Записи с меткой ‘прямом’

Положительная обратная связь – Радиолюбительская азбука

July 9, 2015

Действие положительной обратной связи (ПОС) противоположно действию ООС: если последняя уменьшает коэффициент усиления, стабилизируя при этом все остальные характеристики ОУ и переводя его в линейный режим работы, то ПОС увеличивает коэффициент усиления до бесконечности, переводя при этом ОУ в цифровой (импульсный) режим. Такой режим работы нужен очень часто — в частности, для согласования аналоговой и цифровой частей устройства, поэтому усилители с ПОС встречаются не реже, чем усилители с ООС.

» Читать запись: Положительная обратная связь – Радиолюбительская азбука

Схемотехническая реализация источников опорного напряжения (ИОН)

May 28, 2015

Получение опорного напряжения, не зависящего от изменений температуры, напряжения питания и прочих факторов, очень важно для ИМС стабилизаторов напряжения. Кроме того, источники опорного напряжения используются во всех аналоговых ИМС для стабилизации внутреннего напряжения питания аналоговых блоков.

» Читать запись: Схемотехническая реализация источников опорного напряжения (ИОН)

Тиристоры – Полупроводниковая силовая электроника

May 10, 2015

Тиристор — это четырехслойный прибор (р-п-р-п) с тремя p-η переходами (J,, J2, J3), имеющий три вывода корпуса [ 17]. На рис. 2.15а представлено символьное обозначение, а на рис. 2.155 представлена типовая структура тиристора.

» Читать запись: Тиристоры – Полупроводниковая силовая электроника

Диод– для новичков в радиоделе

May 1, 2014

Используем при проведении испытания: диод, резистор, батарейку

» Читать запись: Диод– для новичков в радиоделе

Источник бесперебойного питания

October 2, 2012

В месте, где я живу, часто “пропадает” электричество, а вся бытовая
аппаратура рассчитана на переменное напряжение 220 В, 50 Гц. Для ее
нормального функционирования и пришлось сделать источник бесперебойного
питания (ИБП). За основу взята схема из журнала “Моделист-конструктор”.

» Читать запись: Источник бесперебойного питания

Датчик газа на микроконтроллере ATtiny13

September 16, 2012

В данной статье представлен датчик утечки газа на микроконтроллере ATtiny13,
а в качестве сенсора газа применён MQ-4 фирмы HANWEI ELETRONICS. Это
полупроводниковый датчик газа, с вполне привлекательными характеристиками:

  • Напряжение нагревателя: 5 В, ±0.1 В пост./перем. тока
  • Рабочее напряжение: 3…15 В пост. тока
  • Время отклика: менее 10 с
  • Потребляемая мощность: 750-800 мВт
  • Относительная чувствительность: ≤0.6
  • Сопротивление нагревателя: 33 Ом
  • Диапазон рабочих температур: -10…50°С

» Читать запись: Датчик газа на микроконтроллере ATtiny13

Ограничение импульсов

January 17, 2012

Чтобы получить положительные импульсы одинаковой амплитуды для использования в накопителе заряда, можно воспользоваться схемой транзисторного формирователя прямоугольных сигналов, приведенной на рис. 10.2, со стабильным источником питания или, чтобы обойтись без источника

» Читать запись: Ограничение импульсов

Транзистор

December 31, 2011

Биполярный транзистор состоит из двух /?-«-переходов, образованных слоями полупроводников с примесями. На рис. 1.13 показана самая простая конструкция «-p-n-транзистора. Тонкий слой слабо легированного полупроводника р-типа (база) расположен между двумя более толстыми слоями р-типа (эмиттер и коллектор). Толщина базы может быть меньше 1 мк.

» Читать запись: Транзистор

Высокие частоты и биполярный транзистор

December 27, 2011

Емкость база—эмиттер

В подразд. 1.3.10 было показано, что смещенный в обратном направлении p-n-переход, такой как переход коллектор—база, ведет себя подобно конденсатору, у которого емкость зависит от площади перехода и глубины обедненного слоя. Смещенный в прямом направлении р-п-переход, такой как переход база-эмиттер, также обладает емкостью СЬе, которая оказывается включенной параллельно с обычным сопротивлением в прямом направлении. У эффективной емкости р-п-перехода, смещенного в прямом направлении, имеются две основные составляющие. Первая из них — это просто емкость обедненного слоя, который у перехода, смещенного в прямом направлении, уже, чем у перехода, смещенного в обратном направлении, и поэтому при смещении в прямом направлении емкость больше; вторая составляющая полной емкости является результатом конечной скорости диффузии неосновных носителей по /?-и-переходу. Из-за сравнительно медленной диффузии этих носителей они оказываются как бы временно скопившимися в полупроводниковом материале, тогда как приложенный извне сигнал меняется быстро; этот запас заряда ведет себя по отношению к внешнему сигналу подобно заряду на пластинах обычного конденсатора. Когда напряжение в поданном извне сигнале мгновенно уменьшается, изменению коллекторного тока должно предшествовать удаление носителей из базы. Типичное значение эффективной емкости перехода база—эмиттер у маломощного кремниевого транзистора — примерно от 100 до 1000 пФ; на высоких частотах эта емкость оказывает существенное шунтирующее действие в отношении базового тока, приводя к падению коэффициента усиления тока hfe для переменных составляющих.

» Читать запись: Высокие частоты и биполярный транзистор

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты