕЛЯ мощности мм ДИАПАЗОНА

February 6, 2013

Каток В. Б., Манько А. А. Гэсударственный университет информационно-коммуникационных технологий НИЦЛКС, ул. Соломенская, 7а, г. Киев, 03110, Украина тел. 248-8592, e-mail: manko_alex@ukrpost.net

Аннотация – Проведена оптимизация размещения активных элементов ограничителя мощности мм диапазона позволяющая обеспечить рабочую полосу частот, совпадающую рабочей полосой волновода сечения 7,2×3,4 мм.

» Читать запись: ОПТИМИЗАЦИЯ КОНСТРУКЦИИ ОГРАНИЧИТЕЛЯ мощности мм ДИАПАЗОНА

волноводный диодный ОГРАНИЧИТЕЛЬ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА ДЛИН ВОЛН

February 4, 2013

Гудкова Н. Б.

ФГУП НПП «Исток» г. Фрязино, 141190, Россия тел.: +7(095) 4658618 Шнитников А. С.

Московский энергетический институт (технический университет) Кафедра полупроводниковой электроники ул. Красноказарменная, 14, г. Москва, 111250, Россия тел.: +7(095) 3627596, e-mail: ShnitnikovAS@mpei.ru

» Читать запись: волноводный диодный ОГРАНИЧИТЕЛЬ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА ДЛИН ВОЛН

ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЯЗИ КВАЗИОПТИЧЕСКОГО ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО РЕЗОНАТОРА ИЗ ЛЕЙКОСАПФИРА С МИКРОПОЛОСКОВОЙ ЛИНИЕЙ

February 3, 2013

Нечаев О. Г., Скресанов В. Н. Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова НАН Украины ул. Ак. Проскуры,12, Харьков, 61085, Украина тел.:(057) 720-34-55, e-mail: valery@ire.kharkov.ua

Аннотация – Экспериментально исследованы закономерности связи квазиоптического диэлектрического резонатора (КДР) из лейкосапфира с микрополосковой линией (МПЛ) из армированного фторопласта-4 в Ки диапазоне. Предложено организовывать связь в пространстве «МПЛ под КДР», что отличается от известного способа связи «ЬЗДР на подложке МПЛ». Показано, что при связи способом «МПЛ под КДР» потери энергии резонансного поля в подложке пренебрежимо малы по сравнению с собственными потерями в КДР. Установлено наличие нескольких зон связи, разделённых зонами отсутствия связи как для квази-Е, так и для квази-Н типов колебаний.

» Читать запись: ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЯЗИ КВАЗИОПТИЧЕСКОГО ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО РЕЗОНАТОРА ИЗ ЛЕЙКОСАПФИРА С МИКРОПОЛОСКОВОЙ ЛИНИЕЙ

СОБСТВЕННАЯ ДОБРОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ КОЛЕБАНИЙ В ПОЛУОТКРЫТЫХ волноводных РАЗВЕТВЛЕНИЯХ РАЗЛИЧНЫХ КОНФИГУРАЦИЙ С ДИЭЛЕКТРИКОМ

January 29, 2013

Стрижаченко А. В., Звягинцев А. А., Чижов В. В., Решетняк Ю. Б. Харьковский национальный университет пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61077, Украина тел.: (057)7075424,7075319, факс:(38) 0572437044, e-mail: Aleksander. V.Strizhachenko@univer.kharkov.ua,

Аннотация – В работе дана сравнительная характеристика собственных добротностей волноводных разветвлений различного поперечного сечения: цилиндрический- радиальный волноводы, прямоугольный-прямоугольный волноводы, цилиндрический-прямоугольный волноводы. Даны рекомендации по использованию волноводных разветвлений конкретного типа для измерения диэлектрических потерь определенных материалов.

» Читать запись: СОБСТВЕННАЯ ДОБРОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ КОЛЕБАНИЙ В ПОЛУОТКРЫТЫХ волноводных РАЗВЕТВЛЕНИЯХ РАЗЛИЧНЫХ КОНФИГУРАЦИЙ С ДИЭЛЕКТРИКОМ

ИССЛЕДОВАНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ С МАЛЫМ ПОГЛОЩЕНИЕМ В ШИРОКОМ ДИАПАЗОНЕ ТЕМПЕРАТУР

January 24, 2013

Деркач В. Н., Головащенко Р. В., Горошко Е. В., НедухС. В., Таранов С. И. Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова НАН Украины ул. Ак. Проскуры, 12, Харьков, 61085, Украина тел: 8(057)-7203-463, e-mail: derkach@ire.l<harl<ov.ua

Аннотация – Описана работа криодиэлектрометра, предназначенного для измерения диэлектрических параметров материалов с малым поглощением в миллиметро- вом диапазоне длин волн. Анализируются зависимости тангенса угла потерь от температуры для ряда диэлектрических и полупроводниковых материалов в диапазоне частот 40-80 ГГц и диапазоне температур 0.85-300 К.

» Читать запись: ИССЛЕДОВАНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ С МАЛЫМ ПОГЛОЩЕНИЕМ В ШИРОКОМ ДИАПАЗОНЕ ТЕМПЕРАТУР

СКАЛЯРНЫЙ МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА СВЯЗИ ГЕНЕРАТОРА ДИФРАКЦИОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С НАГРУЗКОЙ

January 11, 2013

Мирошниченко В. С., Сенкевич Е. Б Институт радиофизики и электроники им А. Я. Усикова НАН Украины ул. Академика Проскуры 12, г. Харьков, 61085, Украина тел.: 38(057) 7203393

Аннотация – Предложена методика скалярных измерений коэффициента связи и собственной добротности колебаний в открытых резонансных системах (ОРС) с учетом радиационных (нерезонансных) потерь в узле связи. На примере генератора дифракционного излучения (ГДИ) проведено сравнение различных методик определения коэффициента связи ОРС с нагрузкой.

» Читать запись: СКАЛЯРНЫЙ МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА СВЯЗИ ГЕНЕРАТОРА ДИФРАКЦИОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С НАГРУЗКОЙ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты