Записи с меткой ‘р-типа’

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

January 22, 2012

В предыдущей главе подчеркивалось, что одно из главных свойств биполярного транзистора состоит в том, что он является усиливающим устройством, управляемым током. В случае полевого транзистора (Field-Effect Transistor, FET) выходным током управляет входное напряжение, тогда как входной ток обычно пренебрежимо мал (он может быть меньше 1 пА). Это большое достоинство, важное в тех случаях, когда сигнал приходит от таких устройств, как конденсаторный микрофон или пьезоэлектрический датчик, которые не в состоянии давать сколько-нибудь значительный ток.

» Читать запись: ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

Серии 190, К190

November 4, 2011

Микросхемы выполнены на МДП-транзисторах с индуцированным каналом р-типа. Предназначены для коммутации электрических сигналов. Конструктивно оформлены в корпусе типа 301.12-1 (серия 190) или в прямоугольном пластмассовом типа 201.14-1 (серия К190).

» Читать запись: Серии 190, К190

Легирование барьерных слоев

October 12, 2011

сильно влияет на квантовый выход излучения светодиодов с двойными гетероструктурами. Удельное сопротивление этих слоев определяется концентрацией в них примесей. Для предотвращения нагрева барьерных слоев их удельное сопротивление должно быть низким.

» Читать запись: Легирование барьерных слоев

Ждущий мультивибратор с двумя ЛЭ И—НЕ и транзистором

October 11, 2011

Рис. 5.5. Ждущий мультивибратор с двумя ЛЭ И — НЕ и транзистором

Схема этого ждущего мультивибратора (рис. 5.5)’ по существу совпадает со схемой на рис. 5.4. Единственное отличие в том, что входы элемента DD2 подключены к точке соединения резистора и конденсатора через транзистор р— п — р-типа, включенного как эмиттерный повторитель. Кроме того, отсутствует диод, роль которого здесь выполняет переход база-— коллектор транзистора. Поскольку эмиттерный повторитель имеет высокое входное и низкое выходное сопротивление, можно выбирать более высокое сопротивление резистора R и тем самым избавиться от одного’ из недостатков схемы на рис. 5.4. В схеме ждущего мультивибратора с двумя ЛЭ и транзистором ограничительное условие для выбора сопротивления резистора имеет вид

» Читать запись: Ждущий мультивибратор с двумя ЛЭ И—НЕ и транзистором

Поверхностно-излучающие светодиоды Барраса, работающие на длине волны 870 нм

September 17, 2011

Одна из первых структур светодиодов, пригодных для работы в во- локонно-оптических системах связи, была разработана Чарльзом Бар- расом из компании AT&T BellLaboratories (Burrus, Miller, 1971; Sauletal., 1985). Структура такого светодиода показана на рис. 23.1, а. Светодиод Барраса состоит из двойной гетероструктуры с активной областью GaAs, выращенной на согласованной по параметрам рещетки подложке GaAs. Первоначально предложенная Баррасом структура была простым гомопереходом. Но из-за нежелательного перепоглощения света в соседних с активной областью слоях светодиоды на основе гомогенных переходов не нашли распространения.

» Читать запись: Поверхностно-излучающие светодиоды Барраса, работающие на длине волны 870 нм

Частота светодиода по уровню 3дБ

August 11, 2011

Частота светодиода по уровню 3 дБ может быть определена по частоте, на которой сигнал детектора становится равным половине своего значения, измеренного на низких частотах. При проведении измерений необходимо принимать во внимание частотные характеристики детектора. Для светодиода, временные характеристики которого показаны на рис. 24.2, измеренная частота по уровню 3 дБ составила около 500 МГц. Сравнение значений частоты по уровню 3 дБ, характерных для светодиодов разного типа, позволило сделать вывод, что наибольщие Частоты по уровню 3 дБ соответствуют диодам с наименьшими паразитными сопротивлениями и емкостями. Для этого у светодиодов

» Читать запись: Частота светодиода по уровню 3дБ

Влияние ограничения тока в светодиодах на изолирующих подложках

August 3, 2011

Для светодиодных мезаструктур, выращенных на диэлектрических подложках, характерно явление ограничения тока. Примерами светодиодов с мезаструктурами являются светодиоды InGaN/GaNна сапфировых подложках. В них контакт р-типа обычно размещается на верхней поверхности мезаструктуры, а контакт п-типа —на буферном слое п-типа, расположенном под мезаструктурой. Это приводит к тому, что по краю мезаструктуры, на границе с контактом п-типа, плотность тока становится выше, чем в соседних областях.

» Читать запись: Влияние ограничения тока в светодиодах на изолирующих подложках

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты