Записи с меткой ‘relaxation’

ПИКОСЕКУНДНАЯ РЕЛАКСАЦИЯ В GaAs

February 27, 2013

Москалюк В. А., Куликов К. В. Кафедра физической и биомедицинской электроники, факультет электроники, НТУУ «КПИ» пр. Победы 37, г. Киев, Украина тел.: +380 (67) 236 55 85, e-mail: kvprint@mail.ru, kvprint@gmail.com

Аннотация – Предложен способ аналитического расчета импульсной проводимости GaAs, основанный на релаксационных уравнениях сохранения импульса, энергии и концентрации, а также на анализе времен релаксации для различных видов рассеяния [1]. Проверена применимость данной модели для импульсов с различными фронтами, что позволяет найти оптимальные условия для формирования импульсов пикосекундной длительности.

» Читать запись: ПИКОСЕКУНДНАЯ РЕЛАКСАЦИЯ В GaAs

РЕЗОНАНСНАЯ МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕН МЕДЛЕННОЙ РЕЛАКСАЦИИ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНКАХ

January 16, 2013

Козырев А. Б., Гайдуков М. М., Гагарин А. Г., Алтынников А. Г. Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет (ЛЭТИ) ул. проф. Попова 5, г. Санкт-Петербург, 197376, Россия тел.: (812) 2344809, e-mail: mcl@eltech.ru

Аннотация – Рассмотрен способ измерения времён медленной релаксации диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрических плёнок (СЭ) при воздействии импульсного управляющего напряжения.

» Читать запись: РЕЗОНАНСНАЯ МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕН МЕДЛЕННОЙ РЕЛАКСАЦИИ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНКАХ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты