Записи с меткой ‘поверхности’

О некоторых «тонкостях» технологии силовой преобразовательной техники

September 6, 2013

При производстве, особенно серийном, силовой преобразовательной техники необходимо уделить внимание технологическим аспектам ее изготовления. Именно на этом этапе должны быть учтены специфические технологические приемы, которые позволят исключить большой процент брака на выходе готовой продукции. Конечно, мы не будем здесь упоминать такие стандартные технологические приемы, как необходимость входного контроля поступающих на сборку электронных компонентов и механических деталей, чистоту отмывки печатных плат, надежность пайки, необходимость покрытия влагозащитными лаками критичных к воде узлов, общую культуру производства. Эти меры очевидны, и на любом предприятии, производящем серийную электронную технику, они включены в систему качества. Мы поговорим о тех специфических требованиях, которые необходимо ввести в процесс изготовления мощных статических преобразователей.

» Читать запись: О некоторых «тонкостях» технологии силовой преобразовательной техники

Метод сублимации–конденсации – основы материаловедения

June 9, 2013

Метод сублимации–конденсации можно применять для выращивания конгруэнтно испаряющихся полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе, компоненты которых обладают достаточно высокими давлениями паров (≈1 мм рт. ст.), а также в случаях, когда кристаллы материалов сложно вырастить другими методами. Выращивание

» Читать запись: Метод сублимации–конденсации – основы материаловедения

Образование центров новой фазы – основы материаловедения

June 3, 2013

Механизм образования центров новой фазы может быть гомогенным или гетерогенным.

Гомогенное образование центров новой фазы

Гомогенным называется образование зародыша новой фазы в объеме исходной фазы, сопровождающееся образованием всей поверхности, ограничивающей зародыш. Гиббс впервые показал, что зародыш новой фазы становится устойчивым лишь при условии, что его размер превосходит определенное критическое значение. Области новой фазы, размер которых меньше критического, называются зародышами, а размер которых больше критического, — центрами новой фазы (в случае кристаллизации центры новой фазы  часто называют центрами кристаллизации). Френкель подробнее рассмотрел условия зарождения частиц новой фазы и определил размер критического зародыша.

» Читать запись: Образование центров новой фазы – основы материаловедения

Экспериментальное  изучение  процессов зародышеобразования,  роста и совершенства эпитаксиальных пленок в зависимости от условий роста

May 26, 2013

Экспериментальное изучение процессов зародышеобразования, роста эпитаксиальных пленок и их качества в зависимости от условий выращивания сейчас проводится с помощью самой современной аппаратуры непосредственно в процессе конденсации. На основании этих исследований можно сделать выводы о местах преимущественной адсорбции атомов, изучить влияние загрязняющих газов на образование зародышей, оценить плотность, совершенство и ориентацию зародышей, а также количественно оценить Eдиф и Eдес.

» Читать запись: Экспериментальное  изучение  процессов зародышеобразования,  роста и совершенства эпитаксиальных пленок в зависимости от условий роста

Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) – основы материаловедения

May 25, 2013

МЛЭ или MBE6 представляет собой процесс эпитаксиального роста слоев различных соединений, происходящий за счет реакций между термически создаваемыми молекулярными или атомными пучками соответствующих компонентов на поверхности подложки, находящейся в сверхвысоком вакууме при повышенной температуре. В основе этой технологии лежит возможность роста эпитаксиальных пленок, по существу, в динамическом режиме в отличие от более традиционных методов, где рост идет в условиях, близких к термодинамическому равновесию. МЛЭ характеризуется:

» Читать запись: Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) – основы материаловедения

Диффузия из бесконечно тонкого слоя (из ограниченного источника)

May 15, 2013

Диффузия из бесконечно тонкого слоя соответствует ситуации, когда небольшое количество легирующего вещества осаждается на поверхности легируемого материала. В этом случае все диффундирующие в течение некоторого времени t с поверхности в объем атомы полностью переходят в кристалл, причем распределяются моноатомно. В любой момент времени полное количество диффундирующих атомов остается постоянным.

» Читать запись: Диффузия из бесконечно тонкого слоя (из ограниченного источника)

Получение кристаллов из жидкой фазы

May 6, 2013

Все технологические методы выращивания монокристаллов из жидкой фазы можно разделить на две группы: выращивание из собственных расплавов и выращивание из растворов.

Расплав — это жидкая фаза, состав которой соответствует составу кристаллизующегося нелегированного вещества или соединения.

» Читать запись: Получение кристаллов из жидкой фазы

Рост из газовой фазы с использованием металлорганических соединений

May 4, 2013

В последнее время усиленно развивается технология выращивания сверхрешеточных структур из газовой фазы с использованием металлорганических соединений (MOCVD4). В основе этого метода лежит метод химических реакций.

MOCVD представляет собой метод выращивания, в котором необходимые компоненты доставляются в камеру роста в виде газообразных металлорганических алкильных соединений, и рост слоя осуществляется при термическом разложении (пиролизе) этих газов и последующей химической реакции между возникающими компонентами на нагретой пластине-подложке [46]. В настоящее время посредством этого метода можно выращивать большинство полупроводниковых соединений AIIIBV, AIIBVI, AIVBIV.

» Читать запись: Рост из газовой фазы с использованием металлорганических соединений

Выращивание кристаллов из газообразной фазы

April 21, 2013

Широко распространено мнение, что выращивание монокристаллов из газообразной фазы не имеет большого практического значения ввиду малых скоростей роста, присущих этому методу. Действительно, скорость роста монокристаллов из газообразной фазы обычно равна сотым долям мм/ч, что на несколько порядков ниже, чем при вытягивании кристаллов из расплава. Рост из газообразной фазы применяется в основном для выращивания тонких эпитаксиальных пленок, используемых в технологии полупроводниковых приборов, и для получения небольших монокристаллов тугоплавких материалов, а также полупроводниковых соединений, которые плавятся с разложением. Кроме того, поскольку высокопроизводительные методы выращивания монокристаллов из расплавов не всегда обеспечивают высокую однородность их свойств, то для получения особо качественных небольших кристаллов полупроводников используются методы выращивания из газообразной фазы. Эти методы, естественно, не устраняют все причины, приводящие к дефектности кристаллов. Процессы выращивания монокристаллов из газообразной фазы тоже весьма чувствительны к колебаниям внешних условий и составу питающей фазы. Однако влияние этих колебаний значительно сглажено благодаря малым скоростям роста, что способствуют приближению к более равновесным условиям роста.

» Читать запись: Выращивание кристаллов из газообразной фазы

Метод химических  реакций  (диссоциации или восстановления  газообразных  химических соединений)

April 21, 2013

Метод диссоциации или восстановления газообразных химических соединений оказывается весьма эффективными для выращивания из газообразной фазы монокристаллических слитков тугоплавких соединений, компоненты которых при приемлемых технологических температурах обладают незначительными давлениями паров. В этом методе для получения монокристаллов из газовой фазы используются химические реакции. Источник состоит из газообразных молекул сложного состава, содержащих атомы кристаллизующегося вещества. Кристалл заданного состава образуется в результате химической реакции, протекающей на поверхности затравки или подложки (или вблизи нее) и приводящей к выделению атомов кристаллизующегося вещества.

» Читать запись: Метод химических  реакций  (диссоциации или восстановления  газообразных  химических соединений)

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты