Записи с меткой ‘системы’

Обобщенная структура методологии сквозного статистического анализа и оптимизации в силовой электронике

June 4, 2015

Блок-схема алгоритма реализации собственного комплексного подхода [106] к решению задачи статистического анализа в процессе сквозного проектирования изделий микроэлектроники от этапа проектирования технологического процесса до проектирования системы представлена на рис. 5.3. Выходные характеристики (результаты аппроксимации) каждого предыдущего этапа являются входными параметрами для последующего этапа проектирования.

» Читать запись: Обобщенная структура методологии сквозного статистического анализа и оптимизации в силовой электронике

Электронные системы управления двигателями внутреннего сгорания (ЭСУД)

May 6, 2015

Наиболее полно реализуют алгоритм управления двигателем внутреннего сгорания цифровые системы и системы на основе микроконтроллера (рис. 3.94). Такие системы обеспечивают оптимальную мощность, максимальную долговечность, максимальную экономичность двигателя, а также минимальную токсичность выхлопных газов [44, 49].

» Читать запись: Электронные системы управления двигателями внутреннего сгорания (ЭСУД)

Иерархический статистический анализ микросхем силовой электроники

April 28, 2015

Иерархический подход к сквозному статистическому анализу ТПСС иллюстрируется рис. 5.1 Нижний уровень — уровень технологии, который отражает параметры технологических операций. Параметр, который описывает некоторую характеристику технологического процесса, является параметром технологии, как, например, толщина окисла, уровень концентрации имплантированных ионов и т.д. Второй уровень — уровень прибора, который отражает характеристики приборов (элементной базы). Параметры этого уровня — это параметры модели, такие как, например, SPICE параметры модели МОП-транзистора. Третий уровень — это уровень схемы, который отражает характеристики схемы. Параметры этого уровня — характеристики схемы. Они связаны с параметрами приборов, которые используются при моделировании схемы. И, наконец, четвертый, верхний уровень — это уровень системы. Параметрами этого уровня являются характеристики системы. На этом уровне поведение системы описывается при помощи аппаратного языка, такого как, например, Verilog-AMS. Функционирование системы анализируется с использованием параметров схемы.

» Читать запись: Иерархический статистический анализ микросхем силовой электроники

Виды источников света и их основные характеристики – Полупроводниковая силовая электроника

April 8, 2015

На рис. 3.63 (см. цв. вклейку) приведены шкала электромагнитных волн и спектр видимого (белого) света [31].

Видимый свет представляет собой спектр электромагнитных излучений с длиной волны от 380 до 760 нм. Белый цвет — это не чистый цвет спектра, а смесь всех цветов с длиной волны от 380 до 760 нм. Причем, красный цвет имеет длину волны от 760 до 640 нм, оранжевый и желтый — от 640 до 580 нм, зеленый — от 580 до 495 нм, голубой и синий от 495 до 440 нм, фиолетовый от 440 до 380 нм. Соотношение составляющих белый цвет «чистых» цветов определяет его цветовую температуру.

» Читать запись: Виды источников света и их основные характеристики – Полупроводниковая силовая электроника

Статистическое моделирование прибора – Полупроводниковая силовая электроника

April 3, 2015

Влияние разброса физических параметров технологического процесса изготовления ИМС на параметры модели транзистора моделируется с использованием так называемой промежуточной модели [105]. Концепция преобразования технологических параметров в параметры модели прибора иллюстрируется рис. 5.2. Здесь промежуточной моделью является компактная модель прибора, с помощью которой рассчитываются вольт-амперные характеристики МОП-транзистора, а ее уравнения имеют обычную структуру различных моделей транзистора (BSIM3, Level28, Level3 и т.д.). Процедура преобразования технологических параметров прибора заключается в следующем.

» Читать запись: Статистическое моделирование прибора – Полупроводниковая силовая электроника

Статистический анализ и оптимизация параметров микросхем силовой электроники

March 12, 2015

Современное состояние микроэлектроники характеризуется неуклонным повышением сложности и стоимости разработки интегральных микросхем (ИМС), снижением их «времени жизни». Условия острой конкуренции на этом стремительно развивающемся рынке диктуют необходимость сокращения сроков проектирования и производственного освоения новых изделий.

» Читать запись: Статистический анализ и оптимизация параметров микросхем силовой электроники

Электронные системы управления автомобилями – Полупроводниковая силовая электроника

March 6, 2015

Сфера применения электронных приборов и систем в легковых и грузовых автомобилях постоянно расширяется. Стоимость электронного оборудования уже сейчас превышает треть стоимости легкового автомобиля, и процесс «электронизации» автомобилей продолжается. Он затронет практически все электронные системы управления, устройства повышения степени безопасности, приведет к увеличению количества и функциональной насыщенности устройств управления двигателем и различных интеллектуальных устройств. Влияние на рынок оказало и появление электрои гибридных автомобилей [43].

» Читать запись: Электронные системы управления автомобилями – Полупроводниковая силовая электроника

Рупорная акустическая система с усилителем – ЧАСТЬ 1

January 20, 2015

А. Богомолов, Израиль

На WEB-страницах, посвященных акустическому оформлению громкоговорителей, иногда встречаются рупорные системы. Они отличаются своим необычным внешним видом и непомерной ценой. Сложность изготовления рупора и применение дорогих широкополосных динамиков ставят эти системы на недосягаемую для конструкторов и любителей музыки высоту. А те немногие счастливчики, которым удалось послушать высококачественную рупорную акустику, говорят: «Кто хоть однажды это слышал, тот не забудет никогда».

» Читать запись: Рупорная акустическая система с усилителем – ЧАСТЬ 1

НОВЫЕ РАЗНОВИДНОСТИ МАЗЕРОВ НА ЦИКЛОТРОННОМ РЕЗОНАНСЕ

January 10, 2015

В. Я Братман, Г. Г. Денисов, Ю. К. Калынов, Μ. М. Офицеров,

С. В. Самсонов, А. В. Савилов, А. Э. Федотов

Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород

В статье представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований трех новых перспективных разновидностей мазеров на циклотронном резонансе (МНР) с умеренно-релятивистскими электронными пучками. В отличие от традиционных гиротронов в этих приборах используются тонкие пучки электронов, осциллирующих вокруг оси электродинамической системы (конфигурация так называемого гиротрона с большой орбитой), что позволяет повысить степень дискриминации паразитных поперечных мод.

» Читать запись: НОВЫЕ РАЗНОВИДНОСТИ МАЗЕРОВ НА ЦИКЛОТРОННОМ РЕЗОНАНСЕ

Скоростные осциллографы на ЭЛТБВ группы С7- Часть 3

January 6, 2015

Развитие скоростных осциллографов базируется на характеристиках ЭЛТБВ, широкополосность которых определяется системами отклонения электронного луча. Наряду с основным разработчиком ЭЛТБВ В.А.Шкуновым (НИИ “Плантан”, г.Фрязино) [18] большие теоретические разработки по отклоняющим системам ЭЛТ проводились в Вильнюсском инженерностроительном институте  (ВИСИ) на кафедре радиотехники под руководством заведующего кафедрой, профессора д.т.н. З.Вайнориса.  Сотрудниками  кафедры:  С.Штарасом,  С.Мартави-

» Читать запись: Скоростные осциллографы на ЭЛТБВ группы С7- Часть 3

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты