Записи с меткой ‘Semiconductor’

ОУ со стабилизацией прерыванием

October 2, 2013

Стабилизация прерыванием используется в тех случаях, когда особенно важны стабильность характеристик во времени и независимость их от изменений температуры и напряжения питания. На рис. 6.31 и 6.32 приведены функциональная схема, пояснения к принципу работы и расположение выводов на примере интегральной микросхемы ICL7805S фирмы Harris. Она полностью взаимозаменяема со стандартной ИС IC7650, но имеет улучшенные параметры по напряжению смещения нуля, более низкий температурный коэффициент напряжения смещения и входного тока сдвига, меньшее значение входного тока и более широкий диапазон синфазных напряжений.

» Читать запись: ОУ со стабилизацией прерыванием

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ЛАЗЕРОВ И ПОЛЕВЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ

June 27, 2012

Ж. И. Алферов, Н. А. Малеев, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов Физико-технический институт им. Иоффе РАН 194021, г. С-Петербург, Политехничская, 26 * тел. (+7-812) 247-91-32, e-mail: maleev@beam.ioffe.rssi.ru


Аннотация Представлены результаты по разработке конструкций и технологии изготовления эпитаксиальных гетероструктур для полевых СВЧ-транзисторов и полупроводниковых лазеров различного типа. Разработана технология получения гетероструктур в системах материалов AIGaAs/lnGaAs/GaAs, InAIAs/lnGaAs/lnP и AIGaN/GaN для полевых СВЧ-транзисторов. На основе псевдоморфных гетероструктур AIGaAs/lnGaAs/GaAs изготовлены полевые СВЧтранзисторы с коэффициентом шума 0,6-0,8 дБ при коэффициенте усиления свыше 11 дБ на частоте 12 ГГц. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках арсенида галлия получены гетероструктуры с квантовыми точками InAs/lnGaAs, на основе которых созданы одномодовые лазерные диоды и вертикально-излучающие лазеры (ВИЛ) диапазона длин волн 1300 нм. Разработана технология изготовления ВИЛ диапазона длин волн 960-980 нм с пороговыми токами менее 1 мА и максимальной выходной мощностью в непрерывном режиме при комнатной температуре более 3 мВт, пригодных для использования в монолитных матричных излучателях.

» Читать запись: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ЛАЗЕРОВ И ПОЛЕВЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ

ПРОБЛЕМЫ СОЗДАНИЯ БАЗОВЫХ СТРУКТУР И КОМПОНЕНТОВ СВЧ МОДУЛЕЙ В ИНТЕГРАЛЬНОМ ИСПОЛНЕНИИ

June 19, 2012

Бабунько С. А.1, Орлов О. С.2 ЗАО НПП «Салют-27» 2ФГУП «Салют», 603950, Россия, Нижний Новгород, ул. Ларина, 7

Аннотация Рассмотрены вопросы создания универсальных базовых структур и компонентов для СВЧ модулей в гибридно-интегральном исполнении. Обсуждаются физические, технико-экономические аспекты и ограничения на пути миниатюризации и интеграции компонентов СВЧ модулей. Приводятся конкретные примеры их реализации. Рассматриваются дальнейшие перспективы развития направления.

» Читать запись: ПРОБЛЕМЫ СОЗДАНИЯ БАЗОВЫХ СТРУКТУР И КОМПОНЕНТОВ СВЧ МОДУЛЕЙ В ИНТЕГРАЛЬНОМ ИСПОЛНЕНИИ

Усилитель 120 Вт на LM4780

May 27, 2011

  LM4780 – гибридная микросхема УНЧ от  National Semiconductor. По существу это две LM3886  в одном корпусе.
Показатель THD+N (Total Harmonic Distortion plus Noise – общие гармонические искажения + шум) менее 0.5% в диапазоне 20 Гц – 20 кГц.

» Читать запись: Усилитель 120 Вт на LM4780

УСИЛИТЕЛЬ ДЛЯ ЗВУКОСНИМАТЕЛЯ

November 25, 2010

National Semiconductor

Рис. 11.14

Ha рис. 11.14 приведена схема на операционном усилителе LM380 с делигетем напряжения, выполняющим функцию регулятора громкости, и схемой высокочастотной коррекции тональных сигналов.

» Читать запись: УСИЛИТЕЛЬ ДЛЯ ЗВУКОСНИМАТЕЛЯ

ГЕНЕPATOP СИГНАЛОВ ВРЕМЕННОЙ ЗАДКРЖКИ

October 16, 2010

Nationol Semiconductor



» Читать запись: ГЕНЕPATOP СИГНАЛОВ ВРЕМЕННОЙ ЗАДКРЖКИ

БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ ЛИНЕЙНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

October 5, 2010

National Semiconductor          Рис. 29.5

 

Ha рис. 29.5 показана типовая схема линейного усилителя с высоким быстродействием.

» Читать запись: БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ ЛИНЕЙНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

ON SEMI выпустила новые N-канальные МОП-транзисторы на 600В

September 1, 2010

Компания ON Semiconductor анонсировала новые N-канальные МОП-транзисторы NDD04N60Z-1G, NDD04N60ZT4G, NDF06N60ZG, NDF10N60ZG с рабочим напряжением до 600В.

MOSFET ONS

Основные особенности:

» Читать запись: ON SEMI выпустила новые N-канальные МОП-транзисторы на 600В

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты