Записи с меткой ‘соединений’

SKS290FB6U

August 28, 2013

Технические решения, использованные в блоке, показаны на рис. 3.1.9 и рис. 3.1.10, а схема внутренних соединений — на рис. 3.1.11. Основу этого блока также составляет радиатор, он же выполняет роль несущей конструкции. Сбоку к радиатору прикреплен вентилятор охлаждения и клеммы подключения фаз сетевого напряжения. Сверху установлены диодные сборки. Все электрические co-

» Читать запись: SKS290FB6U

Химические связи в полупроводниках, производных от ANB8−N

June 5, 2013

Для развития прикладной полупроводниковой электроники требуется получение полупроводниковых материалов с заданными свойствами. В рамках обычного эмпирического подхода с этой целью синтезируют большое число кристаллов разного состава, изучают их свойства и находят тот

» Читать запись: Химические связи в полупроводниках, производных от ANB8−N

Химическая связь в полупроводниковых соединениях – основы материаловедения

May 21, 2013

ANB8−N

Проследим, каким образом реализуется ковалентная связь в полупроводниковых бинарных соединениях ANB8−N, у которых ∆X < 1. Было установлено, что неполярная ковалентная связь, приводящая к формированию алмазоподобной структуры (Zк = 4), наблюдается в гомеополярных кристаллах при образовании в них sp3-гибридных связей. Такие гибридные связи могут образовываться и в соединениях ANB8−N, поскольку во всех них среднее число валентных электронов на атом компонента

» Читать запись: Химическая связь в полупроводниковых соединениях – основы материаловедения

Полупроводниковые соединения других групп – основы материаловедения

May 14, 2013

Соединения AIVBVI

Из рассмотренных выше примеров может создаться неверное впечатление, что полупроводниковыми свойствами обладают только соединения с тетраэдрической или производной от нее координацией атомов. Соединения AIVBVI, к которым относятся халькогениды свинца, олова и германия, также обладают полупроводниковыми свойствами, хотя их структу

» Читать запись: Полупроводниковые соединения других групп – основы материаловедения

Тройные полупроводниковые соединения – основы материаловедения

May 10, 2013

Тройные соединения и твердые растворы на их основе являются поистине неисчерпаемым источником полупроводниковых материалов с широ

ким спектром физико-химических свойств. Химические связи в тройных полупроводниковых фазах, также как и в двойных, носят смешанный характер — ковалентно-ионный-металлический. Специфика связей в этих материалах обусловлена наличием атомов трех сортов.

» Читать запись: Тройные полупроводниковые соединения – основы материаловедения

Степень ионности связи – основы материаловедения

May 8, 2013

Очевидно, что химическая связь в полупроводниковых соединениях является полярной ковалентной связью (ковалентно-ионной). Рассмотрим теперь вопрос о распределении электронной плотности между компонентами соединения.

При «чистой ковалентной» связи электронная плотность распределена совершенно симметрично между одинаковыми атомами, и ее центр симметрии располагается в середине межатомного расстояния. В «чисто ионных» соединениях распределение электронной плотности таково, что она в основном сосредоточена вокруг каждого иона и обладает (приближенно) сферической симметрией. В случае же промежуточной, ковалентно-ионной связи, логично предположить, что центр симметрии электронного облака смещен от середины межатомного расстояния к одному из соседних атомов. Величина этого смещения определяет степень ионности связи δ. Очевидно, что степень ионности связи должна быть пропорциональна разности электроотрицательностей.

» Читать запись: Степень ионности связи – основы материаловедения

Ручное лучевое ружье на базе полупроводникового диодного лазера – ЧАСТЬ 2

November 23, 2011

Включение и выключение напряжения питания стабилизатора напряжения VR1 осуществляется выключателем S3/R5, который конструктивно совмещен с переменным сопротивлением R5. Переключатель постоянного тока подает ток на стабилизатор напряжения VR1, а переменным сопротивлением R5 устанавливается напряжение на выводе G VR1 на уровне 7-8 В и на выходе О VR1 устанавливается разностное между входным и общим выводом напряжение в 4-5 В, которое затем гасится диодом D1 до напряжения питания лазерного диода. Зеленый светодиод LA2 загорается во время излучения лазером энергии.

» Читать запись: Ручное лучевое ружье на базе полупроводникового диодного лазера – ЧАСТЬ 2

Требования к системам заземления.

February 10, 2011

Одним из важнейших условий по защите информации является правильное заземление устройств приема и передачи информации [2]. Общим термином "земля" нередко обозначают различные по назначению и физическому исполнению системы проводящих поверхностей и электрических соединений. Их можно функционально подразделить на четыре основные фуппы. Первая — это проводящие системы, по отношению к которым производится отсчет напряжений сигналов или питания, при этом потенциал самой системы принимается равным нулю. Примерами таких систем могут служить, например, так называемая ^’сигнальная земля" в аналоговых измерительных системах или так называемая "физическая земля" и т.п. Условно назовем такие системы земель базовыми. Вторая группа соединений предназначена для образования путей протекания обратных сигнальных и питающих токов. Примерами таких систем могут служить так называемая "общая шина" вторичного питания , "нейтраль" или "нулевой провод" первичного питания и т.п. Условно назовем такие системы соединений возвратными. Третья группа поверхностей и соединений служит для экранирования изделий и их частей, восприимчивых к помехам или излучающих помехи. Такие системы называюся экранирующими. И, наконец, четвертая группа соединений предназначена для исключения возможности поражения обслуживающего персонала электрическим током. Такие системы соединений обычно называют защитными. Перечисленные системы редко удается выполнить совершенно обособленными. Обычно совмещены базовая и возвратная системы в цепях первичного и вторичного питания., а также экранирующая и защитные системы. На практике чаще всего приходится иметь дело с радиальной системой заземления средств обработки информации, которая имеет меньше общих участков для протекания обратных сигнальных и питающих токов. При этом следует иметь ввиду, что шина заземляющего контура не должна иметь замкнутых контуров (петель), а должна быть выполнена в виде ветвящегося дерева с сопротивлением контура не более 1 Ома. Такое требование к заземляющему контуру обычно удовлетворяется применением в качестве заземлителей:

» Читать запись: Требования к системам заземления.

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты