Записи с меткой ‘релаксации’

ПИКОСЕКУНДНАЯ РЕЛАКСАЦИЯ В GaAs

February 27, 2013

Москалюк В. А., Куликов К. В. Кафедра физической и биомедицинской электроники, факультет электроники, НТУУ «КПИ» пр. Победы 37, г. Киев, Украина тел.: +380 (67) 236 55 85, e-mail: kvprint@mail.ru, kvprint@gmail.com

Аннотация – Предложен способ аналитического расчета импульсной проводимости GaAs, основанный на релаксационных уравнениях сохранения импульса, энергии и концентрации, а также на анализе времен релаксации для различных видов рассеяния [1]. Проверена применимость данной модели для импульсов с различными фронтами, что позволяет найти оптимальные условия для формирования импульсов пикосекундной длительности.

» Читать запись: ПИКОСЕКУНДНАЯ РЕЛАКСАЦИЯ В GaAs

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ДИПОЛЬНО-ОБМЕННЫХ СПИНОВЫХ ВОЛН ДЛЯ ОБРАБОТКИ СВЧ СИГНАЛОВ В ФЕРРИТОВЫХ СФЕРАХ

February 6, 2013

Мелков Г. А., Васючка В. И., Дзяпко А. Д. и Чумак А. В. Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко (КНУ) ул. Владимирская, 64, Киев, 01033, Украина тел.: +38 (044) 526-05-53, fax: +38 (044) 526-06-00, e-mail: melkov@univ.kiev.ua

Аннотация – Исследована возможность создания устройств для обработки микроволновых сигналов на основе образцов железо-иттриевого граната (ЖИГ) сферической формы. В основе работы приборов лежит эффект обращение двухмагнонной релаксации, обусловленной линейным рассеянием колебаний однородной прецессии намагниченности на неоднородностях образца. Обращение релаксации осуществлено путем параметрического обращения волнового фронта дипольно-обменных спиновых волн, образовавшихся при рассеянии однородной прецессии. Были получены задержки сигналов до 1,3 мкс, амплитуда задержанного сигнала могла превышать начальную.

» Читать запись: ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ДИПОЛЬНО-ОБМЕННЫХ СПИНОВЫХ ВОЛН ДЛЯ ОБРАБОТКИ СВЧ СИГНАЛОВ В ФЕРРИТОВЫХ СФЕРАХ

РЕЗОНАНСНАЯ МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕН МЕДЛЕННОЙ РЕЛАКСАЦИИ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНКАХ

January 16, 2013

Козырев А. Б., Гайдуков М. М., Гагарин А. Г., Алтынников А. Г. Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет (ЛЭТИ) ул. проф. Попова 5, г. Санкт-Петербург, 197376, Россия тел.: (812) 2344809, e-mail: mcl@eltech.ru

Аннотация – Рассмотрен способ измерения времён медленной релаксации диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрических плёнок (СЭ) при воздействии импульсного управляющего напряжения.

» Читать запись: РЕЗОНАНСНАЯ МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕН МЕДЛЕННОЙ РЕЛАКСАЦИИ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНКАХ

НЕЛИНЕЙНЫЕ ПОТЕРИ МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛН В СИСТЕМЕ МИКРОПОЛОСКОВЫЙ РЕЗОНАТОРФЕРРОМАГНИТНАЯ ПЛЁНКА

June 23, 2012

Гришин С. В., Шараевский Ю. П. Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов 410012, Россия Тел.: (8452) 516947; e-mail: sharaevskyyp@info.sgu.ru Гришин В. С. ЗАО "НПЦ ‘Алмаз-Фазотрон", Саратов 410033, Россия Тел.: (8452) 372727; e-mail: grishfam@sgu.ru

» Читать запись: НЕЛИНЕЙНЫЕ ПОТЕРИ МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛН В СИСТЕМЕ МИКРОПОЛОСКОВЫЙ РЕЗОНАТОРФЕРРОМАГНИТНАЯ ПЛЁНКА

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты