Записи с меткой ‘рассеяние’

Ионная составляющая связи и подвижность носителей  заряда

May 10, 2013

Установление взаимосвязи между степенью ионности полупроводниковых соединений λ и подвижностями носителей заряда µ в них затруднительно, прежде всего, из-за сильной чувствительности µ к дефектам кристаллов. В то время как измерения Eg в образцах с широким диапазоном значений концентрации примесей и дефектов дают одно и то же значение, для измерения «решеточной» подвижности µ(см. ниже) необходимо иметь чистые и достаточно совершенные кристаллы. Поэтому далеко не во всех полупроводниках по измеренной при некоторой температуре подвижности можно говорить о надежном определении µL. С другой стороны, сама теория химических связей не дает возможности рассчитывать численные величины подвижности носителей заряда из значений кристаллохимических параметров, характеризующих тип химической связи, можно говорить лишь о тенденциях, знание которых полезно для прогнозирования свойств получаемых полупроводниковых материалов.

» Читать запись: Ионная составляющая связи и подвижность носителей  заряда

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты