Записи с меткой ‘S-параметров’

ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ МЕХАНИЗМОВ, ОГРАНИЧИВАЮЩИХ МАКСИМАЛЬНУЮ МОЩНОСТЬ И ЭФФЕКТИВНОСТЬ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ

July 28, 2012

Мартынов Я. Б., Погорелова Э. В., Бувайлик Е. В. Федеральное государственное унитарное предприятие «НПП «Исток» Вокзальная, 2а, г.Фрязино, Московская область, 141190, Россия Fax:(095) 9749013; e-mail: istkor@elnet.msk.ru


Аннотация Впервые показано, что предельная мощность полевого транзистора ограничена лавинноинжекционной неустойчивостью, а предельный КПД пробоем стоковой части БШ (барьера Шоттки) затвора.

» Читать запись: ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ МЕХАНИЗМОВ, ОГРАНИЧИВАЮЩИХ МАКСИМАЛЬНУЮ МОЩНОСТЬ И ЭФФЕКТИВНОСТЬ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ ЭКВИВАЛЕНТНЫХ СХЕМ И ШУМОВЫХ ПАРАМЕТРОВ МАЛОШУМЯЩИХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

April 10, 2012

Крутов А. В., Ребров А. С. ФГУП НПП “Исток” 141190, Россия, Фрязино, ул. Вокзальная, 2а Телефон: (095) 465-86-93, факс: (095) 465-86-86 E-mail: cdl255@elnet.msk.ru

Аннотация – Представлены результаты экспериментального восстановления эквивалентных схем и шумовых параметров малошумящих транзисторов: двух типов обычных FET (ЗПЭ74А-5 производства ОАО «Планета-Аргалл», «Созвездие-П» производства ФГУП НПП «Исток») и двух типов РНЕМТ транзисторов, изготовленных в ФГУП НПП «Исток» на структурах, полученных методом молекулярнолучевой эпитаксии и МОС-гидридной эпитаксии.

» Читать запись: ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ ЭКВИВАЛЕНТНЫХ СХЕМ И ШУМОВЫХ ПАРАМЕТРОВ МАЛОШУМЯЩИХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты