Записи с меткой ‘recombination’

ПАССИВАЦИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И УСТРОЙСТВ СВЧ ДВУХСЛОЙНЫМИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПЛЕНКАМИ ИЗ ОКСИДА ИТТРИЯ И ОКСИДА ДИСПРОЗИЯ

May 21, 2012

Рожков В. А., Родионов М. А., Пашин А. В., Гурьянов А. М. Самарский государственный университет ул. акад. Павлова, 1, Самара – 443011, Россия Тел.: (8462)34-54-55; e-mail: rozhkov@ssu.samara.ru

Аннотация – Исследованы рекомбинационные свойства кремния, пассивированного двухслойными диэлектрическими пленками из оксида иттрия и оксида диспрозия. Установлено, что после нанесения двухслойных пленок из оксидов редкоземельных элементов эффективное время жизни неравновесных носителей заряда, измеренное методом релаксации нестационарной фотопроводимости, возрастает в 2 – 3 раза. Определены величины скорости поверхностной рекомбинации на границе раздела кремний – оксид редкоземельного элемента. Показана перспективность использования пленок оксидов редкоземельных металлов для пассивации СВЧ кремниевых приборов и элементов интегральных схем.

» Читать запись: ПАССИВАЦИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И УСТРОЙСТВ СВЧ ДВУХСЛОЙНЫМИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПЛЕНКАМИ ИЗ ОКСИДА ИТТРИЯ И ОКСИДА ДИСПРОЗИЯ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты