Записи с меткой ‘решетки’

Пластинчатые дугогасители

April 19, 2015

Ток в выключателе прекращается тем скорее, чем быстрее убираются из пространства между его контактами носители электрических зарядов —с.оны. Вообще говоря, ионы мало живучи. Они теряют свои заряды, превращаются в нейтральные молекулы, оседая на поверхностях металлов или изоляторов. Этот процесс исчезновения ионов называется деионизацией. Чтобы ее ускорить и улучшить, между контактами выключателя помещают стальные пластины, целый ряд изолированных, отстоящих на несколько миллиметров одна от другой стальных пластин.

» Читать запись: Пластинчатые дугогасители

Свойства  дислокаций – основы материаловедения

May 14, 2013

1. Дислокации не могут обрываться внутри кристалла и должны либо замыкаться сами на себя, либо разветвляться на  другие  дислокации, либо выходить на поверхность кристалла. Это свойство является следствием того, что линия дислокации представляет собой кривую, вдоль которой вектор Бюргерса b остается постоянным. Для узла разветвляющихся дислокаций справедлива теорема, аналогичная теореме Кирхгофа для разветвляющихся линий токов: если все дислокации соединяются в одной точке пересечения, то сумма их векторов Бюргерса должна быть равна нулю, например, b1 + b2 + b3 = 0. Разветвляясь и снова сливаясь, дислокации образуют в кристалле плоские и пространственные сетки, определяющие мозаичную структуру кристалла.

» Читать запись: Свойства  дислокаций – основы материаловедения

Ионная связь – основы материаловедения

May 13, 2013

Ионные кристаллы, то есть те, в которых ионный тип связи является преобладающим, состоят из положительных и отрицательных ионов. Эти ионы образуют кристаллическую решетку в основном за счет электростатического взаимодействия между ионами противоположного знака.

» Читать запись: Ионная связь – основы материаловедения

Ионная составляющая связи и подвижность носителей  заряда

May 10, 2013

Установление взаимосвязи между степенью ионности полупроводниковых соединений λ и подвижностями носителей заряда µ в них затруднительно, прежде всего, из-за сильной чувствительности µ к дефектам кристаллов. В то время как измерения Eg в образцах с широким диапазоном значений концентрации примесей и дефектов дают одно и то же значение, для измерения «решеточной» подвижности µ(см. ниже) необходимо иметь чистые и достаточно совершенные кристаллы. Поэтому далеко не во всех полупроводниках по измеренной при некоторой температуре подвижности можно говорить о надежном определении µL. С другой стороны, сама теория химических связей не дает возможности рассчитывать численные величины подвижности носителей заряда из значений кристаллохимических параметров, характеризующих тип химической связи, можно говорить лишь о тенденциях, знание которых полезно для прогнозирования свойств получаемых полупроводниковых материалов.

» Читать запись: Ионная составляющая связи и подвижность носителей  заряда

Примеси в элементарных полупроводниках

April 25, 2013

Поведение примесей в элементарных полупроводниках рассмотрим на примере их поведения в германии и кремнии. Напомним, что главным образом это поведение определяется положением примесей в периодиче

Таблица 3.2. Термическая энергия ионизации примесей элементов VA, IIIA подгрупп и Li в Si и Ge [32].

» Читать запись: Примеси в элементарных полупроводниках

Типы фазовых диаграмм с неограниченной растворимостью компонентов

April 24, 2013

Фазовые диаграммы с неограниченной растворимостью компонентов друг в друге встречается относительно редко. Гораздо чаще приходится иметь дело с фазовыми диаграммами с ограниченной растворимостью компонентов друг в друге. Термодинамический анализ позволяет качественно объяснить переход от диаграмм состояния с неограниченной растворимостью к диаграммам состояния с ограниченной растворимостью компонентов друг в друге.

» Читать запись: Типы фазовых диаграмм с неограниченной растворимостью компонентов

ОДНОЧАСТОТНЫИ ПЕРЕСТРАИВАЕМЫМ ЛАЗЕР ДЛЯ НАКАЧКИ ЦЕЗИЕВЫХ СТАНДАРТОВ ЧАСТОТЫ

February 21, 2013

Журавлева О. В., Иванов А. В., Исаев Д. С., Леонович А. И., Курносов В. Д., Курносов К. В., Чернов Р. В., Шишков В. В.

ФГУП «НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха Введенского ул., д.З, г. Москва, 117342, Россия тел.: +7(495) 3330513, e-mail: dilas@mail.magelan.ru Плешанов С. А.

» Читать запись: ОДНОЧАСТОТНЫИ ПЕРЕСТРАИВАЕМЫМ ЛАЗЕР ДЛЯ НАКАЧКИ ЦЕЗИЕВЫХ СТАНДАРТОВ ЧАСТОТЫ

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ДИРЕКТОРНЫХ АНТЕНН В СОСТАВЕ АНТЕННОЙ РЕШЕТКИ

February 13, 2013

Юрцев О. А., Бобков Ю. Ю., Чекан С. А., Аль-Рифаи А. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ул. П. Бровки, д. 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь тел.+375 17 293 89 27, e-mail: yurtsev_o@tut.by

Аннотация – Методом моментов рассматривается коэффициент передачи между двумя директорными антеннами, диаграмма направленности решетки с учетом взаимодействия излучателей между собой, входное сопротивление, зависимость этих параметров от геометрии и частоты.

» Читать запись: ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ДИРЕКТОРНЫХ АНТЕНН В СОСТАВЕ АНТЕННОЙ РЕШЕТКИ

ПАРАМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА МИКРОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОРОШКОВ СИНТЕТИЧЕСКОГО АЛМАЗА

February 9, 2013

Азарко И. И., Дутов А. Г., Оджаев В. Б., Толстых П. В., Янковский О. Н. Белорусский государственный университет пр. Независимости, 4, г. Минск, 220050, Беларусь e-mail: azarko@bsu.by

Аннотация – Исследовано влияние условий синтеза микрокристаллических порошков алмаза на процессы образования парамагнитных дефектов. Установлено уменьшение количества одиночных атомов азота, находящихся в узлах решетки алмаза (ПЦ Р1) на порядок и более в кристаллах, синтезированных с добавлением бора в шихту.

» Читать запись: ПАРАМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА МИКРОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОРОШКОВ СИНТЕТИЧЕСКОГО АЛМАЗА

ИТЕРАЦИОННЫЙ МЕТОД ВОССТАНОВЛЕНИЯ ФАЗОВОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ФАР С УЧЁТОМ ВЛИЯНИЯ ЗЕМЛИ

January 28, 2013

Нечаев Е. Е., Рождественский И. Н. Московский государственный технический университет гражданской авиации г. Москва, ГСП-3, 125993, Россия

Аннотация – Рассматривается итерационный метод восстановления фазового распределения токов антенны курсового радиомаяка системы посадки воздушных судов с учётом влияния земной поверхности.

» Читать запись: ИТЕРАЦИОННЫЙ МЕТОД ВОССТАНОВЛЕНИЯ ФАЗОВОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ФАР С УЧЁТОМ ВЛИЯНИЯ ЗЕМЛИ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты