Записи с меткой ‘скорость’

Резонанс в турбинах

May 3, 2015

При изготовлении турбины все ее части тщательно балансируют. Устраняется малейшее несоответствие весов отдельных частей ротора. Но одной балансировкой опасность вибраций не устранить. Весь ротор в целом и отдельные его части могут совершать колебания. Их частота зависит от массы и упругости колеблющейся детали. Колебания могут возникнуть под влиянием отдельных толчков, но при этом они быстро прекращаются, затухают. Плохо получается, когда частота этих толчков совпадает с собственной частотой колебаний. Тогда даже самые слабые толчки будут действовать в такт и могут раскачать ротор до очень больших и опасных вибраций.

» Читать запись: Резонанс в турбинах

Малошумящий микрофонный предусилитель

October 20, 2013

На рис. 6.57 представлена ИС OP27, используемая в качестве малошумящего микрофонного предусилителя. ИС OP27 имеет произведение усиления на ширину полосы пропускания 8 МГц и максимальную скорость нарастания выходного сигнала 2,8 В/мкс. Для ИС OP37 произведение усиления на ширину полосы пропускания составляет 63 МГц, скорость нарастания выходного напряжения – 17 В/мкс. Входное напряжение смещения нуля – 10 мкВ, а его дрейф – 0,2 мкВ/°С; размах выходного сигнала равен ±10 В на нагрузке 600 Ом. («MaximNew Releases Data Book», 1993, p. 3-67.)

» Читать запись: Малошумящий микрофонный предусилитель

СХЕМЫ ИНТЕРФЕЙСА

September 26, 2013

В этой главе рассмотрены устройства и применяемые в них интегральные схемы (передатчики, приемники и приемопередатчики), выполняющие функции сопряжения цифровых устройств с внешней аппаратурой. Существует мнение о том, что единственная задача при выборе схемы сопряжения – это поиск интерфейсной ИС с необходимым количеством каналов. Однако есть и другие проблемы, влияющие на работу системы в целом. Им и посвящена эта глава.

» Читать запись: СХЕМЫ ИНТЕРФЕЙСА

Однополупериодный выпрямитель MAX402

September 15, 2013

Ha рис. 6.51 показано расположение выводов и приведен пример включения ИС MAX402/03 в качестве однополупериодного выпрямителя. ИС MAX402 имеет максимальную скорость нарастания выходного напряжения 5 В/мкс, ширину полосы пропускания 1,4 МГц и ток потребления 75 мкА. ИС MAX403 имеет максимальную скорость нарастания выходного напряжения 25 В/мкс, ширину полосы пропускания 7 МГц, ток потребления 375 мкА. Оба ОУ имеют стабильные характеристики при единичном усилении, могут питаться от напряжения в диапазоне +3…+5 В либо от однополярного источника питания в диапазоне напряжений +6…+ 10 В. На рис. 6.52 показана схема балансировки нуля. («Maxim New Releases Data Book», 1992, p.p. 3-15, 3-21.)

» Читать запись: Однополупериодный выпрямитель MAX402

Фоновый шум в усилителях

September 14, 2013

Если осциллограф обладает достаточной чувствительностью, то его можно использовать для измерения уровня внутреннего шума усилителя, а также для обнаружения фона переменного тока, генерации и т.п. Осциллограф должен позволять измерять напряжения на входе величиной менее 1 мВ (и даже значительно ниже для усилителей на ИС).

» Читать запись: Фоновый шум в усилителях

Бегущие и стоячие волны

June 21, 2013

В течение длительного времени явления, связанные с бегущими волнами, были сферой интереса только инженеров, работавших в области телекоммуникаций и передачи электроэнергии на большие расстояния. Однако с развитием техники управления электродвигателями с использованием широтно-импульсной модуляции (ШИМ), а также с увеличением рабочих частот этой модуляции даже в цепях электродвигателей стали проявляться эффекты стоячих волн. Понимание явлений, связанных с бегущими волнами в передающих линиях, стало необходимым, например, для защиты электродвигателей, питание которых осуществляется через длинную кабельную линию и (или) на высокой частоте. Если говорить современными терминами, передающая линия — это набор нескольких параллельных или коаксиальных проводников конечной длины, будь то проводники на печатной плате или многомильная линия электропередачи.

» Читать запись: Бегущие и стоячие волны

Основные  закономерности  роста эпитаксиальных пленок при выращивании из  газообразной  фазы

May 21, 2013

В литературе принято разделять газообразные фазы на паровые и газовые. Паровой фазой называют газообразную фазу, состав которой совпадает с составом выращиваемого из нее нелегированного вещества или соединения. Газовой называют газообразную фазу, состав которой отличается от состава выращиваемого из нее нелегированного вещества или соединения.

» Читать запись: Основные  закономерности  роста эпитаксиальных пленок при выращивании из  газообразной  фазы

Рост из газовой фазы с использованием металлорганических соединений

May 4, 2013

В последнее время усиленно развивается технология выращивания сверхрешеточных структур из газовой фазы с использованием металлорганических соединений (MOCVD4). В основе этого метода лежит метод химических реакций.

MOCVD представляет собой метод выращивания, в котором необходимые компоненты доставляются в камеру роста в виде газообразных металлорганических алкильных соединений, и рост слоя осуществляется при термическом разложении (пиролизе) этих газов и последующей химической реакции между возникающими компонентами на нагретой пластине-подложке [46]. В настоящее время посредством этого метода можно выращивать большинство полупроводниковых соединений AIIIBV, AIIBVI, AIVBIV.

» Читать запись: Рост из газовой фазы с использованием металлорганических соединений

Выращивание кристаллов из газообразной фазы

April 21, 2013

Широко распространено мнение, что выращивание монокристаллов из газообразной фазы не имеет большого практического значения ввиду малых скоростей роста, присущих этому методу. Действительно, скорость роста монокристаллов из газообразной фазы обычно равна сотым долям мм/ч, что на несколько порядков ниже, чем при вытягивании кристаллов из расплава. Рост из газообразной фазы применяется в основном для выращивания тонких эпитаксиальных пленок, используемых в технологии полупроводниковых приборов, и для получения небольших монокристаллов тугоплавких материалов, а также полупроводниковых соединений, которые плавятся с разложением. Кроме того, поскольку высокопроизводительные методы выращивания монокристаллов из расплавов не всегда обеспечивают высокую однородность их свойств, то для получения особо качественных небольших кристаллов полупроводников используются методы выращивания из газообразной фазы. Эти методы, естественно, не устраняют все причины, приводящие к дефектности кристаллов. Процессы выращивания монокристаллов из газообразной фазы тоже весьма чувствительны к колебаниям внешних условий и составу питающей фазы. Однако влияние этих колебаний значительно сглажено благодаря малым скоростям роста, что способствуют приближению к более равновесным условиям роста.

» Читать запись: Выращивание кристаллов из газообразной фазы

МОДЕЛИРОВАНИЕ ГЕТЕРОТРАНЗИСТОРА СО ВСТРОЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ

February 26, 2013

Аннотация – Моделируются характеристики полевого гетеротранзистора со встроенными квантовыми точками на основе двумерной численной модели.

I.                                       Введение

» Читать запись: МОДЕЛИРОВАНИЕ ГЕТЕРОТРАНЗИСТОРА СО ВСТРОЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты