Записи с меткой ‘quantum’

МОДЕЛИРОВАНИЕ ГЕТЕРОТРАНЗИСТОРА СО ВСТРОЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ

February 26, 2013

Аннотация – Моделируются характеристики полевого гетеротранзистора со встроенными квантовыми точками на основе двумерной численной модели.

I.                                       Введение

» Читать запись: МОДЕЛИРОВАНИЕ ГЕТЕРОТРАНЗИСТОРА СО ВСТРОЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ

ЭФФЕКТ ОХЛАЖДЕНИЯ ЭМИТТЕРНОГО КОНТАКТА КВАНТОВОГО ПРОВОДА

February 21, 2013

Обухов И. А. Интерфейс – МФГ ул. Бардина, д. 4, корп. 3, Москва, 117334, Россия тел.: +7-(095)-105-00-49, 232-29-97, e-mail: obukhov@interface-mfg. ru

Аннотация – Рассчитана температура эмиттерного контакта квантового провода как функция приложенного между эмиттером и коллектором напряжения. Показано, что при комнатной температуре окружающей среды охлаждение эмиттера может достигать десятков градусов.

» Читать запись: ЭФФЕКТ ОХЛАЖДЕНИЯ ЭМИТТЕРНОГО КОНТАКТА КВАНТОВОГО ПРОВОДА

РАСЧЕТ ПОДВИЖНОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В ТОНКИХ НЕЛЕГИРОВАННЫХ GaAs КВАНТОВЫХ ПРОВОЛОКАХ

January 8, 2013

Поздняков д. В., Борздов А. В., Галенчик В. О., Борздов В. М. Белорусский государственный университет пр. Независимости, 4, г. Минск, 220050, Беларусь тел.: +375-17-2789027, e-mail: pozdnyakov@bsu. by

» Читать запись: РАСЧЕТ ПОДВИЖНОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В ТОНКИХ НЕЛЕГИРОВАННЫХ GaAs КВАНТОВЫХ ПРОВОЛОКАХ

МОДЕЛИРОВАНИЕ КВАНТОВЫХ ПРОВОЛОК НА РАЗЛИЧНЫХ МАТЕРИАЛАХ С УЧЕТОМ РАССЕЯНИЯ

May 9, 2012

Абрамов И. И., Строгова А. С. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники Беларусь, 220013, Минск, П. Бровки 6. E-mail: nanodev@bsuir.edu.by

» Читать запись: МОДЕЛИРОВАНИЕ КВАНТОВЫХ ПРОВОЛОК НА РАЗЛИЧНЫХ МАТЕРИАЛАХ С УЧЕТОМ РАССЕЯНИЯ

СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕСЕКАЮЩИХСЯ КВАНТОВЫХ ПРОВОДОВ

May 2, 2012

Обухов И. А., Квяткевич И. И., Лавренчук А. А., Румянцев С. В. Интерфейс – МФГ, ул. Бардина, д. 4, корп. 3, Москва – 117334, Россия тел.: +7 (095) 105-0049, 232-29-97, e-mail: obukhov@interface-mfg.ru

Puc. 3. Потенциальный рельеф и энергия Ферми Ql/1/Y при нулевом смещении.

» Читать запись: СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕСЕКАЮЩИХСЯ КВАНТОВЫХ ПРОВОДОВ

МИКРОВОЛНОВАЯ РЕЗОНАНСНАЯ ТЕРАПИЯ — БАЗОВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ КВАНТОВОЙ МЕДИЦИНЫ – ЧАСТЬ 2

April 12, 2012

Итак, мы являемся свидетелями абсурдной ситуации: все люди не сомневаются в том, что живое отличается от мертвого, жизнь от смерти, а десятки биологических и медицинских наук, задачей которых как будто бы должна быть поддержка жизни в ее противопоставлении смерти, вообще не проникаются феноменом жизни, изучая исключительно ее фрагментарные проявления.

» Читать запись: МИКРОВОЛНОВАЯ РЕЗОНАНСНАЯ ТЕРАПИЯ — БАЗОВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ КВАНТОВОЙ МЕДИЦИНЫ – ЧАСТЬ 2

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты