Записи с меткой ‘Semiconductors’

Электрические характеристики сверхъярких светодиодов

August 30, 2011

На рис. 12.19 представлены вольтамперные характеристики светодиодов красного свечения на основе AlInGaP, а также светодиодов голубого и зеленого свечения на основе InGaNв режиме прямого смещения. Прямая зависимость между пороговым напряжением и интенсивностью излучения свидетельствует о хороших рабочих характеристиках диодов. При токе 1 мА напряжения прямого смещения светодиодов зеленого и голубого свечения оказались близки (2,65 В и 2,75 В), даже несмотря на заметную разницу в энергиях излучений (для светодиодов голубого свечения Л = 470 нм,hv= 2,64 эВ, а для светодиодов зеленого свечения А = 525 нм, а hv— 2,36 эВ). Малое различие напряжений смещения, возможно, указывает на вероятность того, что при инжекции носителей в активную область InGaNчерез барьерный слой GaNчасть из них теряют энергию на излучение фононов. Потери увеличиваются при инжекции носителей в активные слои InGaNс высокой концентрацией индия для светодиодов зеленого свечения. Энергия расходуется на излучение фононов, восполняется внешним напряжением, подаваемым на светодиоды.

» Читать запись: Электрические характеристики сверхъярких светодиодов

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты