Записи с меткой ‘proposed’

МОДЕЛИРОВАНИЕ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФИЗИКОТОПОЛОГИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ

January 31, 2013

Абрамов И. И., Баранов А. Л. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники П. Бровки 6., г. Минск, 220013, Беларусь e-mail: nanodev@bsuir.edu.by

Для теоретического исследования одноэлектронной приборной структуры, изображенной на рис.1, была разработана модифицированная физикотопологическая модель, распространяющая предложенный подход [2,4 – 10] на случай композиционной структуры на основе кремния. Модель базируется на численном решении уравнения Пуассона и «основного уравнения» ( «master equation« ) одноэлектро- ники [2] для рассматриваемого случая (рис.1).

» Читать запись: МОДЕЛИРОВАНИЕ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФИЗИКОТОПОЛОГИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ

КОМПАКТНЫЕ РЕЗОНАТОРЫ, ПЕРЕХОДЫ, ФИЛЬТРЫ, ДИПЛЕКСОРЫ, МУЛЬТИПЛЕКСОРЫ ДЛЯ СИСТЕМ СВЯЗИ

July 8, 2012

Шелковников Б. Н.*, Шелковников А. Б.**, Djuradj Budimir**

* Национальный Технический Университет Украины «КПИ» Украина, 4020, 252056, г.Киев, пр.Победы 37 факс: 380(44)241-7623, e-mail: shelk(a)ukr.net Wireless Communication Research Groups, Department of Electronic Systems, University of Westminster, London W1W 6UW, UK Tel +44 207 9115139; fax +44 207 5804319, e-mail: budimid(a)wmin.ас. uk

» Читать запись: КОМПАКТНЫЕ РЕЗОНАТОРЫ, ПЕРЕХОДЫ, ФИЛЬТРЫ, ДИПЛЕКСОРЫ, МУЛЬТИПЛЕКСОРЫ ДЛЯ СИСТЕМ СВЯЗИ

МНОГОЛУЧЕВАЯ КОМПАКТНАЯ ЛБВ W-ДИАПАЗОНА

May 17, 2012

Маринин А. В., Румянцев С. А. Федеральное государственное унитарное предприятие «НПП Исток» 141190, Московская область, г. Фрязино, Вокзальная 2а, Россия Fax (095)9749013: e-mail: istkor@elnet.msk.ru

Аннотация – Рассмотрены основные принципы построения компактных многолучевых ЛБВ W-диапазона мощностью 10-50 Вт. Предложены и исследованы конструкции замедляющей системы (ЗС), согласующих устройств, многолучевой электронно-оптической системы (МЭОС) для ЛБВ мощностью 20 Вт.

» Читать запись: МНОГОЛУЧЕВАЯ КОМПАКТНАЯ ЛБВ W-ДИАПАЗОНА

ТЕРМОКОМПЕНСАЦИЯ РЕЗОНАНСНОЙ ЧАСТОТЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ РЕЗОНАТОРОВ

March 24, 2012

Пашков В. М., Молчанов В. И., Поплавко Ю. М. Национальный технический университет Украины «КПИ» Проспект Победы, 37, Киев – 03056, Украина Тел.: +38 (044) 4548450; e-mail: poplavko@ieee.org

Аннотация – Предложен новый способ термокомпенсации диэлектрических резонаторов СВЧ, изготовленных из высокодобротных, но нетермостабильных диэлектриков с высокой проницаемостью. Проанализированы границы применимости предложенного метода.

» Читать запись: ТЕРМОКОМПЕНСАЦИЯ РЕЗОНАНСНОЙ ЧАСТОТЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ РЕЗОНАТОРОВ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты