Записи с меткой ‘принятые’

Светодиоды с резонатором InGaAs/GaAsс длиной волны излучения 930 нм

October 29, 2011

На рис. 15.4, а показана структура светодиода с резонатором с активной областью InGaAs. Резонатор ограничен двумя отражателями: металлическим и брэгговским. В структуру светодиода также входит активная область с четырьмя квантовыми ямами и двумя барьерными слоями. На сильно легированную подложку п-типа нанесен слой ан- тиотражающего покрытия Zr02 (Schubertetal., 1994). На рис. 15.4,6 представлена фотография первого светодиода такого типа.

» Читать запись: Светодиоды с резонатором InGaAs/GaAsс длиной волны излучения 930 нм

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты