Записи с меткой ‘прибора’

Разные амперы и разные вольты

March 30, 2015

Когда по проводнику идет строго постоянный ток, то термин «один ампер» не нуждается ни в каком дальнейшем уточнении. Этот ток выделяет в секунду 0,001 г серебра из раствора, на сопротивлении в 1 ом выделяет в секунду 0,24 /сал, два длинных параллельных проводника, отстоящих на 1 см друг от друга и несущих одинаково направленные токи, притягиваются с силой, равной 4 г на каждый сантиметр своей длины.

» Читать запись: Разные амперы и разные вольты

Статистический анализ параметров прибора (п-МОП транзистора)

March 16, 2015

На основании данных (полученных с использованием RSM методологии), показывающих «отклик» выходных характеристик технологического маршрута формирования структуры η-МОП транзистора на флуктуации значимых технологических параметров, далее проводится статистический анализ электрических характеристик прибора — в обсуждаемом здесь примере — η-МОП транзистора.

» Читать запись: Статистический анализ параметров прибора (п-МОП транзистора)

Проблема отвода тепла. Тепловое сопротивление. Способы уменьшения теплового сопротивления

March 8, 2015

Силовые полупроводниковые приборы и силовые интегральные микросхемы (ИМС) рассеивают сравнительно большую мощность. Поэтому одной из важнейших задач разработчика силового прибора является поиск и реализация соответствующего технического решения, обеспечивающего эффективный отвод избыточной тепловой энергии от активной структуры полупроводникового кристалла. Все современные мощные силовые полупроводниковые устройства выпускаются в корпусах, обеспечивающих эффективный тепловой контакт между их металлической поверхностью и специально для этих целей предназначенным внешним радиатором. Во многих случаях эта металлическая поверхность силового устройства электрически связана с одним из выводов устройства (например, у мощного п-р-п-транзистора она связана с его коллектором, у ИМС стабилизатора напряжения — с отрицательным выводом источника питания).

» Читать запись: Проблема отвода тепла. Тепловое сопротивление. Способы уменьшения теплового сопротивления

Развитие коллектива, развитие направлений  555 Часть 7

January 31, 2015

В 1969 году завершил серию запоминающих осциллографов принципиально новый автоматизированный прибор С8-8 (С1-58, “Свая”) с цифровым преобразованием сигнала путем внутреннего растрового считывания потенциального рельефа с экрана бистабильной ЗЭЛТ. Принцип построения этого прибора принадлежит руководителю проекта В.М.Левину. Разработка проводилась в лаборатории А.А.Каламкарова. Ведущим инженером темы был В.М.Еременко. Основные разработчики прибора – Р.В.Боднар, В.А.Плешков, Т.С.Плешкова, А.Г.Берлин.

» Читать запись: Развитие коллектива, развитие направлений  555 Часть 7

УСИЛИТЕЛЬНЫЕ И ЗАЩИТНЫЕ СВЧ-ПРИБОРЫ, РАБОТАЮЩИЕ НА БЫСТРОЙ ЦИКЛОТРОННОЙ ВОЛНЕ ЭЛЕКТРОННОГО ПОТОКА

January 18, 2015

Ю. А. Будзинский, С. П. Кантюк, С. В. Быковский ГНПП "Исток", Фрязино

В ГНПП ’’Исток” создано и продолжает развиваться направление усилительных и защитных СВЧ-приборов, в основу которых положено взаимодействие сигнала с быстрой циклотронной волной (БЦВ) электронного потока [1-3]. Наибольшее развитие получили электростатические усилители (ЭСУ), циклотронные защитные устройства (ЦЗУ) и их комбинации с малошумящими транзисторными усилителями (ЭСКУ и ЦЗКУ). Данные приборы предназначены для работы во входных каскадах приемников импульсных РЛС в качестве устройств, обеспечивающих защиту от СВЧ-перегрузок, а также усиление сигнала с малым коэффициентом шума. Основным достоинством ЭСУ и ЦЗУ является сверхмалое время восстановления их чувствительности после воздействия СВЧ-перегрузки (характерные времена восстановления ~ 10 нс). Это позволяет создавать РЛС с высокой частотой повторения импульсов и длительностью импульсов от единиц наносекунд до миллисекунд.

» Читать запись: УСИЛИТЕЛЬНЫЕ И ЗАЩИТНЫЕ СВЧ-ПРИБОРЫ, РАБОТАЮЩИЕ НА БЫСТРОЙ ЦИКЛОТРОННОЙ ВОЛНЕ ЭЛЕКТРОННОГО ПОТОКА

ПРОГРАММНЫЕ КОМПЛЕКСЫ ДЛЯ РАЗРАБОТКИ МОЩНЫХ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ КЛИСТРОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ

January 3, 2015

А. Н. Сандалов, В. М. Пикунов, В. Е. Родякин Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Для исследования высокоэффективных клистронов наиболее корректно анализировать физические процессы во всех частях клистрона от катода до коллектора. Реализация высокой эффективности в мощных клистронных усилителях требует проведения подробного исследования нелинейных процессов во всех частях клистрона: электронной пушке, линейном и нелинейном группирователях, выходной секции и коллекторе. Для этих целей на физическом факультете МГУ им. М. В. Ломоносова на кафедре радиофизики в лаборатории источников мощного микроволнового излучения и телекоммуникаций (зав. лабораторией доцент А. Н. Сандалов) были разработаны программные комплексы Клистрон-МГУ [1, 2], Арсенал-МГУ [3] и Мультиволны-МГУ [4-6].

» Читать запись: ПРОГРАММНЫЕ КОМПЛЕКСЫ ДЛЯ РАЗРАБОТКИ МОЩНЫХ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ КЛИСТРОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ

МОЩНЫЕ ШИРОКОПОЛОСНЫЕ ПУЧКОВО-ПЛАЗМЕННЫЕ УСИЛИТЕЛИ СВЧ-КОЛЕБАНИЙ

December 20, 2014

В. И. Переводчиков, П. В. Боровиков, С. И. Гусев, М. А. Завьялов, Ю. А. Кузнецов,

Π. М. Тюрюканов, А. Л. Шапиро

ГУП "Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина" (ВЭИ), Москва

Открытие пучковой неустойчивости в плазме Файнбергом и Ахиезером [1] и последуие исследования привели к созданию плазменной СВЧ-электроники. Явление пучковой неустойчивости, основанное на черенковском резонансе, состоит в эффективном взаимодействии электронного пучка с плазмой, сопровождаемое возбуждением плазменных колебаний. Последующие эксперименты [2-4] продемонстрировали возможность высокоэффективной трансформации начальной энергии электронного пучка в микроволновую энергию возбужденных колебаний. Этой проблемой в настоящее время активно занимаются ученые Института общей физики РАН, Харьковского физико-технического института [5-6]. Большие теоретические и экспериментальные исследования по изучению влияния плазмы на дисперсионные и электронные характеристики пучково-плазменных приборов (111Ш) проводятся в Мэрилендском университете (США) [7, 8]. В компании "Huges” (США) проводится разработка и экспериментальные исследования плазменно-наполненных СВЧ-генераторов [9]. Работы по созданию приборов СВЧ на этом принципе находятся всюду пока в исследовательской стадии.

» Читать запись: МОЩНЫЕ ШИРОКОПОЛОСНЫЕ ПУЧКОВО-ПЛАЗМЕННЫЕ УСИЛИТЕЛИ СВЧ-КОЛЕБАНИЙ

МОЩНЫЙ МНОГОЛУЧЕВОЙ КЛИСТРОД ДЛЯ ТЕЛЕВИЗИОННЫХ ПЕРЕДАТЧИКОВ ДЕЦИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА

December 8, 2014

Т. А. Мишкин, М. И. Лопин, А. С. Победоносцев ГНПП "Исток", Фрязино

Рынок телевизионных передатчиков в конце 1980-х в – начале 1990-х гг. был свидетелем появления нового прибора – индуктивной выходной лампы (ЮТ). Благодаря его высоким характеристикам, линейности, надежности и малым габаритам ЮТ нашел широкое применение как мощный выходной усилитель дециметрового диапазона частот (470-860 МГц) в ТВ- передатчиках.

» Читать запись: МОЩНЫЙ МНОГОЛУЧЕВОЙ КЛИСТРОД ДЛЯ ТЕЛЕВИЗИОННЫХ ПЕРЕДАТЧИКОВ ДЕЦИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА

Специальные осциллографы группы С9-

December 5, 2014

Группа приборов С9содержит осциллографические регистраторы С9-4, С9-4А (“Сигнал”) и С9-6 (“Стропило”).

Первые два прибора С9-4 и С9-4А были разработаны в 1975 году. Главным конструктором проекта был А.Ф.Денисов, в группу разработчиков входили З.Бигелис (ведущий инженер), Ю.А.Кудыкин, Е.Н.Сверчков, Т.Плешкова. Работа проводилась в лаборатории ЛС23 В.А.Сильвеструка.

» Читать запись: Специальные осциллографы группы С9-

Развитие коллектива, развитие направлений  555 Часть 3

November 25, 2014

В 1962 году семейство пополнилось двухлучевым осциллографом С1-17 “Бахрома-Б”, в котором использовались те же сменные блоки, что и в осциллографе  С1-15. Базовый блок С1-17 имел полосу пропускания 10 МГц. Поскольку осциллограф был двухлучевой, он содержал уже два отсека для сменных блоков.

» Читать запись: Развитие коллектива, развитие направлений  555 Часть 3

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты