Записи с меткой ‘поверхности’

Разработка термической модели

October 29, 2011

Термический системный анализ — это, фактически, вариант закона Ома. Существуют элементы эквивалентных цепей, которые непосредственно соответствуют элементам внутри электрической области (табл. А.1).

Таблица А.1. Аналогичные элементы термической и электрической областей

» Читать запись: Разработка термической модели

Индекс цветопередачи для излучателей, расположенных на кривой Планка

October 23, 2011

Приведенные ниже расчеты позволяют найти значение АЕ*, которое в соответствии с уравнением (19.10) необходимо для определения индекса цветопередачи тестируемого источника. Такие расчеты справедливы для испытуемых излучателей, расположенных либо непосредственно на кривой Планка, либо на очень небольшом расстоянии от нее. Формулы взяты из работы (Wyszecki, Stiles, 1982) и публикации МКО (CIE, 1995). Величина АЕ*, являющаяся цветовой разностью эталонной поверхности при ее освещении эталонным и тестируемым источниками находится по формуле

» Читать запись: Индекс цветопередачи для излучателей, расположенных на кривой Планка

Спектры ультрафиолетового излучения

October 12, 2011

Граница между диапазонами ультрафиолетового (УФ) и видимого излучений проходит на длине волны, приблизительно равной 390 нм, при которой чувствительность человеческого зрения по диаграмме МКО 1978 г. (МКО — Международная комиссия по освещению) составляет 0,1 % от максимального значения. В этой главе будут рассматриваться светодиоды на основе нитридов III группы, излучающие в УФ (Л < 390 нм) и фиолетовом (Л и 390-410 нм) диапазонах спектра. Хотя последняя группа устройств излучает свет в видимом диапазоне, их часто относят к ультрафиолетовым излучателям. УФ-светодиоды различаются типом активных областей. Здесь будут рассматриваться диоды с активными областями InGaNи AlGaN, излучающими свет на длинах волн А > 360 нм и А < 360 нм соответственно.

» Читать запись: Спектры ультрафиолетового излучения

Поверхностно-излучающие светодиоды, работающие на длине волны 1300 нм

October 11, 2011

В волоконно-оптических системах связи на основе кварцевых световодов с градиентным профилем показателя преломления, позволяющих передавать информацию с высокой скоростью, используют светодиоды, излучающие свет на длине волны 1300 нм. На рис. 23.2 показана структура такого светодиода (Sauletal., 1985). Излучение проходит через подложку InP, прозрачную на длине волны 1300 нм. Соответственно кристалл в корпусе светодиода монтируется эпитаксиальным слоем вниз.

» Читать запись: Поверхностно-излучающие светодиоды, работающие на длине волны 1300 нм

Безызлучательная рекомбинация на поверхности полупроводника

October 2, 2011

Безызлучательная рекомбинация может происходить не только в объеме, но и на поверхности полупроводников, так как именно здесь часто нарушается периодичность кристаллической решетки. Модель энергетических зон основывается на строгом соблюдении периодичности решетки. Поскольку на поверхности периодичность заканчивается, для поверхностей эту модель необходимо модифицировать, добавив дополнительные электронные уровни в запрещенной зоне полупроводника.

» Читать запись: Безызлучательная рекомбинация на поверхности полупроводника

Применение полупроводников с текстурированной поверхностью

September 29, 2011

Другим эффективным способом повышения коэффициента оптического вывода светодиодов является применение полупроводников с шероховатой или текстурированной поверхностью. В работах Шнитцера и др. (Schnitzeretal. 1993) и Виндиша и др. (Windischetal., 1999, 2000, 2001, 2002) было показано, что для инфракрасных светодиодов GaAsпри применении таких материалов возможно улучшение внешнего квантового выхода до 50%. В работе Зинцингера и Янса (Sinzinger, Jahns, 1999) подробно обсуждаются свойства полу-

» Читать запись: Применение полупроводников с текстурированной поверхностью

Пространственное распределение излучения (диаграммы направленности) светодиодов

September 27, 2011

Все светодиоды обладают собственным пространственным распределением излучения в дальнем поле, или диаграммой направленности (в светотехнике также принят термин «кривая силы света»).

Интенсивность излучения в заданной точке, измеряемая в единицах Вт/см2, определяется ее полярными координатами, т. е. расстоянием от этой точки до светодиода и углом между ним и горизонтальной плоскостью. Для нахождения полной оптической мощности светодиода

» Читать запись: Пространственное распределение излучения (диаграммы направленности) светодиодов

Светодиоды в волоконно-оптических системах связи

September 13, 2011

Светодиоды применяются в системах волоконно-оптической связи, передающих данные на сравнительно короткие расстояния с низкими и средними скоростями. Поскольку время жизни спонтанного излучения в сильно возбужденных "полупроводниках составляет ~ 1 не, максимально достижимые скорости передачи данных в системах со светодиодами ограничены значением 1 Гбит/с. Поэтому в волоконно- оптических системах на основе светодиодов нельзя передавать данные со скоростью несколько Гбит/с. Однако скорости передачи данных в несколько сотен Мбит/с полностью удовлетворяют требованиям большинства систем локальной связи.

» Читать запись: Светодиоды в волоконно-оптических системах связи

ДВИЖЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ В ВАКУУМЕ. КАТОДЫ ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМП

August 15, 2011

Электрон, открытый в самом конце прошлого века, до сих пор представляет собой объект научных исследований, которые откры­вают все новые и новые его свойства. Уже давно установлено, что электрон обладает отрицательным зарядом е = 1,6 • 10-19 к массой покоя т = 9 • 10-28 г1.

» Читать запись: ДВИЖЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ В ВАКУУМЕ. КАТОДЫ ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМП

СИГНАЛИЗАТОР ГОЛОЛЕДА

August 14, 2011

Эксплуатируя автомобиль в период от осени до весны, мы часто сталкиваемся с меняющимися условиями движения. Особенно опасны локальные обледенения поверхности дороги. Представленное устройство сигнализирует о понижении температуры вблизи шоссе и возможном появлении гололеда.

» Читать запись: СИГНАЛИЗАТОР ГОЛОЛЕДА

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты