Записи с меткой ‘рекомбинации’

ПАССИВАЦИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И УСТРОЙСТВ СВЧ ДВУХСЛОЙНЫМИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПЛЕНКАМИ ИЗ ОКСИДА ИТТРИЯ И ОКСИДА ДИСПРОЗИЯ

May 21, 2012

Рожков В. А., Родионов М. А., Пашин А. В., Гурьянов А. М. Самарский государственный университет ул. акад. Павлова, 1, Самара – 443011, Россия Тел.: (8462)34-54-55; e-mail: rozhkov@ssu.samara.ru

Аннотация – Исследованы рекомбинационные свойства кремния, пассивированного двухслойными диэлектрическими пленками из оксида иттрия и оксида диспрозия. Установлено, что после нанесения двухслойных пленок из оксидов редкоземельных элементов эффективное время жизни неравновесных носителей заряда, измеренное методом релаксации нестационарной фотопроводимости, возрастает в 2 – 3 раза. Определены величины скорости поверхностной рекомбинации на границе раздела кремний – оксид редкоземельного элемента. Показана перспективность использования пленок оксидов редкоземельных металлов для пассивации СВЧ кремниевых приборов и элементов интегральных схем.

» Читать запись: ПАССИВАЦИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И УСТРОЙСТВ СВЧ ДВУХСЛОЙНЫМИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПЛЕНКАМИ ИЗ ОКСИДА ИТТРИЯ И ОКСИДА ДИСПРОЗИЯ

Конкуренция между излучательной и безызлучательной рекомбинацией

November 4, 2011

В предыдущих разделах было рассмотрено несколько механизмов безызлучательной рекомбинации: Шокли-Рида, Оже- и поверхностный. Безызлучательную рекомбинацию можно только уменьшить, но устранить полностью невозможно. Например, поверхностную рекомбинацию можно значительно снизить, пространственно отделяя активную область излучения от любых поверхностей. Однако даже при очень больших расстояниях между этой областью и ближайшей поверхностью некоторые носители за счет диффузии все же доберутся до поверхности и там рекомбинируют.

» Читать запись: Конкуренция между излучательной и безызлучательной рекомбинацией

Спектр излучения

October 27, 2011

Механизм свечения полупроводниковых светодиодов заключается в излучении фотонов в результате спонтанной рекомбинации электронно-дырочных пар. Спонтанные процессы излучения света принципиально отличаются от процессов вынужденного (индуцированного) излучения, характерных для полупроводниковых лазеров и суперлюминесцентных диодов. Оптические параметры светодиодов непосредственно связаны с процессами спонтанной излучательной рекомбинации. Поэтому в этом разделе будут обсуждаться характеристики спонтанного излучения светодиодов.

» Читать запись: Спектр излучения

Модель Ван Росбрука-Шокли

October 20, 2011

позволяет оценить скорость спонтанной излучательной рекомбинации в равновесных и неравновесных условиях. Для этого необходимо знать основные характеристики полупроводника, определяемые стандартными экспериментальными методами: ширину запрещенной зоны, коэффициент поглощения и показатель преломления.

» Читать запись: Модель Ван Росбрука-Шокли

Зависимость рекомбинации от температуры и легирования

October 8, 2011

Зависимость вероятности рекомбинации от температуры представлена на рис. 3.2, который показывает параболическую зависимость Е(к) при низких и высоких температурах. При ее анализе можно выявить уменьшение числа носителей в интервале значений квазиимпульсаdkс увеличением температуры. Так как при излучательной рекомбинации выполняется закон сохранения квазиимпульса и вероятность рекомбинации электронов пропорциональна количеству свободных дырок с равным значением квазиимпульса, вероятность рекомбинации уменьшается с ростом температуры. Этот факт подтверждается соотношениями (3.24) и (3.25), которые показывают, что коэффициент бимолекулярной рекомбинации зависит от температуры обратно пропорционально Т3/2.

» Читать запись: Зависимость рекомбинации от температуры и легирования

Безызлучательная рекомбинация на поверхности полупроводника

October 2, 2011

Безызлучательная рекомбинация может происходить не только в объеме, но и на поверхности полупроводников, так как именно здесь часто нарушается периодичность кристаллической решетки. Модель энергетических зон основывается на строгом соблюдении периодичности решетки. Поскольку на поверхности периодичность заканчивается, для поверхностей эту модель необходимо модифицировать, добавив дополнительные электронные уровни в запрещенной зоне полупроводника.

» Читать запись: Безызлучательная рекомбинация на поверхности полупроводника

Времена нарастания и спада оптических сигналов при малой емкости светодиодов

October 1, 2011

Теперь рассмотрим время нарастания и спада сигналов в светодиодах малой емкости. Малой емкостью обычно обладают поверхностно- излучающие светодиоды с небольшой площадью активной области, используемые в системах связи. Рассмотрим светодиод, управляемый постоянным током, который включается в момент времениt = 0.При этом в активную область инжектируются электроны, определяющие в ней концентрацию носителей, что вызывает увеличение выходной мощности светодиода. В модели мономолекулярной рекомбинации интенсивность выходного излучения светодиода прямо пропорциональна концентрации неосновных носителей.

» Читать запись: Времена нарастания и спада оптических сигналов при малой емкости светодиодов

Уравнение скорости бимолекулярной рекомбинации для структур с квантовыми ямами

September 30, 2011

Квантовые ямы представляют собой узкие области, расположенные между двумя барьерными слоями, назначение которых заключается в ограничении свободных носителей.

Предположим, что ширина ямы равнаLqw, а плотности носителей в ее зоне проводимости и валентной зоне — соответственно n2Dи p2D. Тогда эффективные объемные(3D)концентрации электронов и дырок определяются выражениями: n2D/LQWи p2D/LQW.Подставив эти значения в уравнение (2.5), найдем для данного случая скорость рекомбинации

» Читать запись: Уравнение скорости бимолекулярной рекомбинации для структур с квантовыми ямами

Дислокации в нитридах III группы

September 29, 2011

Наиболее распространенным материалом подложек для эпитаксиального выращивания GaNявляется сапфир, обладающий постоянны-

‘) См. приоритетные работы [4, 5].

ми термическими, химическими и механическими характеристиками. Однако у сапфира кристаллическая структура корунда, в то время как нитриды третьей группы имеют структуру вюрцита. К тому же различаются и значения постоянных решеток сапфира и GaN. Все это ведет к возникновению в эпитаксиальных пленках GaN, выращенных на сапфировых подложках, проникающих и краевых дислокаций несоответствия, плотности которых обычно составляют

» Читать запись: Дислокации в нитридах III группы

Излучательная рекомбинация при низком уровне возбуждения

September 12, 2011

Рассмотрим динамику процесса рекомбинации, т.е. опишем его в виде функций, зависящих от времени. Предположим, что образец полупроводника подвергается воздействию света. Поскольку электроны и дырки возбуждаются и исчезают в процессе рекомбинации парами, установившиеся концентрации избыточных электронов и дырок равны:

» Читать запись: Излучательная рекомбинация при низком уровне возбуждения

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты