Записи с меткой ‘ширины’

Эффективная длительность и эффективная  ширина спектра сигнала

March 12, 2012

Литература: [Л.1], с 50-51

[Л.2], с 65-66

[Л.3], с 24-25

Для решения практических задач радиотехники крайне важно знать значения длительности и ширины спектра сигнала, а также соотношение между ними. Знание длительности сигнала позволяет решать задачи эффективного использования времени, предоставляемого для передачи сообщений, а знание ширины спектра – эффективного использования диапазона  радиочастот.

» Читать запись: Эффективная длительность и эффективная  ширина спектра сигнала

Светодиоды на основе AlInGaP/GaAs

October 11, 2011

Твердые растворы AllnGaPбыли разработаны в конце 1980-х и начале 1990-х гг.; в настоящее время они являются основой для изготовления сверхъярких светодиодов, излучающих в длинноволновой части видимого спектра, т. е. в красном, оранжевом и желтом диапазонах. Твердый раствор AllnGaPи светодиоды на его основе описаны в работах (Stringfeliow, Craford, 1997; Chenetal., 1997; Kish, Fletcher, 1997, aболее поздние обзоры и последние разработки представлены в работах (Mueller, 1999, 2000; Kramesetal., 2002).

» Читать запись: Светодиоды на основе AlInGaP/GaAs

Ширина запрещенной зоны твердых растворов AlInGaN

September 10, 2011

На рис. 13.2 показана зависимость ширины запрещенной зоны от постоянной решетки для твердых растворов AlInGaN. Данные твердые растворы используются для светодиодов, работающих в широком диапазоне длин волн, охватывающем следующие спектральные области: далекого и ближнего УФ-излучения, видимого света и даже ближнего инфракрасного излучения. Было показано, что можно получить три вида бинарных полупроводниковых соединений: InN, GaNи A1N, при этом GaN, выращенный методом эпитаксии, был более совершеным. Однако твердые растворы AlGaNс большой концентрацией алюминия и InGaNс большой концентрацией индия, обладающие высоким внутренним квантовым выходом излучения, получить на практике очень сложно.

» Читать запись: Ширина запрещенной зоны твердых растворов AlInGaN

Влияние гетеропереходов на сопротивление устройств

August 30, 2011

Применение гетероструктур позволяет улучшить эффективность светодиодов. Это происходит за счет ограничения носителей в активной области, что позволяет исключить диффузию неосновных носителей на большие расстояния. Для направления света в волновод часто применяют светодиоды с торцевым выводом излучения, также, как правило, на основе гетероструктур. В состав большинства современных полупроводниковых светодиодов и лазеров входят несколько гетеропереходов: между контактными слоями, активными областями и волноводами. Несмотря на то, что гетероструктуры позволяют улучшать характеристики светодиодов, их применение связано с рядом проблем.

» Читать запись: Влияние гетеропереходов на сопротивление устройств

Температура перехода и Длина волны в максимуме спектра излучения

August 20, 2011

Соответствующий метод основан на зависимости ширины запрещенной зоны (следовательно, и длины волны в максимуме спектра излучения) от температуры. Метод предусматривает два этапа: калибровка измерительной аппаратуры и измерение температуры р-n-перехода. На этапе калибровки измеряется энергия в максимуме спектра излучения при разных окружающих температурах, обычно в диапазоне 20-120 °С. Для этого светодиод помещается в термостат с терморегулятором. Для снижения вероятности дополнительного нагрева носители инжектируются в активную область светодиода в импульсном режиме со скважностью » 1. Поэтому можно считать, что температура внутри термостата и температура р-n-перехода будут равны. На этапе калибровки определяется зависимость температуры р-n-перехода от энергии максимума в спектре излучения в заданном диапазоне токов. На рис. 6.2, а показаны данные калибровки светодиода УФ-диапазона (Xietal., 2005).

» Читать запись: Температура перехода и Длина волны в максимуме спектра излучения

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты