Для развития прикладной полупроводниковой электроники требуется получение полупроводниковых материалов с заданными свойствами. В рамках обычного эмпирического подхода с этой целью синтезируют большое число кристаллов разного состава, изучают их свойства и находят тот
» Читать запись: Химические связи в полупроводниках, производных от ANB8−N
На рис. 13.2 показана зависимость ширины запрещенной зоны от постоянной решетки для твердых растворов AlInGaN. Данные твердые растворы используются для светодиодов, работающих в широком диапазоне длин волн, охватывающем следующие спектральные области: далекого и ближнего УФ-излучения, видимого света и даже ближнего инфракрасного излучения. Было показано, что можно получить три вида бинарных полупроводниковых соединений: InN, GaNи A1N, при этом GaN, выращенный методом эпитаксии, был более совершеным. Однако твердые растворы AlGaNс большой концентрацией алюминия и InGaNс большой концентрацией индия, обладающие высоким внутренним квантовым выходом излучения, получить на практике очень сложно.
» Читать запись: Ширина запрещенной зоны твердых растворов AlInGaN